期間，艾邁斯歐司朗與廣州市鴻利秉一光電科技有限公司協(xié)辦的“IFWS& SSLCHINA 2021：固態(tài)紫外材料與器件技術(shù)專場(chǎng)“將于12月7日舉行，論壇特別邀請(qǐng)香港科技大學(xué)教授李世瑋、艾歐史密斯（中國(guó)）熱水器有限公司技術(shù)總監(jiān)陳小波，廣西大學(xué)物理學(xué)院光電材料與器件研究中心教授孫文紅，中山大學(xué)（深圳）材料學(xué)院副教授鄭偉，中山大學(xué)電子信息工程學(xué)院教授江灝，西安電子科技大學(xué)副教授寧?kù)o，北京大學(xué)王柳冰，挪威科學(xué)院院士、挪威科學(xué)技術(shù)大學(xué)教授Weman HELGEN，廈門大學(xué)物理科學(xué)與技術(shù)學(xué)院副院長(zhǎng)、教授黃凱，中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所研究員魏同波，北京大學(xué)物理學(xué)院副教授許福軍，集美大學(xué)張議聰，廣東科學(xué)院半導(dǎo)體研究所所長(zhǎng)陳志濤，桂林電子科技大學(xué)教授張法碧，鄭州大學(xué)Muhammad Nawaz Sharif，港科技術(shù)（佛山）有限公司董國(guó)帥等代表性先進(jìn)研究力量，分享固態(tài)紫外器件與應(yīng)用的最新研究進(jìn)展與研究成果。會(huì)議由廈門大學(xué)教授康俊勇和中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所研究員、中科院半導(dǎo)體照明研發(fā)中心主任王軍喜共同主持了本次會(huì)議。
第三代半導(dǎo)體材料在紫外器件中具備其他半導(dǎo)體材料難以比擬的優(yōu)勢(shì)，展現(xiàn)出巨大的應(yīng)用潛力。本論壇將重點(diǎn)關(guān)注以氮化鋁鎵、氮化鎵為代表的紫外發(fā)光材料，以碳化硅、氮化鎵為代表的紫外探測(cè)材料，高效量子結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)及外延，以及發(fā)光二極管、激光器、光電探測(cè)器等核心器件的關(guān)鍵制備技術(shù)，并涵蓋紫外器件的先進(jìn)封裝材料及技術(shù)，包括光提取、熱管理及器件可靠性的提升方法。目前論壇最新日程出爐，也誠(chéng)摯的邀請(qǐng)業(yè)界同仁的深度參與。
作為一年一度的行業(yè)盛會(huì)，論壇及同期活動(dòng)將全面呈現(xiàn)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)動(dòng)向及技術(shù)趨勢(shì)，為除了開幕大會(huì)、本屆論壇設(shè)有功率電子器件與應(yīng)用論壇、射頻電子器件與應(yīng)用論壇、半導(dǎo)體照明與應(yīng)用論壇、Mini/Micro-LED及其他新型顯示論壇、超越照明論壇、材料與裝備論壇、固態(tài)紫外器件與應(yīng)用論壇、車用半導(dǎo)體創(chuàng)新合作峰會(huì)、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)教融合發(fā)展論壇、電力電子標(biāo)準(zhǔn)與檢測(cè)研討會(huì)等超30場(chǎng)次論壇活動(dòng)。聚焦第三代半導(dǎo)體功率電子技術(shù)、光電子技術(shù)、射頻電子技術(shù)的國(guó)內(nèi)外前沿進(jìn)展；第三代半導(dǎo)體功率電子技術(shù)、光電子技術(shù)、射頻電子技術(shù)的產(chǎn)業(yè)發(fā)展戰(zhàn)略與機(jī)遇；第三代半導(dǎo)體材料相關(guān)技術(shù)與新一代信息技術(shù)、新能源汽車、新一代通用電源、高端裝備等產(chǎn)業(yè)的相互促進(jìn)與深度融合；產(chǎn)業(yè)鏈、供應(yīng)鏈多元化與核心技術(shù)攻關(guān)等。也歡迎業(yè)界同仁參與其中，對(duì)接資源，洽談商機(jī)，共商產(chǎn)業(yè)發(fā)展大計(jì)。
部分嘉賓簡(jiǎn)介
康俊勇，廈門大學(xué)教授、廈門大學(xué)“物理學(xué)”一級(jí)學(xué)科博士點(diǎn)、“微電子學(xué)與固體電子學(xué)”二級(jí)學(xué)科工科博士點(diǎn)學(xué)術(shù)帶頭人、“凝聚態(tài)物理”國(guó)家重點(diǎn)學(xué)科主要學(xué)術(shù)帶頭人。長(zhǎng)期從事化合物半導(dǎo)體晶體生長(zhǎng)及其特性表征的教學(xué)和科研工作。培養(yǎng)研究生60余人，所指導(dǎo)的10多篇博士論文中，獲得全國(guó)優(yōu)秀博士學(xué)位論文1篇，提名全國(guó)優(yōu)秀博士論文1篇，福建省優(yōu)秀博士論文獎(jiǎng)一等獎(jiǎng)3篇等；帶領(lǐng)學(xué)生先后獲得2017年國(guó)際第三代半導(dǎo)體創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)大賽廈門賽區(qū)團(tuán)隊(duì)第一名、2019全國(guó)移動(dòng)互聯(lián)創(chuàng)新大賽福建賽區(qū)一等獎(jiǎng)等，榮獲“全國(guó)優(yōu)秀博士學(xué)位論文指導(dǎo)教師”、“廈門市優(yōu)秀教師”、“寶鋼優(yōu)秀教師獎(jiǎng)”、“盧嘉錫優(yōu)秀導(dǎo)師獎(jiǎng)”等稱號(hào)。
主持過國(guó)家“973”、“863”、國(guó)家自然科學(xué)基金重大研究計(jì)劃和重點(diǎn)項(xiàng)目等數(shù)十項(xiàng)研究。先后研發(fā)了首臺(tái)強(qiáng)磁場(chǎng)晶體生長(zhǎng)、納米級(jí)空間分辨率應(yīng)變和電荷測(cè)試、原位納米結(jié)構(gòu)綜合測(cè)試等設(shè)備。在高Al組分AlGaN量子結(jié)構(gòu)等設(shè)計(jì)與生長(zhǎng)及其深紫外表面等離子激元光源研發(fā)方面，取得了系列開拓性成果，被同行稱為“表面等離子激元深紫外光子學(xué)研究第一人”。在新型太陽能電池研發(fā)方面，首次將寬帶隙半導(dǎo)體調(diào)制到對(duì)太陽光中紅外線有效吸收，該成果2012年以“廈大研發(fā)新型太陽能光伏電池”名稱被列入最新十二大太陽能光伏電池新技術(shù)。在低維晶格及其耦合誘導(dǎo)的半導(dǎo)體新功能及其應(yīng)用方面，取得多項(xiàng)重要的研究進(jìn)展，獲得了國(guó)內(nèi)外同行的高度評(píng)價(jià)。先后在Nature Materials、Nature Communications、Nano Letters、Advanced Materials、Laser Photonics & Reviews等國(guó)際著名學(xué)術(shù)刊物上發(fā)表論文300余篇，他引約4500次；授權(quán)國(guó)家發(fā)明專利50余項(xiàng)；部分成果完成了向重要企業(yè)的技術(shù)轉(zhuǎn)讓，并實(shí)現(xiàn)產(chǎn)品產(chǎn)業(yè)化，年產(chǎn)值十多億元，部分產(chǎn)品在國(guó)家航空航天領(lǐng)域得到廣泛應(yīng)用。榮獲國(guó)家政府特殊津貼、福建省科技進(jìn)步一等獎(jiǎng)、廈門市科技進(jìn)步一等獎(jiǎng)等。
先后建立了超高真空、極低溫、強(qiáng)磁場(chǎng)、晶體生長(zhǎng)及原位綜合測(cè)量等實(shí)驗(yàn)條件；建立了福建省半導(dǎo)體材料及應(yīng)用重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室、半導(dǎo)體微納光電子材料與器件教育部工程研究中心，被譽(yù)為“廈門大學(xué)實(shí)驗(yàn)物理奠基人”。榮獲“福建省先進(jìn)工作者”、“廈門市勞動(dòng)模范”等稱號(hào)。同時(shí)，推動(dòng)了國(guó)家半導(dǎo)體照明產(chǎn)業(yè)化基地（廈門）的建設(shè)工作，牽頭與行業(yè)龍頭企業(yè)等創(chuàng)建了福建省半導(dǎo)體光電材料及其高效轉(zhuǎn)換器件協(xié)同創(chuàng)新中心，為廈門成為國(guó)家乃至世界的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)重鎮(zhèn)做出重要貢獻(xiàn)，榮獲“廈門市科技創(chuàng)新杰出人才”。
王軍喜，中科院半導(dǎo)體所研究員，中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體照明研發(fā)中心主任，中科潞安半導(dǎo)體研究院院長(zhǎng)。1998年獲得西北大學(xué)物理學(xué)學(xué)士學(xué)位，2003年獲得中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所工學(xué)博士學(xué)位，自2003年至今在中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所工作。 從事氮化物材料生長(zhǎng)和器件研制工作八年，熟悉MOCVD 、MBE和HVPE生長(zhǎng)設(shè)備和相關(guān)材料分析表征方法。使用國(guó)產(chǎn)NH3-MBE生長(zhǎng)設(shè)備，獲得了具有當(dāng)時(shí)國(guó)際水平的高遷移率GaN外延片；做為骨干科研人員，所在小組研制成功了壓電極化效應(yīng)誘導(dǎo)的高質(zhì)量AlGaN/GaN二維電子氣結(jié)構(gòu)材料，并用所研制的材料與信息產(chǎn)業(yè)部第十三研究所合作研制出了我國(guó)第一只氮化物高溫HEMT器件；負(fù)責(zé)自主設(shè)計(jì)并制備了一臺(tái)HVPE厚膜GaN材料生長(zhǎng)設(shè)備，獲得了厚膜GaN材料生長(zhǎng)速率超過了每小時(shí)200μm，晶體質(zhì)量位于國(guó)內(nèi)領(lǐng)先水平；在“十一五”期間，負(fù)責(zé)氮化物MOCVD材料生長(zhǎng)研究，主要方向?yàn)镚aN基LED材料生長(zhǎng)研究和紫外LED材料生長(zhǎng)研究。
李世瑋，香港科技大學(xué)先進(jìn)微系統(tǒng)封裝中心主任、香港科技大學(xué)深圳研究院常務(wù)副院長(zhǎng)以及佛山市香港科技大學(xué)LED-FPD工程技術(shù)研究開發(fā)中心主任，研究領(lǐng)域覆蓋晶圓級(jí)和三維微系統(tǒng)封裝、硅通孔和高密度互連、LED封裝和半導(dǎo)體照明技術(shù)、無鉛焊接工藝及焊點(diǎn)可靠性。其團(tuán)隊(duì)在國(guó)際學(xué)術(shù)期刊及會(huì)議論文集上發(fā)表了近三百篇技術(shù)論文，其中九篇獲得最佳/優(yōu)秀論文獎(jiǎng)，獲頒多項(xiàng)國(guó)際技術(shù)成就獎(jiǎng)。李教授與其他專家學(xué)者合作撰寫了三本微電子封裝與組裝方面專書，其中《芯片尺寸封裝：設(shè)計(jì)、材料、工藝、可靠性及應(yīng)用》、《應(yīng)用無鉛、無鹵素和導(dǎo)電粘接劑材料的電子制造》分別被清華大學(xué)出版社、化學(xué)工業(yè)出版社翻譯成中文在國(guó)內(nèi)發(fā)行。2012年至2013年間當(dāng)選為IEEE CPMT的全球總裁，是該國(guó)際學(xué)術(shù)組織成立近50年來的首位華人領(lǐng)導(dǎo)。
許福軍，北京大學(xué)物理學(xué)院副教授，主要研究領(lǐng)域?yàn)閷捊麕О雽?dǎo)體材料和器件物理。近年來主要開展AlGaN 基深紫外發(fā)光材料和器件研究。在AlN、AlGaN及其低維量子結(jié)構(gòu)外延生長(zhǎng)、缺陷控制和AlGaN的電導(dǎo)率調(diào)控等方面開展了較系統(tǒng)的研究工作，在高質(zhì)量AlN、高效率AlGaN量子阱以及高載流子濃度p型AlGaN方面均達(dá)到國(guó)際先進(jìn)水平，并在團(tuán)隊(duì)支撐下突破了高性能深紫外發(fā)光二極管（LED）器件研制的關(guān)鍵技術(shù)，正推動(dòng)科研成果落地付諸產(chǎn)業(yè)化實(shí)踐。近年來，作為負(fù)責(zé)人承擔(dān)國(guó)家自然科學(xué)面上基金3項(xiàng)；作為子課題負(fù)責(zé)人參與國(guó)家重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃項(xiàng)目1項(xiàng)、北京市科委重點(diǎn)項(xiàng)目1項(xiàng)，山東省重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃項(xiàng)目1項(xiàng)和廣東省重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃項(xiàng)目1項(xiàng)。迄今以一作/通訊作者在Applied Physics Letters、Optical Express等期刊上共發(fā)表SCI 收錄論文30多篇，獲得/申請(qǐng)國(guó)家發(fā)明專利10多件。
寧?kù)o，美國(guó)德克薩斯大學(xué)聯(lián)合培養(yǎng)博士，西安電子科技大學(xué)華山學(xué)者菁英教授，隸屬于西安電子科技大學(xué)郝躍院士團(tuán)隊(duì)、寬禁帶半導(dǎo)體國(guó)家工程研究中心，現(xiàn)任陜西省石墨烯聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室副主任。已入選陜西省青年科技新星（2020）、陜西省高校科協(xié)青年人才托舉計(jì)劃（2018）。長(zhǎng)期從事于研究新型GaN維度調(diào)控異質(zhì)結(jié)構(gòu)與光電集成，針對(duì)寬禁帶半導(dǎo)體異質(zhì)集成與界面調(diào)控的關(guān)鍵共性問題，從物性、外延生長(zhǎng)到功能器件進(jìn)行了系統(tǒng)深入研究。先后主持和參與了國(guó)家自然科學(xué)基金、國(guó)家重大科技專項(xiàng)、國(guó)家重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃、863項(xiàng)目、973計(jì)劃等項(xiàng)目。已在國(guó)際高水平學(xué)術(shù)期刊發(fā)表 SCI 一作或通訊作者論文共50余篇，其中多篇獲得Advanced Functional Materials、Small、Journal of Materials Chemistry A 、ACS Applied Nano Materials國(guó)際知名期刊的封面論文（Cover）。授權(quán)第一發(fā)明人國(guó)家發(fā)明專利 13項(xiàng)及國(guó)際專利 4項(xiàng)。在國(guó)內(nèi)外學(xué)術(shù)會(huì)議上作邀請(qǐng)報(bào)告 16次，分會(huì)報(bào)告 9 次。
江灝，中山大學(xué)電子與信息工程學(xué)院教授，廣東省化合物半導(dǎo)體材料與器件研究與開發(fā)工程技術(shù)中心主任，主要從事III族氮化物半導(dǎo)體外延中缺陷抑制與電導(dǎo)調(diào)控，增益型InGaN基可見光、AlGaN基紫外光電探測(cè)技術(shù)，以及發(fā)光技術(shù)研究。
陳志濤，廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所所長(zhǎng)、教授，2008年赴日本名古屋工業(yè)大學(xué)從事財(cái)團(tuán)特任研究員工作，2012年回國(guó)任廣東半導(dǎo)體照明產(chǎn)業(yè)技術(shù)研究院副院長(zhǎng)，2016年3月任廣東省半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)研究院副院長(zhǎng)（主持工作），2018年6月任廣東省半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)研究院院長(zhǎng)。長(zhǎng)期從事寬禁帶半導(dǎo)體材料與器件技術(shù)開發(fā)，在材料生長(zhǎng)、器件工藝、測(cè)試分析、器件應(yīng)用等方面取得有一定意義的創(chuàng)新成果，部分成果獲得實(shí)際應(yīng)用。申請(qǐng)發(fā)明專利50余件，發(fā)表論文60余篇。兼任中國(guó)有色金屬學(xué)會(huì)寬禁帶半導(dǎo)體專業(yè)委員會(huì)秘書長(zhǎng)，廣東省半導(dǎo)體光源產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì)副會(huì)長(zhǎng)。
魏同波，中科院半導(dǎo)體研究所研究員、博士生導(dǎo)師。主要從事氮化物材料外延與高效發(fā)光器件研究，先后主持了國(guó)家重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃項(xiàng)目、863重大項(xiàng)目子課題和5項(xiàng)國(guó)家自然基金。目前已在氮化物領(lǐng)域發(fā)表學(xué)術(shù)論文140余篇，其中以一作或通訊在Adv. Mater.、J. Am. Chem. Soc.、Adv. Sci. Adv. Function. Mater.、Nano Energy等發(fā)表SCI論文80余篇，引用3000余次，獲得授權(quán)專利30余項(xiàng)。目前擔(dān)任半導(dǎo)體學(xué)報(bào)編委和發(fā)光學(xué)報(bào)青年編委。
備注：日程或有微調(diào)，皆以現(xiàn)場(chǎng)為準(zhǔn)。
附件：論壇資料
第七屆國(guó)際第三代半導(dǎo)體論壇
暨第十八屆中國(guó)國(guó)際半導(dǎo)體照明論壇
暨第十八屆中國(guó)國(guó)際半導(dǎo)體照明論壇
The 7th International Forum on Wide Bandgap Semiconductors
&The 18th China International Forum onSolid State Lighting
&The 18th China International Forum onSolid State Lighting
IFWS & SSLCHINA 2021
國(guó)際第三代半導(dǎo)體論壇（IFWS）是第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)在中國(guó)地區(qū)的年度盛會(huì)，是前瞻性、全球性、高層次的綜合性論壇。會(huì)議以促進(jìn)第三代半導(dǎo)體與電力電子技術(shù)、移動(dòng)通信技術(shù)、紫外探測(cè)技術(shù)和應(yīng)用的國(guó)際交流與合作，引領(lǐng)第三代半導(dǎo)體新興產(chǎn)業(yè)的發(fā)展方向?yàn)榛顒?dòng)宗旨，全面覆蓋行業(yè)基礎(chǔ)研究、襯底外延工藝、電力電子器件、電路與模塊、下游應(yīng)用的創(chuàng)新發(fā)展，聯(lián)結(jié)產(chǎn)、學(xué)、研、用，提供全球范圍的全產(chǎn)業(yè)鏈合作平臺(tái)。在過去的六年時(shí)間里，IFWS延請(qǐng)寬禁帶半導(dǎo)體領(lǐng)域國(guó)際頂級(jí)學(xué)術(shù)權(quán)威分享最前沿技術(shù)動(dòng)態(tài)，已發(fā)展成具有業(yè)界影響力的綜合性專業(yè)論壇。
中國(guó)國(guó)際半導(dǎo)體照明論壇（SSLCHINA）是半導(dǎo)體照明領(lǐng)域最具規(guī)模、參與度最高、口碑最好的全球性專業(yè)論壇。論壇以促進(jìn)半導(dǎo)體照明技術(shù)和應(yīng)用的國(guó)際交流與合作，引領(lǐng)半導(dǎo)體照明產(chǎn)業(yè)的發(fā)展方向?yàn)榛顒?dòng)宗旨，全面覆蓋行業(yè)工藝裝備、原材料，技術(shù)、產(chǎn)品與應(yīng)用的創(chuàng)新發(fā)展，提供全球范圍的全產(chǎn)業(yè)鏈合作平臺(tái)，致力于拓展業(yè)界所關(guān)注的目標(biāo)市場(chǎng)，以專業(yè)精神恒久締造企業(yè)的商業(yè)價(jià)值。在過去的十七年里，SSLCHINA邀請(qǐng)了包括諾貝爾獎(jiǎng)得主在內(nèi)的全球最頂級(jí)專家陣容，呈現(xiàn)了超過1800個(gè)專業(yè)報(bào)告，累計(jì)參會(huì)代表覆蓋全球70多個(gè)國(guó)家逾26500人次。
國(guó)際第三代半導(dǎo)體論壇與中國(guó)國(guó)際半導(dǎo)體照明論壇同時(shí)同地舉辦，同臺(tái)匯力，相映生輝，放眼LED+和先進(jìn)電子材料更廣闊的未來。
論壇長(zhǎng)期與IEEE合作。投稿的錄取論文會(huì)被遴選在IEEE Xplore 電子圖書館發(fā)表，IEEE是EI檢索系統(tǒng)的合作數(shù)據(jù)庫(kù)。目前，論壇同期論文已開啟征集，論壇長(zhǎng)期與IEEE合作。投稿的錄取論文會(huì)被遴選在IEEE Xplore 電子圖書館發(fā)表，IEEE是EI檢索系統(tǒng)的合作數(shù)據(jù)庫(kù)。
2021先進(jìn)半導(dǎo)體技術(shù)應(yīng)用創(chuàng)新展（CASTAS 2021）也同時(shí)招展中，歡迎業(yè)界人士的參與其中，對(duì)接資源，洽談商機(jī)，共商產(chǎn)業(yè)發(fā)展大計(jì)。
2021先進(jìn)半導(dǎo)體技術(shù)應(yīng)用創(chuàng)新展（CASTAS 2021）也同時(shí)招展中，歡迎業(yè)界人士的參與其中，對(duì)接資源，洽談商機(jī)，共商產(chǎn)業(yè)發(fā)展大計(jì)。
據(jù)了解，目前論壇組織工作正有序開展中，以下為會(huì)議最新信息：
論壇信息
會(huì)議時(shí)間：2021年12月6-8日
會(huì)議地點(diǎn)：深圳會(huì)展中心（福田區(qū)）
會(huì)議住宿：深圳·大中華希爾頓酒店
論壇主題：創(chuàng)芯生態(tài) 碳索未來
主辦單位
國(guó)家半導(dǎo)體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟（CSA）
第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）
論文重要期限及提交方式
口頭報(bào)告演示文件（PPT或PDF）與POSTER電子版提交截止日：2021年11月28日
備注：目前已經(jīng)進(jìn)入專家審稿程序，在全文提交截止前仍可繼續(xù)投稿，歡迎大家直接投全文！
IFWS & SSLCHINA 2021會(huì)議日程
備注：總體日程概覽或有微調(diào)，以現(xiàn)場(chǎng)為準(zhǔn)。
注冊(cè)費(fèi)用權(quán)益表
備注：
＊國(guó)家半導(dǎo)體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟（CSA）或第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）成員單位在此基礎(chǔ)上再享受10%優(yōu)惠。
＊學(xué)生參會(huì)需提交相關(guān)證件。
＊會(huì)議現(xiàn)場(chǎng)報(bào)到注冊(cè)不享受各種優(yōu)惠政策。
＊若由于某些原因，您繳費(fèi)后無法參會(huì)，可辦理退款事宜，組委會(huì)將扣除已繳費(fèi)金額的40%作為退款手續(xù)費(fèi)。
＊SSL相關(guān)會(huì)議包含：開幕大會(huì)、半導(dǎo)體照明與應(yīng)用論壇、Mini/Micro-LED及其他新型顯示論壇、超越照明論壇、固態(tài)紫外器件與應(yīng)用論壇、材料與裝備論壇、車用半導(dǎo)體創(chuàng)新合作峰會(huì)、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)教融合發(fā)展論壇、生物農(nóng)業(yè)光照技術(shù)研討會(huì)、閉幕儀式。
＊IFWS相關(guān)會(huì)議包含：開幕大會(huì)、功率電子器件與應(yīng)用論壇、射頻電子器件與應(yīng)用論壇、材料與裝備論壇、固態(tài)紫外器件與應(yīng)用論壇、車用半導(dǎo)體創(chuàng)新合作峰會(huì)、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)教融合發(fā)展論壇、第三代半導(dǎo)體標(biāo)準(zhǔn)與檢測(cè)研討會(huì)、閉幕儀式。
＊產(chǎn)業(yè)峰會(huì)包含：車用半導(dǎo)體創(chuàng)新合作峰會(huì)、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)教融合發(fā)展論壇，以及部分論壇中的產(chǎn)業(yè)單元（包括照明設(shè)計(jì)與文旅燈光、智慧照明與智慧城市、汽車照明與車用燈具、紫外器件應(yīng)用、Mini/Micro-LED應(yīng)用與產(chǎn)業(yè)、新一代電源應(yīng)用技術(shù)、能源互聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用技術(shù)等會(huì)議單元）。
＊餐飲包含：12月6日午餐、6日歡迎晚宴（大中華希爾頓酒店）、7日午餐+晚餐。
報(bào)名優(yōu)惠期
即日起至2021年12月3日之前，完成注冊(cè)繳費(fèi)即可享受折扣票（詳見上圖），國(guó)家半導(dǎo)體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟（CSA）或第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）成員單位在此基礎(chǔ)上再享受10%優(yōu)惠。學(xué)生參會(huì)需提交相關(guān)證件。會(huì)議現(xiàn)場(chǎng)報(bào)到注冊(cè)不享受各種優(yōu)惠政策。
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