據招股書信息顯示，預計芯導科技公開募集資金用于投資發展項目，包括高性能分立功率器件開發和升級、高性能數模混合電源管理芯片開發及產業化、硅基氮化鎵高電子遷移率功率器件開發項目、研發中心建設項目。

 

芯導科技主營業務為功率半導體的研發與銷售，而功率半導體產品包括功率器件和功率IC兩大類。通過向市場公開募集資金，有利于擴大公司業務規模，增強研發實力，強化核心能力。

 

 

據芯導科技表示，通過募投高性能分立功率器件開發和升級及高性能數模混合電源管理芯片開發及產業化項目，這兩個項目能夠對芯導科技的的主營業務進行進一步補充和提升。

 

2019年我國功率半導體市場規模約為940.80億元，占全球市場規模35%左右。雖然中國已經成為全球功率半導體產業的重要市場，但是由于中國的功率半導體行業發展起步相對較晚，在技術實力、產品穩定性方面與歐美同行業公司相比，仍然存在較大差距。目前我國對高性能功率器件仍依賴進口。

 

以功率IC中的電源管理芯片來看，全球電源管理芯片市場仍由國際規模廠商占據主要份額，如德州儀器、安森美、商升特半導體等。由于國內電源管理芯片企業起步較晚、工藝相對落后等因素，目前國內企業在技術和規模上與國際領先企業存在著一定差距。

 

目前功率半導體的應用范圍已從傳統的工業控制和4C產業(計算機、通信、消費類電子產品和 汽車)擴展到5G通訊、新能源、人工智能、智能電網等新領域，這些都會增加了對功率半導體器件種類多元化和性能提升的需求，同時也需要追求產品的低功耗和高能效比。

 

隨著5G通信、物聯網、智能家居、汽車電子、工業控制等新興應用領域的發展，功率半導體行業會踏入發展的快車道，包括TVS/ESD保護器件、MOSFET、肖特基等功率器件和功率IC的用量將會大幅度增長。因此，功率半導體行業下游的市場需求和國內對高性能功率器件的需求均具有廣闊的市場空間。

 

芯導科技的主體產品包括功率器件和功率IC功率器件和功率IC，在功率器件方面，芯導科技會在目前功率器件產品的基礎上進行技術開發與升級，開發一系列大功率高性能的TVS產品、超低導通阻抗、超低柵極電荷的MOSFET以及超低VF的肖特基二極管，擴展現有產品系列、加強對現有產品的更新迭代。

 

在功率IC方面，通過加大投入，可以促進高性能數模混合電源管理芯片技術的開發和積累，實現產業化，并豐富產品系列以滿足消費電子市場對電源管理芯片產品的需求。多年專注于功率半導體設計與銷售，令其在消費電子領域的功率IC領域有一定的技術儲備和客戶的資源。按照芯導科技方面的規劃，未來其會把功率IC技術的開發和產業化緊密結合，加大對高性能功率IC技術更深入的開發和研究。

 

根據招股書方面信息顯示，高性能分立功率器件開發和升級項目達產后，能夠實現大功率高性能的TVS產品年銷量增加654.15百萬顆、超低導通阻抗、超低柵極電荷的MOSFET產品年銷量增加285.10百萬顆以及超低VF的肖特基二極管年銷量增加593.96百萬顆。

 

高性能數模混合電源管理芯片開發及產業化項目達產后，預計每年新增銷售高性能數模混合電源管理芯片426.36百萬顆，提升芯導科技在功率IC領域的市場份額，優化整體收入結構。

 

上述兩個項目落址均為上海張江高科科技園區內，項目建設時間均為3年。

 

 

芯導科技的募資項目里面，值得關注的會是硅基氮化鎵高電子遷移率功率器件開發項目。通過該項目，其可以滿足產業內未來第三代半導體材料應用導致對功率器件性能提升的需求，能夠為產業內的相關新技術和新材料的創新突破進行前瞻性的布局。

 

當前半導體產業正在發生變革，其中新材料成為產業新的發展重心。以碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)等材料為代表的新材料半導體，業界稱為第三代半導體。因其寬禁帶、高飽和漂移速度、高臨界擊穿電場等優異的性能而受到行業關注，成為了新型的半導體材料。

 

第三代半導體材料主要以碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)為代表的寬禁帶的半導體材料，是未來 5G 時代的標配，是支撐新一代移動通信、新能源汽車、高速軌道列車、能源互聯網等產業自主創新發展和轉型升級的重點核心材料。

 

有數據統計，2024年GaN功率半導體市場規模將超過3.5億美元，2018年至2024年的年均復合增長率達到85%。GaN 器件具備導通電阻小、損耗低以及能源轉換效率高等優點，可在高頻情況下保持高效率水平工作且制成的充電器還可以做到較小的體積，目前其下游消費類應用主要以手機快充、無線充電為主，未來將有望被廣泛運用于5G通訊、智能電網等領域。

 

正因為第三代半導體材料的高速發展，其必然會增加對功率器件的性能和技術提出了新的需求。目前歐美、日韓及臺灣等地區已經實現 SiC、GaN 等新材料半導體功率器件的量產，芯導科技不但想通過該項目能夠滿足更多下游應用領域的需求，而且能夠支持我國的第三代半導體產業的發展，抓緊國家對于第三代半導體產業的扶持發展的機遇。

 

據了解，該項目的產品將主要應用在電子快速充電產品中，下游主要應用于消費類電子、數據中心等領域。本項目建成達產后，預計每年新增銷售第三代半導體 GaN-on-Si HEMT功率器件7.44百萬顆，提升芯導科技在第三代半導體材料應用領域的市場競爭力。

 

 

芯導科技通過研發中心建設項目，希望能夠進一步引進功率半導體領域的優秀人才，購置先進的研發及實驗設備，對公司現有核心技術、主要產品以及戰略規劃中未來擬研發的新技術、新產品及新興應用領域進行長期深入的研究和開發。

 

隨著國內的物聯網、人工智能、5G 的逐步發展，新技術環境的變化與創新，可以遇見在未來將會帶動芯導科技主營的功率半導體產品在應用領域和市場覆蓋范圍得到持續的提升。

 

中長期來看，國內功率半導體企業在政策、資金等因素驅動下，必然將逐步突破業內高端產品的核心技術，降低國內高端功率半導體產品對進口的依賴，整體提升國內功率半導體市場的國產化率。

 

芯導科技所處的功率半導體行業目前技術發展迅猛，市場競爭充分，因此要持續創新提升研發實力和創新水平才能不被市場所淘汰并能獲得良好的發展機遇。研發中心的建立，能夠為公司未來產品的開發和技術拓展提供良好的基礎，對行業前沿技術進行開發，從而持續提升公司整體的研發創新能力，豐富核心技術儲備和優化產品種類，增強抗市場波動風險的能力。

 

除此之外，研發中心還能夠吸引并引進優秀研發和管理人才，并且購置先進的研發及實驗設備，能夠打造一個集技術開發和儲備、新產品檢測和測試、研發體系運營管理為一體的基地，實現在技術支持、軟硬件環境平臺和運營服務方面的水平提升和保障。

 

招股書信息顯示，公開募集資金用于的項目均是根據芯導科技的戰略規劃和發展目標制定，主要用于研發和技術創新的投入，其是有利于公司技術創新和產品迭代、擴張業務規模、提高市場占有率、提升核心競爭力。

 

未來三年，芯導科技方面有著自身的發展規劃與目標，包括了加大研發投入力度，加快研發中心建設，大力推進新產品開發及產業化，加強開拓市場，提升公司品牌。

 

第一點是加快研發中心的建設，在整合公司研發資源的基礎上，通過建設新產品研發實驗室，配備先進的研究實驗設備與檢測設備，并引進專業技術人才，將研發中心建設成為集產品設計與封裝、功能驗證及可靠性試驗等為一體的綜合性平臺型研發中心。

 

第二點是推進新產品開發和產業化。針對功率器件，芯導科技將開發一系列應用于消費類電子、物聯網、工業控制等領域的大功率高性能ESD/TVS產品、超低Vf的肖特基二極管以及超低導通阻抗、超低柵極電荷的MOSFET、第三代半導體GaN-on-Si HEMT功率器件，同時擴展現有的產品系列，保持一定的產品更新換代速度。

 

針對功率IC產品，其將加速USB P快充技術的開發，以此滿足5G時代手機快充市場。加速有競爭力的 DC-DC、LDO穩壓器產品開發和布局，搶占5G時代手機終端需求及隨之而來的物聯網(IOT)平臺超低功耗電源管理。

 

最后一點是加強市場拓展、提升品牌優勢。充分利用現有的技術優勢和產品供應優勢，根據市場需求不斷推陳出新，豐富產品類別，拓展應用領域，提升服務質量，為客戶提供更加豐富的產品和優質的服務，實現市場拓展和業務增長。