2021年11月2日,中微半導體設備(上海)股份有限公司(以下簡稱“中微公司”,股票代碼:688012)迎來了一個重要的里程碑:中微公司的電容耦合高能等離子體(CCP)刻蝕設備第1500個反應臺順利付運國內(nèi)一家領先的半導體制造商。本次交付的Primo D-RIE®刻蝕設備反應臺來自該客戶的重復訂單。

據(jù)了解,Primo D-RIE®刻蝕設備被全球領先的芯片制造商用于制造存儲和邏輯器件。客戶非常看重該設備在大規(guī)模生產(chǎn)中穩(wěn)定可靠的性能表現(xiàn)、顯著提升的生產(chǎn)率和相對較低的生產(chǎn)成本方面的優(yōu)勢。為優(yōu)化產(chǎn)量而設計,Primo D-RIE®可以配置多達三個雙反應臺反應腔,每個反應腔既可以獨立操作,又可以同時加工兩片晶圓。此外,該設備的突出特點還包括:中微公司具有獨立自主知識產(chǎn)權(quán)的甚高頻和低頻混合射頻去耦合反應等離子體源、等離子體隔離環(huán)、用于控制腔體內(nèi)反應環(huán)境的先進工藝組件。

自2007年P(guān)rimo D-RIE®發(fā)布以來,中微公司陸續(xù)拓展了CCP刻蝕設備產(chǎn)品線,以滿足客戶日益嚴苛的技術(shù)需求。除Primo D-RIE®雙反應臺刻蝕設備以外,CCP刻蝕設備系列還包括雙反應臺刻蝕設備Primo AD-RIE®、單反應臺刻蝕設備Primo SSC AD-RIE®、Primo HD-RIE®和刻蝕及除膠一體化的 Primo iDEA®。這些產(chǎn)品為客戶提供了全面綜合的設備解決方案,用于5納米及以下工藝的多種應用。中微公司的刻蝕設備產(chǎn)品線還包括其他兩款電感耦合低能等離子體(ICP)刻蝕設備和硅通孔(TSV)刻蝕設備。
中微公司等離子體刻蝕設備獨特的創(chuàng)新技術(shù)和不斷快速增長的市場占有率鞏固了在國內(nèi)外半導體前道設備行業(yè)的領先地位,并推動公司持續(xù)發(fā)展。今年到目前為止,用于3D NAND應用的Primo HD-RIE和用于7納米及以下節(jié)點邏輯應用的Primo AD-RIE-e占設備總出貨量的50%。其中,中國大陸和臺灣地區(qū)占比最高。中微公司今年前三個季度的銷售收入比去年同期增長了40.4%,其中刻蝕設備的銷售增長率約100%。
中微公司集團副總裁兼等離子體刻蝕產(chǎn)品事業(yè)總部總經(jīng)理倪圖強博士將這一付運里程碑和公司的穩(wěn)步增長歸功于公司的“客戶至上”營運原則,他指出:“中微公司的創(chuàng)新技術(shù)和世界一流的專業(yè)技能使我們的刻蝕設備產(chǎn)品備受領先廠商青睞,我們?yōu)榇烁械阶院馈椭蛻魧崿F(xiàn)他們的技術(shù)和盈利目標激勵著中微公司從管理團隊到基層的每一位員工,并影響著整個產(chǎn)品生命周期的每一個環(huán)節(jié)——從產(chǎn)品設計、設備方案定制到我們的專業(yè)現(xiàn)場工程師提供全方位的服務。我們非常感謝客戶給予中微公司和產(chǎn)品的信任,我們今天取得的里程碑離不開客戶的長期支持。”
注:Primo D-RIE®、Primo AD-RIE®、Primo HD-RIE®、Primo SSC AD-RIE®和Primo iDEA®是中微公司的注冊商標。