據日經消息，日本半導體大廠東芝半導體開發出了用于供電的新一代功率半導體技術。東芝新開發的芯片可以抑制噪音發生，采用新一代技術的芯片與之前相比電力損耗少25%。

 

東芝半導體創建于1875年，其功率IC系列涵蓋從40V和60V的低壓功率IC到250V和600V的高壓功率IC。

 

低壓功率IC具有過電流、熱關斷等保護功能，并具有診斷輸出。它們主要用于車載娛樂應用；高壓功率IC則主要應用于家用電器無刷直流電機。

 

具體來說，東芝在功率半導體產品包括絕緣柵雙極晶體管（IGBT）、電子注入增強柵晶體管（IEGT）、SiC MOSFET。

 

IGBT是一種通過與MOSFET相同的方式控制柵極和發射極之間的電壓，接通和關斷集電極和發射極之間電源的器件主要應用在IH烹飪設備，電飯煲，廚房微波爐，冰箱，洗衣機，空調等產品。

 

IEGT則具有功率大、體積小、效率高、耐壓值高的特點，主要用于整流器、變壓器、風力發電機組、軌道運輸系統中（如新干線N700S系列高速列車）。值得一提的是，IEGT是最先由東芝提出的技術，東芝也是IEGT器件的主要生產與供應商。

 

相對于雙極的IGBT器件，SiC MOSFET的關斷損耗更低，且更耐高壓。東芝的SiC MOSFET已經應用在了電動汽車充電樁等大功率轉化器的參考設計中。

 

根據公開資料顯示，東芝在全球功率半導體市場占據著約4.5%的份額。隨著低碳成為全球共同關注的議題，功耗問題已經成為功率半導體的重要指標之一。本次東芝新發表的技術，可以將噪聲降低51%，功耗降低25%。同時，這款芯片面積減少了15%并具備在短路等事故發生的時候，迅速采取保護措施的功能。東芝預計這一技術將在2025年實現量產。