1、功率分立器件產(chǎn)量和產(chǎn)值持續(xù)上漲
功率半導(dǎo)體分立器件指額定電流不低于1A，或額定功率不低于1W的半導(dǎo)體分立器件。2015-2020年，中國功率半導(dǎo)體分立器件產(chǎn)量和產(chǎn)值均呈現(xiàn)持續(xù)上漲的趨勢。2020年，中國功率半導(dǎo)體分立器件產(chǎn)量為4885億只，較2019年同比增長8%。2020年，中國功率半導(dǎo)體分立器件產(chǎn)值達到165.6億元，較2019年同比增長3%。
2、MOSFET產(chǎn)品優(yōu)勢凸顯、需求量大
功率半導(dǎo)體分立器件可以進一步劃分為功率二極管、功率晶體管和功率晶閘管三大類，其中BIT、GTR、MOSFET和IGBT均屬于功率晶體管的范疇，SCR、GTO和IGCT則屬于功率晶閘管的范圍內(nèi)。功率晶體管中，MOSFET和IGBT屬于全控型分立器件，MOSFET根據(jù)應(yīng)用特性的不同，還包括平面型功率MOSFET、溝槽型功率MOSFET、超結(jié)功率MOSFET和屏蔽柵功率MOSFET等多種類型。
MOSFET在分立功率半導(dǎo)體器件當中排名首位，2019年占市場規(guī)模的36.3%，其次為二極管、其他三極管(包括IGBT)及晶閘管，市場份額分別為32.2%、26.0%及5.5%。
MOSFET的優(yōu)勢在于開關(guān)速度快、輸入阻抗高、熱穩(wěn)定性好、所需驅(qū)動功率小且驅(qū)動電路簡單、工作頻率高以及不存在二次擊穿問題等方面;而功率二極管具有結(jié)構(gòu)和原理簡單、工作可靠的優(yōu)勢?；诋a(chǎn)品自身的特點和優(yōu)勢，MOSFET和二極管在功率分立器件市場中占據(jù)近70%的市場規(guī)模。在MOSFET下游應(yīng)用的快速發(fā)展基礎(chǔ)下，按MOSFET銷售額劃分的市場規(guī)模已由2015年的37億美元增至2019年的53億美元，復(fù)合年增長率約9.2%。
3、功率分立器件市場規(guī)模將繼續(xù)增長
展望未來，依據(jù)全球需求的普遍上升，加上中國制造分立器件如MOSFET、二極管及三極管的龐大產(chǎn)能，中國功率半導(dǎo)體分立器件市場規(guī)模預(yù)期將會持續(xù)增長。預(yù)計到2026年，中國功率半導(dǎo)體分立器件產(chǎn)量將超過16000億只，產(chǎn)值將超過500億元。
