近日，博世宣稱，計劃在2022年將追加超4億歐元投資，擴建芯片廠。這是它在德累斯頓晶圓廠落成不久后在半導(dǎo)體領(lǐng)域的進一步舉動，為的是能夠更好地應(yīng)對全球芯片供需缺口。

 

根據(jù)博世中國總裁陳玉東的說法，上半年芯片短缺程度在20%，7、8月份最短缺，短缺度達到了80%以上，到9、10月份情況雖稍微好轉(zhuǎn)，但滿足率仍不超過50%。到明年芯片供應(yīng)滿足率會恢復(fù)到今年上半年以前的情況，也就是缺貨10%到20%，而且這將是一個常態(tài)。

 

而且由于芯片生產(chǎn)是一個長周期投入的過程，晶圓從生產(chǎn)到封測需要4-6個月的周期，因此追加產(chǎn)能需要時間。缺芯的影響將持續(xù)到2022年。并且缺芯影響的范圍非常廣。因為源頭晶圓出現(xiàn)缺少的情況，車規(guī)級MCU芯片、電源管理芯片、通信芯片、BMS芯片、攝像頭使用的芯片等均被影響到。其中MCU類芯片最短缺。

 

在芯片緊張的大背景下，博世再度拿出4億歐元擴建位于德累斯頓和羅伊特林根的晶圓廠以及位于馬來西亞檳城的半導(dǎo)體測試中心。

 

 

大部分投資將專用于博世在德累斯頓的新300mm（12英寸）晶圓廠，2022年該廠的產(chǎn)能將得到進一步提升。明年，約5000萬歐元將被用于建設(shè)毗鄰斯圖加特的羅伊特林根晶圓廠。

 

同時，博世將在馬來西亞檳城新建半導(dǎo)體測試中心，進行半導(dǎo)體芯片和傳感器的測試。測試中心的占地面積約為14000平方米，含潔凈室、辦公區(qū)、研發(fā)中心以及培訓(xùn)場所，最多可容納400名員工。測試中心計劃于2023年投入使用。

 

2021至2023年間，博世將累計投資1.5億歐元在羅伊特林根增建無塵車間。

 

目前，羅伊特林根擁有35000平方米無塵車間，在此基礎(chǔ)上，將分兩個階段增建4000多平方米無塵車間。

 

具體而言，第一階段為改建1000平方米的200mm（8英寸）晶圓生產(chǎn)區(qū)，總生產(chǎn)面積將增加至11500平方米。目前該階段已經(jīng)完工，主要工程包括在近幾個月內(nèi)把辦公區(qū)域改建成無塵車間，并用連廊將其與現(xiàn)有晶圓廠連通，該新擴建的生產(chǎn)區(qū)已于九月投產(chǎn)。博世200mm晶圓的產(chǎn)能從此提升了約10%。該工程在2021年的資金投入已達5000萬歐元。此舉有助于博世精準應(yīng)對MEMS傳感器（微機電傳感器）和碳化硅功率半導(dǎo)體的供需缺口。

 

擴建工程第二階段的計劃是在2023年年底前增設(shè)3000平方米無塵車間。針對第二階段的擴建，博世將在2022年和2023年均投入約5000萬歐元。此外，博世還將在羅伊特林根工廠提供150個半導(dǎo)體開發(fā)相關(guān)工作機會。

 

 

博世最開始生產(chǎn)的是150mm（6英寸）的晶圓片，逐步發(fā)展到200mm，以及2010年的時候，200mm開始落地生產(chǎn)，2018年在德國德累斯頓開始300mm晶圓片的生產(chǎn)。

 

自2010年，博世引入200mm晶圓技術(shù)，在羅伊特林根和德累斯頓兩個晶圓廠的投資已達25億歐元。

 

150mm和200mm晶圓由羅伊特林根工廠生產(chǎn)，以此為基礎(chǔ)它每天要生產(chǎn)150萬個專用集成電路和400萬個MEMS傳感器。2019年10月該工廠正式宣布其開始碳化硅相關(guān)業(yè)務(wù)，主要生產(chǎn)碳化硅的晶圓以及MOSFET。

 

6月7日，博世宣布耗資10億歐元的德累斯頓晶圓廠已正式落成。7月它開始生產(chǎn)300mm晶圓，比原計劃提早了六個月，首先用于博世電動工具。面向汽車客戶的芯片于9月開始生產(chǎn)，比原計劃提前了三個月。這家工廠主要生產(chǎn)汽車專用集成電路（ASICs）和功率半導(dǎo)體產(chǎn)品，核心工藝是65nm，主要產(chǎn)品是制造300mm晶圓，單片晶圓可生產(chǎn)超過30000顆芯片。

 

博世將投放市場的首批產(chǎn)品將是750V和1200V電壓的功率半導(dǎo)體。它們針對系統(tǒng)電壓通常約為400V或800V的電力電子設(shè)備。

 

在電驅(qū)動領(lǐng)域，博世正在開發(fā)800V電驅(qū)動系統(tǒng)，峰值功率260kW，采用扁線繞組、水冷技術(shù)和碳化硅功率模塊技術(shù)。