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華微電子:公司正在積極布局以SiC和GaN為代表的第三代半導(dǎo)體器件技術(shù)

日期:2021-10-20 閱讀:271
核心提示:公司看好未來幾年硅基產(chǎn)品的市場增長,目前公司正在積極布局以SiC和GaN為代表的第三代半導(dǎo)體器件技術(shù)。
10月19日,華微電子在互動(dòng)平臺(tái)上表示,“碳達(dá)峰,碳中和“助力功率半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新,其性能的提高和應(yīng)用技術(shù)的創(chuàng)新對(duì)實(shí)現(xiàn)目標(biāo)有著重要的作用。公司看好未來幾年硅基產(chǎn)品的市場增長,目前公司正在積極布局以SiC和GaN為代表的第三代半導(dǎo)體器件技術(shù)。

此外,有投資者詢問,貴司車用igbt是否達(dá)到國際先進(jìn)水平,滿足國產(chǎn)替代需求。與國際頂級(jí)產(chǎn)商英飛凌,有多少差距?華微電子表示,公司IGBT產(chǎn)品為第六代IGBT產(chǎn)品,公司IGBT產(chǎn)品主要應(yīng)用在工業(yè)控制、白色家電、小家電和汽車領(lǐng)域。
資料顯示,華微電子主要從事功率半導(dǎo)體器件的設(shè)計(jì)研發(fā)、芯片制造、封裝測試、銷售等業(yè)務(wù)。華微電子堅(jiān)持生產(chǎn)、研發(fā)、儲(chǔ)備相結(jié)合的技術(shù)開發(fā)戰(zhàn)略,不斷向功率半導(dǎo)體器件的中高端技術(shù)及應(yīng)用領(lǐng)域拓展;已建立從高端二極管、單雙向可控硅、MOS系列產(chǎn)品到第六代IGBT國內(nèi)最齊全、最具競爭力的功率半導(dǎo)體器件產(chǎn)品體系,正逐步由單一器件供應(yīng)商向整體解決方案供應(yīng)商轉(zhuǎn)變;同時(shí)華微電子積極向新能源汽車、變頻家電、工業(yè)和光伏新興領(lǐng)域快速拓展,并已取得良好效果,為持續(xù)發(fā)展奠定了堅(jiān)實(shí)的基礎(chǔ)。
 
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