據外媒報道，三星日前宣布3納米制程將自2022年量產，更先進的2納米制程于2025年量產。三星3納米制程比原定2021年投產時間延后約一年。
三星原本計劃今年開始3納米制程生產處理速度更快、能效更高的芯片，但6日三星在“Samsung Foundry Forum”表示，轉移到全新制造技術的難度很高，3納米制程將在2022上半年推出。代表三星客戶將到2022年才能使用最先進技術。已知三星晶圓代工客戶包括手機芯片廠商高通、服務器處理器設計廠商IBM、GPU大廠英偉達及三星自家芯片產品。
雖然3納米制程延后，但三星強調，更先進的2納米制程技術將如期在2025年推出，并2026年開始大量生產產品。三星表示，2納米制程技術將使芯片性能、能效及電子產品小型化繼續邁進，這也是三星第一次談到2納米制程的量產時程。
相較三星延后推出3納米制程，晶圓代工龍頭臺積電也傳出可能延遲的消息。臺積電沒有回應，僅表示一切依時程進行。臺積電與三星傳出3納米制程延遲推出，外界評估可讓處理器龍頭英特爾較緩解壓力。英特爾2021年宣布重返晶圓代工市場，將與臺積電、三星兩家廠商競爭，對手傳出延后推出先進制程，對時程相對落后的英特爾顯然是好消息。
外電報道強調，隨著個人電腦銷量成長，加上智能手機增加，以及資料中心線上服務量不斷提升，市場對芯片的需求超過產能。三星代工事業部高層表示，“芯片短缺問題要到2022年才會緩解。盡管三星繼續投資，其他代工廠商也在增加產能，但我們看來供需不平衡會再持續6~9個月。”
發展新一代制程技術方面，因進展到新一代芯片制造技術的過程非常復雜，單芯片由數十億個比塵埃還小的電晶體組成，晶圓代工廠需在硅晶圓上蝕刻電路圖，需要數十個甚至上百個步驟、耗時數月完成。三星強調，芯片制造技術進步將使電晶體縮小，就能把更多晶體管壓縮到一個芯片，提高處理速度并降低功耗，這也是三星3納米制程用新一代全環繞柵極(GAA)制程的原因。
三星強調，與5納米制程相較，三星首個3納米GAA制程技術將允許芯片面積減少35%，性能提高30%或功耗降低50%。除了功耗、性能和面積(PPA)改進，隨著制程技術成熟，3納米良率正在接近4納米制程。三星預計2022年推出第一代3納米3GAE制程技術，2023年推出更新一代的3納米3GAP制程技術，2025年以2納米2GAP制程技術投產。
除三星外，其他晶圓代工廠也在發展GAA制程。英特爾2020年6月國際VLSI會議，技術長Mike Mayberry就說明制程技術轉移到GAA技術設計下，增強靜電。當時英特爾告知5年內采用GAA技術。臺積電方面，預計2納米制程采用GAA技術，代表著臺積電能將FinFET技術壽命延長至3納米制程。臺積電正式推出2納米制程確切時間目前仍不確定，因曾表示5納米和3納米將是長壽制程節點。
