碳化硅（SiC）被認為是最重要的寬禁帶半導體材料之一，具有禁帶寬度大，擊穿電場高、熱導率高、電子飽和速率高、抗輻射能力強等優越性質。基于SiC材料制備的半導體器件不僅能在更高的溫度下穩定運行，而且在高電壓、高頻率狀態下也具有更高的可靠性。近20年來，隨著材料生長技術、制造工藝與器件物理的迅速發展 SiC材料及器件在雷達、5G通訊、電動汽車等領域獲得了廣泛應用，對國防工業發展、國家信息安全、國民經濟建設均產生了極其重要的影響。

 

今年，每兩年一屆的全國寬禁帶半導體學術會議（WBSC）迎來了第四屆將在美麗的鷺島廈門舉辦。由中國有色金屬學會寬禁帶半導體專業委員會、中國電子學會電子材料學分會、第三代半導體產業技術創新戰略聯盟共同主辦，廈門大學和南京大學聯合承辦。
 

屆時，大會強大的專家團隊將與來自國內寬禁帶半導體領域學術界、產業界的專家學者、科研人員、企業代表等，將圍繞寬禁帶半導體材料生長技術、材料結構與物性、光電子和電子器件研發以及相關設備研發等領域開展廣泛探討，促進產學研用的深度交流與合作。本次會議將對我國寬禁帶半導體材料與器件的學術研究、技術進步、產業發展起到有力的推動作用。

 

據了解，本屆大會以“芯動力·新征程--寬禁帶半導體的機遇與挑戰”為主題，由廈門大學校長張榮教授與第三代半導體產業技術創新戰略聯盟吳玲理事長共同擔任大會主席。同時，邀請了強大的顧問委員會、程序委員會、組織委員會專家團。

 

據組委會最新消息，山東大學徐現剛教授將出席大會并帶來題為“碳化硅單晶襯底的研究進展及發展趨勢”的主題報告。報告以SiC單晶襯底為主要研究對象，簡要介紹其基本性質、研發歷史和制備方法，并結合晶體材料國家重點實驗室的SiC襯底相關研究工作概述研究、產業的現狀和面臨挑戰，并對國產SiC單晶襯底的發展進行展望。

 

徐現剛，師從于蔣民華院士，主要從事半導體材料制備及其應用研究的工作。 自1989年至今一直從事MOCVD化合物半導體薄膜材料的生長及器件應用工作，制備出多種量子異質結構材料，應用到多種半導體器件如：半導體激光器、發光二極管等。積極響應國家號召，踐行產學研結合，把科技創新的成果產業化；自2000年開始SiC單晶生長和加工工作，先后突破了2~6英寸SiC單晶的生長與襯底加工技術，解決了超硬SiC單晶襯底的加工難題，制備出基于SiC襯底的GaN超高亮度發光二極管。先后承擔了多項863、973、國家重大專項等課題。 獲得多項表彰和獎勵，至今已發表超過150篇相關論文及會議報告。

 

更多詳情見大會官網：www.wbsc.org.cn