日前，盛美半導體發布了一款300mm晶圓單片SPM（硫酸和過氧化氫混合酸）設備。
圖片來源：盛美半導體官微
盛美半導體設備官微顯示，300mm晶圓單片SPM設備可廣泛應用于先進邏輯、DRAM，3D-NAND等集成電路制造中的濕法清洗和刻蝕工藝，尤其針對處理高劑量離子注入后的光刻膠（PR）去除工藝，以及金屬刻蝕、剝離工藝。該新設備拓展了盛美半導體的SPM工藝產品，覆蓋了高溫SPM的工藝步驟，隨著技術節點推進到10nm及以下，這些步驟數量將越來越多。
據官微介紹，新型單片高溫SPM設備使用獨特的多級梯度加熱系統來預熱硫酸，將硫酸與過氧化氫混合以達到超高溫。同時，盛美半導體腔體支持配置其他多種化學品，并配備在線化學品混酸（CIM）系統，可用于動態設置工藝中的化學品配比及溫度。該腔體配置還可支持更多的化學品和靈活的輔助清洗方案，比如盛美半導體獨有的專利技術SAPS和TEBO兆聲波技術。
盛美半導體董事長王暉表示，單片SPM設備是在Ultra C Tahoe設備基礎上而開發。開發的單片SPM設備，對Tahoe設備已被驗證的工藝能力做了進一步補充，增加了高溫SPM工藝能力，也進一步豐富了濕法產品系列。
王暉進一步表示，公司將以成為全球主要的清洗解決方案供應商為目標，會繼續開發新的工藝能力，包括先進的高溫IPA干燥技術和超臨界二氧化碳干燥技術。
