相比于傳統Si材料，以SiC、GaN為代表的第三代半導體更適合于高壓、高溫、高頻、大功率應用，是新能源車、高速鐵路、5G基站、充電樁、高壓輸電的核心器件。
從國際上來看，SiC產業鏈已經完備，產業化成熟。Cree 、意法半導體等各大公司壟斷市場，并繼續加大投入，擴大規模。從國內來看，缺少核心技術，SiC產業鏈條塊分割，技術處于初級水平，與國際領先水平相差10年以上。尤其是電力市場需求巨大，所需SiC器件完全依賴進口。SiC器件目前產值約6億美金，預計2022年即可翻一倍，達12億美金，增速非常快。
9月13-14日，“2021中國（南京）功率與射頻半導體技術市場應用峰會（CASICON 2021）”在南京召開。本屆峰會由半導體產業網、第三代半導體產業主辦，并得到了南京大學、第三代半導體產業技術創新戰略聯盟的指導。
會上，復旦大學青年研究員樊嘉杰博士帶來了“SiC功率器件先進封裝材料及可靠性優化設計”的主題報告，報告指出隨著電子封裝技術向微型化、高密度、集成化、高可靠方向發展，芯片級封裝、系統級封裝、系統級芯片、三維立體封裝將陸續在碳化硅（SiC）功率模塊封裝中被采用。
先進封裝及可靠性技術是保證寬禁帶半導體性能優勢并實現長期有效服役的關鍵，屬于第三代半導體產業亟待解決的卡脖子問題，因此，急需對復雜使役條件下SiC功率模塊新型封裝工藝、材料、失效機理和可靠性等基礎問題展開前瞻性探索。報告從第三代半導體發展現狀、功率器件及模塊封裝形式的發展趨勢、先進封裝材料的發展趨勢、封裝可靠性設計及優化方法等四個方面展開介紹了最新研究進展。
其中，從功率器件及模塊封裝形式的發展趨勢來看，先進封裝的目的是提升功能密度、縮短互連長度、提升系統性能、降低整體功耗。隨著系統級別要求的不斷提升，“定制化” 成為“主流”。
嘉賓簡介
樊嘉杰，香港理工大學和美國馬里蘭大學聯合培養博士，荷蘭代爾夫特理工大學博士后/CSC公派訪問學者/客座研究員。主要研究方向：第三代半導體封裝及可靠性。迄今共發表學術論文110余篇；申請/授權專利20余項；主持起草ISA國際標準1項、參與起草國家標準和CSA聯盟標準多項。獲全國“第三代半導體卓越創新青年”稱號、入選江蘇省科協 “青年科技人才托舉工程”、江蘇省第十五批“六大人才高峰”高層次人才等。
