9月13-14日，“2021中國(guó)（南京）功率與射頻半導(dǎo)體技術(shù)市場(chǎng)應(yīng)用峰會(huì)（CASICON 2021）”在南京召開(kāi)。本屆峰會(huì)由半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)主辦，并得到了南京大學(xué)、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟的指導(dǎo)。
六方氮化硼(h-BN)屬六方晶系，其結(jié)構(gòu)屬于類(lèi)石墨結(jié)構(gòu)，常被成為“白石墨烯”層間B原子和N原子之間導(dǎo)致結(jié)構(gòu)非常穩(wěn)定。h-BN是一種具有優(yōu)異的物理化學(xué)性質(zhì)，應(yīng)用潛力巨大的超寬禁帶半導(dǎo)體。
h-BN具有本征吸收限低(210 nm),對(duì)紫外波段具有良好的透過(guò)效果；熱導(dǎo)率高(600 W/m·k)可以提高器件的散熱性能；介電常數(shù)小，這可以保證器件的寄生電容較小，具有更低的噪聲和更快的響應(yīng)時(shí)間；III族氮化物，有助于部分器件有源層材料晶體質(zhì)量的提升；可通過(guò)摻雜金屬調(diào)整折射率等特點(diǎn)。基于hBN的電阻開(kāi)關(guān)在5G和太赫茲通信方面應(yīng)用潛力巨大。
會(huì)上，西安交通大學(xué)副教授李強(qiáng)做了題為“大面積hBN薄膜制備及電阻開(kāi)關(guān)特性研究”的主題報(bào)告，從大面積hBN薄膜的制備、hBN薄膜的表征、hBN薄膜的應(yīng)用等角度詳細(xì)分享了研究成果。
報(bào)告指出，通過(guò)三明治結(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì)進(jìn)行電阻開(kāi)關(guān)特性的測(cè)試，從實(shí)驗(yàn)上驗(yàn)證了磁控濺射制備大面積氮化硼薄膜具有電阻開(kāi)關(guān)行為，為BN作為RRAM材料奠定了基礎(chǔ)。
研究結(jié)果顯示采用濺射法制備了高質(zhì)量的 hBN 薄膜并研究了薄膜的特性。制備的 hBN 薄膜可以在大面積上獲得良好的光滑度。濺射制備的 hBN 薄膜的 RS 行為首先在 Ag/hBN/Al 結(jié)構(gòu)中觀察到。Al摻雜BN薄膜的RS-window明顯增加。
嘉賓簡(jiǎn)介
李強(qiáng)，從事寬禁帶半導(dǎo)體材料與器件研究，主要研究方向：氧化物半導(dǎo)體材料（氧化銦錫ITO）和超寬禁帶半導(dǎo)體材料（氮化硼B(yǎng)N）的制備與器件應(yīng)用。第一發(fā)明人擁有國(guó)家授權(quán)發(fā)明專(zhuān)利11項(xiàng)，在國(guó)內(nèi)外重要期刊上發(fā)表學(xué)術(shù)論文50余篇。主持國(guó)家及省部級(jí)項(xiàng)目6項(xiàng)，主講國(guó)家一流本科生課程1門(mén)，陜西省精品課程1門(mén)，作為主編之一編寫(xiě)專(zhuān)著1部。
