9月13-14日，“2021中國（南京）功率與射頻半導體技術市場應用峰會（CASICON 2021）”在南京召開。本屆峰會由半導體產業(yè)網(wǎng)、第三代半導體產業(yè)主辦，并得到了南京大學、第三代半導體產業(yè)技術創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟的指導。
GaN基垂直腔面發(fā)射激光器（VCSEL）由于在微顯示、固態(tài)照明、高密度光存儲、高分辨率打印以及生物傳感等方面有著廣泛的應用前景，吸引了眾多研究者的注意。相比于邊發(fā)射激光器，VCSEL具有閾值低、發(fā)散角小、調制速率高、以及輸出光束呈圓對稱等優(yōu)點，且可制備成高密度二維器件陣列。在近20年中，GaN基VCSEL相關研究取得快速進展, 已成為下一代半導體激光器的研究熱點，多家大型企業(yè)如日亞、索尼、松下、斯坦雷電器等都已開始相關布局。目前，發(fā)光波長覆蓋從紫光至綠光波段的GaN基VCSEL均已實現(xiàn)電注入激射，藍光波段器件性能已接近實用化水平。在紫外方面，UVC-UVA波段的GaN基VCSEL也已實現(xiàn)光泵浦激射。
廈門大學電子科學與技術學院助理教授梅洋分享了題為“氮化鎵基VCSEL技術進展”的主題視頻報告，報告指出，GaN基VCSEL目前關鍵技術難點主要在于高反射率布拉格反射鏡（DBR）的外延生長、器件內部橫向光場調控、高效電流注入、以及器件散熱等。報告著重介紹了在藍光、綠光、以及紫外VCSEL中取得的最新研究進展、諧振腔內光場及損耗的調控、以及改善器件散熱性能的有效方法。
