9月13-14日，“2021中國（南京）功率與射頻半導體技術市場應用峰會（CASICON 2021）”在南京召開。本屆峰會由半導體產業網、第三代半導體產業主辦，并得到了南京大學、第三代半導體產業技術創新戰略聯盟的指導。

 

會上，北京大學物理學院高級工程師楊學林帶來了“Si襯底上GaN基電子材料外延生長技術研究進展”的主題視頻報告，報告提出采用Ga空位工程，在Si（111）襯底上實現高質量的GaN厚膜。研究了C雜質與位錯相互作用，獲得高遷移率GaN薄膜材料。揭示了AlN/Si界面寄生電導的產生機理并提出抑制方法。

 

 

楊學林，近年來在Si襯底上GaN基材料的MOCVD外延生長、C雜質的摻雜調控、缺陷影響電子器件可靠性的機理研究等方面取得了多項進展。在知名期刊上共發表SCI論文70多篇，申請/授權國家發明專利10多件。