2021年9月13-14日，由南京大學(xué)、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟指導(dǎo)，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)主辦的“2021中國（南京）功率與射頻半導(dǎo)體技術(shù)市場應(yīng)用峰會（CASICON 2021）”將在南京城市名人酒店召開。會議圍繞碳化硅、氮化鎵、砷化鎵、氧化鎵、金剛石等材料在電力電子、5G射頻領(lǐng)域的技術(shù)進(jìn)展與創(chuàng)新應(yīng)用，助推相關(guān)領(lǐng)域市場產(chǎn)品國產(chǎn)化替代。
屆時，南砂晶圓研發(fā)主任/山東大學(xué)副教授彭燕將受邀出席峰會，并帶來題為“碳化硅與金剛石單晶襯底技術(shù)與產(chǎn)業(yè)化研究”的主題報告，分享最新研究成果。
基于金剛石材料進(jìn)展，越來越多的研究開始關(guān)注金剛石材料的位錯表征與分析，探索位錯密度降低方法，揭示缺陷對材料、器件性能的影響。其中利用微波等離子體的選擇性蝕刻可以快速有效的識別金剛石中的位錯類型、密度和分布，是揭示、分析位錯的方法之一。報告分享了微波等離子體刻蝕金剛石研究，通過等離子體刻蝕后的刻蝕坑形貌發(fā)現(xiàn)有兩類缺陷存在，一類是由于襯底表面狀態(tài)和拋光步驟引入的缺陷，一類是襯底內(nèi)部固有的缺陷。金剛石表面由于研磨等加工步驟會引入表面損傷。結(jié)果顯示等離子體刻蝕法是有效評價金剛石表面加工質(zhì)量的方法。
欲知詳細(xì)最新研究進(jìn)展與數(shù)據(jù)成果，敬請關(guān)注峰會，也歡迎相關(guān)領(lǐng)域?qū)＜摇W(xué)者、行業(yè)企事業(yè)單位參會交流，共商合作事宜。
【嘉賓簡介】
彭燕，凝聚態(tài)物理博士，山東大學(xué)副教授/博士研究生導(dǎo)師，廣州南砂晶圓半導(dǎo)體技術(shù)有限公司研發(fā)中心主任。主要從事寬禁帶半導(dǎo)體材料研究工作，重點(diǎn)研究SiC、金剛石材料的制備、表征及應(yīng)用研究，先后主持/參與國家基礎(chǔ)研究計劃、973、核高基及自然科學(xué)基金項目等10余項，發(fā)表SCI論文40余篇，申請/授權(quán)專利近30項。
贊助支持單位
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【組織機(jī)構(gòu)】
指導(dǎo)單位
南京大學(xué)
第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟
主辦單位
半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)
第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè) 公號
承辦單位
北京麥肯橋新材料生產(chǎn)力促進(jìn)中心有限公司
贊助支持單位
藍(lán)雨軟件技術(shù)開發(fā)(上海)有限公司
愛發(fā)科商貿(mào)(上海)有限公司
寧波恒普真空技術(shù)有限公司
蘇州晶湛半導(dǎo)體有限公司
青島聚能創(chuàng)芯微電子有限公司
德儀國際貿(mào)易(上海)有限公司
大族激光顯示與半導(dǎo)體裝備事業(yè)部
上海翱晶半導(dǎo)體科技有限公司
上海智湖信息技術(shù)有限公司
蕪湖啟迪半導(dǎo)體有限公司
湖南國芯半導(dǎo)體科技有限公司
【時間地點(diǎn)】
時間：2021年9月13-14日
地點(diǎn)：南京·城市名人酒店（江蘇省南京市鼓樓區(qū)中山北路30號）
如果您想?yún)梢灾苯訏叽a預(yù)報名，我們會第一時間和您聯(lián)系！
【會議安排】
【報告嘉賓&主題報告】
報告嘉賓：陳堂勝--中國電科首席科學(xué)家/微波毫米波單片集成和模塊電路重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室主任
主題報告：低溫鍵合金剛石GaN HEMT微波功率器件
報告嘉賓：陳敦軍--南京大學(xué)電子科學(xué)與工程學(xué)院副院長、教授
報告嘉賓：程新紅--中科院上海微系統(tǒng)研究所研究員
主題報告：SOI基GaN材料及功率器件集成技術(shù)
報告嘉賓：鄧小川--電子科技大學(xué)教授
主題報告：極端應(yīng)力下碳化硅功率MOSFET的動態(tài)可靠性研究
報告嘉賓：惠 峰--云南鍺業(yè)公司首席科學(xué)家/中科院半導(dǎo)體所研究員
報告嘉賓：陳 鵬--南京大學(xué)教授
報告嘉賓：倪煒江--安徽芯塔電子科技有限公司 總經(jīng)理
報告嘉賓：李 強(qiáng)--西安交通大學(xué)副教授
報告嘉賓：吳 彤--安森美首席SiC 專家
報告嘉賓：吳 亮--奧趨光電CEO
報告嘉賓：張保平--廈門大學(xué)電子科學(xué)與技術(shù)學(xué)院 副院長、教授
報告嘉賓：蔚 翠--中電科第十三研究所研究員
報告嘉賓：左 超--愛發(fā)科商貿(mào)（上海）有限公司電子營業(yè)部部長
報告嘉賓：王祁玉--益豐電子副總經(jīng)理
報告嘉賓：袁 理--青島聚能創(chuàng)芯微電子有限公司
報告嘉賓：劉 雯--西交利物浦大學(xué)副教授
報告嘉賓：英諾賽科科技股份有限公司
報告嘉賓：彭 燕--南砂晶圓研發(fā)中心主任，山東大學(xué)副教授
報告嘉賓：葉念慈--三安集成技術(shù)市場總監(jiān)
報告嘉賓：童吉楚--乾照激光副總經(jīng)理
報告嘉賓：向鵬博士--蘇州晶湛半導(dǎo)體有限公司研發(fā)經(jīng)理
報告嘉賓：楊學(xué)林--北京大學(xué)物理學(xué)院高級工程師
主題報告：Si襯底上GaN基電子材料外延生長技術(shù)研究進(jìn)展
報告嘉賓：徐尉宗--南京大學(xué)研究員
主題報告：面向高可靠性、高能效應(yīng)用的GaN HEMT增強(qiáng)型器件技術(shù)
報告嘉賓：郭宇鋒--南京郵電大學(xué)副校長、教授
主題報告：Off-state Characterization of AlGaN/GaN HEMT via Artificial Neural Network
更多報告嘉賓正在確認(rèn)中！！！
1、9月13日報告（陸續(xù)更新中）
報告嘉賓：于坤山 第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟秘書長
主題報告：中國功率與射頻技術(shù)市場現(xiàn)狀及未來展望
報告嘉賓：陳堂勝--中國電科首席科學(xué)家/微波毫米波單片集成和模塊電路重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室主任
主題報告：低溫鍵合金剛石GaN HEMT微波功率器件
報告嘉賓：陳敦軍--南京大學(xué)電子科學(xué)與工程學(xué)院副院長、教授
主題報告：GaN功率開關(guān)器件及其高頻電源應(yīng)用
報告嘉賓：劉斯揚(yáng)--東南大學(xué)教授
主題報告：SiC功率MOSFET器件可靠性研究進(jìn)展
報告嘉賓：龍世兵--中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)微電子學(xué)院執(zhí)行院長
主題報告：SiC功率MOSFET器件可靠性研究進(jìn)展
報告嘉賓：龍世兵--中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)微電子學(xué)院執(zhí)行院長
主題報告：低成本高性能氧化鎵功率器件
報告嘉賓：Dr Simon Li--Founding director, Crosslight Software Inc and GaNPower Intl. Inc
主題報告：Pushing GaN power devices to the limit - A material and TCAD perspective
報告嘉賓：Dr Simon Li--Founding director, Crosslight Software Inc and GaNPower Intl. Inc
主題報告：Pushing GaN power devices to the limit - A material and TCAD perspective
報告嘉賓：戴小平-湖南國芯科技總經(jīng)理
主題報告：淺析SiC模塊封裝技術(shù)
報告嘉賓：Yuhao Zhang 美國弗吉尼亞理工大學(xué)電力電子系統(tǒng)中心助理研究員
主題報告：1.2-10 kV GaN Power Devices Exceeding SiC Limit
報告嘉賓：Yuhao Zhang 美國弗吉尼亞理工大學(xué)電力電子系統(tǒng)中心助理研究員
主題報告：1.2-10 kV GaN Power Devices Exceeding SiC Limit
報告嘉賓：龔平--西安唐晶量子科技有限公司董事長
主題報告：6 inch GaAs 基 VCSEL 和 射頻外延技術(shù)
報告嘉賓：紐應(yīng)喜--啟迪半導(dǎo)體研發(fā)總監(jiān)
主題報告：碳化硅外延裝備及技術(shù)進(jìn)展
報告嘉賓：張 云--天津大學(xué)電氣自動化與信息工程學(xué)院教授
主題報告：新能源汽車電力電子系統(tǒng)及其運(yùn)行控制
2、9月14日報告（陸續(xù)更新中）
報告嘉賓：程新紅--中科院上海微系統(tǒng)研究所研究員
主題報告：SOI基GaN材料及功率器件集成技術(shù)
報告嘉賓：鄧小川--電子科技大學(xué)教授
主題報告：極端應(yīng)力下碳化硅功率MOSFET的動態(tài)可靠性研究
報告嘉賓：惠 峰--云南鍺業(yè)公司首席科學(xué)家/中科院半導(dǎo)體所研究員
主題報告：VCSEL用六英寸超低位錯密度砷化鎵單晶片研制及應(yīng)用
報告嘉賓：陳 鵬--南京大學(xué)教授
主題報告：GaN肖特基功率器件新進(jìn)展
報告嘉賓：Yuhao Zhang 美國弗吉尼亞理工大學(xué)電力電子系統(tǒng)中心助理教授
主題報告：Packaging Enabled Thermal Management of Ga2O3 Devices
報告嘉賓：倪煒江--安徽芯塔電子科技有限公司 總經(jīng)理
主題報告：高性能高壓碳化硅功率器件設(shè)計與技術(shù)
報告嘉賓：李 強(qiáng)--西安交通大學(xué)副教授
主題報告：基于HBN 的射頻器件
報告嘉賓：吳 彤--安森美首席SiC 專家
主題報告：Adopt of SiC devices in EV applications
報告嘉賓：吳 亮--奧趨光電CEO
主題報告：AlN/AlScN材料制備技術(shù)及其在5GRFFE濾波及功率器件等領(lǐng)域應(yīng)用前景展望
報告嘉賓：張保平--廈門大學(xué)電子科學(xué)與技術(shù)學(xué)院 副院長、教授
主題報告：氮化鎵基VCSEL技術(shù)進(jìn)展
報告嘉賓：蔚 翠--中電科第十三研究所研究員
主題報告：金剛石微波功率器件研究
報告嘉賓：左 超--愛發(fā)科商貿(mào)（上海）有限公司電子營業(yè)部部長
主題報告：量產(chǎn)高性能功率與射頻器件的ULVAC裝備技術(shù)
報告嘉賓：裴軼/Amgad Alsman--蘇州能訊高能半導(dǎo)體有限公司技術(shù)副總裁/中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)
主題報告：基于物理的5G射頻GaN 晶體管模型、趨勢和挑戰(zhàn)
報告嘉賓：王祁玉--益豐電子副總經(jīng)理
主題報告：射頻器件（TBD）
報告嘉賓：袁 理--青島聚能創(chuàng)芯微電子有限公司
主題報告：面向快充應(yīng)用的GaN材料和器件技術(shù)
報告嘉賓：劉 雯--西交利物浦大學(xué)副教授
主題報告：硅基GaN MIS-HEMT 單片集成技術(shù)
報告嘉賓：黃潤華--中電科五十五所副主任設(shè)計師
主題報告：碳化硅MOSFET技術(shù)問題及55所產(chǎn)品開發(fā)進(jìn)展
報告嘉賓：黃潤華--中電科五十五所副主任設(shè)計師
主題報告：碳化硅MOSFET技術(shù)問題及55所產(chǎn)品開發(fā)進(jìn)展
報告嘉賓：英諾賽科科技股份有限公司
主題報告：八英寸硅基氮化鎵技術(shù)進(jìn)展（TBD）
報告嘉賓：葉建東--南京大學(xué)教授
主題報告：氧化鎵基雙極型異質(zhì)結(jié)功率器件研究
主題報告：氧化鎵基雙極型異質(zhì)結(jié)功率器件研究
報告嘉賓：彭 燕--南砂晶圓研發(fā)中心主任，山東大學(xué)副教授
主題報告：碳化硅與金剛石單晶襯底技術(shù)與產(chǎn)業(yè)化研究
報告嘉賓：葉念慈--三安集成技術(shù)市場總監(jiān)
主題報告：（TBD）
報告嘉賓：童吉楚--乾照激光副總經(jīng)理
主題報告：VCSEL 技術(shù) (TBD)
報告嘉賓：向鵬博士--蘇州晶湛半導(dǎo)體有限公司研發(fā)經(jīng)理
主題報告：用于新型GaN功率器件的外延技術(shù)進(jìn)展
報告嘉賓：楊學(xué)林--北京大學(xué)物理學(xué)院高級工程師
主題報告：Si襯底上GaN基電子材料外延生長技術(shù)研究進(jìn)展
報告嘉賓：Yuhao Zhang 美國弗吉尼亞理工大學(xué)電力電子系統(tǒng)中心助理教授
主題報告：Ruggedness of SiC MOSFETs and GaN HEMTs in Overvoltage Switching
報告嘉賓：徐尉宗--南京大學(xué)研究員
主題報告：面向高可靠性、高能效應(yīng)用的GaN HEMT增強(qiáng)型器件技術(shù)
報告嘉賓：郭宇鋒--南京郵電大學(xué)副校長、教授
主題報告：Off-state Characterization of AlGaN/GaN HEMT via Artificial Neural Network
報告嘉賓：樊嘉杰--復(fù)旦大學(xué)青年研究員
主題報告：SiC功率器件先進(jìn)封裝材料及可靠性優(yōu)化設(shè)計
更多報告嘉賓正在確認(rèn)中！！！
【擬參與單位】華為、中興、南京大學(xué)、三安光電、東南大學(xué)、英諾賽科、鍇威特、泰科天潤、基本半導(dǎo)體、捷捷微電、中微公司、蘇州納維、廈門大學(xué)、南砂晶圓、瀚天天成、蘇州晶湛、云南鍺業(yè)、Crosslight、英飛凌、GaNPower、安森美、許繼電氣、中車時代、國家電網(wǎng)、中芯集成、華潤微電子、南大光電、AIXTRON、中電科五十五所、中電科十三所 西安電子科技大學(xué)、江蘇能華、西安交通大學(xué)、北京大學(xué)，電子科技大學(xué)，河北同光、山東天岳、天津大學(xué)、聚能創(chuàng)芯，賽微電子，南京百識，唐晶量子，天科合達(dá)，漢驊半導(dǎo)體，南京百識，大族激光，德儀，江蘇三代半研究院等
【投稿】Oral或Poster ：500字左右擴(kuò)展摘要提交到 1957340190@qq.com。
【參會注冊 】注冊費(fèi) 2000 （會議資料，招待晚宴，自助餐）
開戶行：中國銀行北京科技會展中心支行
賬 號：336 356 029 261
名 稱：北京麥肯橋新材料生產(chǎn)力促進(jìn)中心有限公司
【參會/贊助/商務(wù)合作】
聯(lián)系人：賈先生18310277858，jiaxl@casmita.com
聯(lián)系人：賈先生18310277858，jiaxl@casmita.com
張小姐13681329411，zhangww@casmita.com
如果您想?yún)梢灾苯訏叽a預(yù)報名，我們會第一時間和您聯(lián)系！
協(xié)議酒店：城市名人酒店（協(xié)議價400，含早）
聯(lián)系人：王瑋18652978537，648231476@qq.com
防疫提示：會務(wù)組最新咨詢南京市衛(wèi)健委并得到答復(fù)，目前南京市全域均為低風(fēng)險區(qū)，進(jìn)出南京不需要核酸檢測證明，只要14天內(nèi)沒去過中高風(fēng)險區(qū)和出入境經(jīng)歷，體溫?zé)o異常情況下，均可持綠碼進(jìn)出南京參加會議。
聯(lián)系人：王瑋18652978537，648231476@qq.com
防疫提示：會務(wù)組最新咨詢南京市衛(wèi)健委并得到答復(fù)，目前南京市全域均為低風(fēng)險區(qū)，進(jìn)出南京不需要核酸檢測證明，只要14天內(nèi)沒去過中高風(fēng)險區(qū)和出入境經(jīng)歷，體溫?zé)o異常情況下，均可持綠碼進(jìn)出南京參加會議。
