2021年9月13-14日，由南京大學、第三代半導體產(chǎn)業(yè)技術創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟指導，半導體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)、第三代半導體產(chǎn)業(yè)主辦的“2021中國（南京）功率與射頻半導體技術市場應用峰會（CASICON 2021）”將在南京城市名人酒店召開。會議圍繞碳化硅、氮化鎵、砷化鎵、氧化鎵、金剛石等材料在電力電子、5G射頻領域的技術進展與創(chuàng)新應用，助推相關領域市場產(chǎn)品國產(chǎn)化替代。

 

屆時，南京大學副研究員徐尉宗將受邀出席峰會，并分享題為“面向高可靠性、高能效應用的GaN HEMT增強型器件技術”的主題報告。基于AlGaN/GaN異質(zhì)結界面二維電子氣制備的GaN HEMT器件，兼具高電流密度、高耐壓和高開關頻率優(yōu)勢，是新一代功率電子器件的優(yōu)選方案。為簡化柵極驅(qū)動設計，以及滿足器件失效安全，增強型GaN HEMT器件是基礎。目前商用增強型GaN HEMT器件主要有兩種，一種是基于p-GaN帽層結構溝道調(diào)控技術的增強型器件，一種是基于Si基增強型MOSFET的級聯(lián)型器件。相比于級聯(lián)型器件，p型帽層結構器件擁有更低的EMI、更小的動態(tài)開關損耗，以及更優(yōu)的功率品質(zhì)因子。目前狀態(tài)下，柵壓擺幅限制下的器件可靠性與能效已成為p型帽層結構增強型GaN HEMT器件所面臨的關鍵問題。

 

報告將從p-GaN帽層增強型器件柵壓擺幅受限的物理機制分析出發(fā)，結合新型柵極結構方案設計與實驗驗證，包括反向pn結帽層結構、極化摻雜p型帽層結構等，系統(tǒng)討論柵極設計對器件可靠性及動態(tài)損耗的影響規(guī)律，總結出潛在的面向高可靠性、高能效應用的GaN HEMT增強型器件技術。此外，本篇報告還將結合報告人所在團隊在GaN功率二極管方面的研究成果，總結介紹GaN功率二極管在可靠性與能效方面的關鍵問題與研究現(xiàn)狀。

 

欲知詳細最新研究進展與數(shù)據(jù)成果，敬請關注峰會，也歡迎相關領域?qū)＜?、學者、行業(yè)企事業(yè)單位參會交流，共商合作事宜。

 

徐尉宗，博士，南京大學電子科學與工程學院副研究員。分別于2012年、2017年在南京大學物理學院、電子科學與工程學院獲學士、博士學位。從事寬禁帶半導體材料與器件研究，主要研究方向：GaN基功率電子器件、寬禁帶半導體基光電子器件。在國內(nèi)外重要學術期刊上發(fā)表論文40余篇，其中以第一作者/通訊作者在IEEE EDL/TPE, Nano Letters等國際知名期刊上發(fā)表學術論文19篇，主持國家及省部級項目4項。