AlN具有超禁帶寬度、高熱導率、高擊穿場強、高熱穩定性及聲表面和體波速高等優異性能，是紫外光電器件、MEMS傳感器及高功率/高頻/高溫電子器件理想材料，同時也是5G射頻前端SAW/BAW/FBAR器件核心材料。在5G射頻前端BAW/FBAR器件領域，基于氮化鋁（AlN）的薄膜材料已經得到大規模應用；在5G射頻前端SAW器件領域，由于AlN相比傳統的LT/LN材料壓電系數較小，還難以得到大規模應用。為進一步提升AlN材料的壓電性能，提升濾波器性能，摻鈧AlN薄膜成為射頻濾波器首選高端壓電材料。
 

2021年9月13-14日，由南京大學、第三代半導體產業技術創新戰略聯盟指導，半導體產業網、第三代半導體產業主辦的“2021中國（南京）功率與射頻半導體技術市場應用峰會（CASICON 2021）”將在南京城市名人酒店召開。會議圍繞碳化硅、氮化鎵、砷化鎵、氧化鎵、金剛石等材料在電力電子、5G射頻領域的技術進展與創新應用，助推相關領域市場產品國產化替代。
 

屆時，奧趨光電CEO吳亮受邀將出席‘2021中國（南京）功率與射頻半導體技術市場應用峰會’，并分享《AlN/AlScN材料制備技術及其在5GRFFE濾波及功率器件等領域應用前景展望》主題報告。制備AlN/AlScN基高性能射頻濾波器件，高質量AlN/AlScN薄膜是基礎。報告將分析對比制備AlN/AlScN薄膜材料的相關工藝、優缺點及其當前成果等精彩內容。
 

欲知最新研究進展與成果，敬請關注峰會，也歡迎相關領域專家、學者、行業企事業單位參會交流，共商合作事宜。
 

吳亮，國際知名晶體生長工藝與模擬仿真科學家，分別畢業于比利時魯汶大學、清華大學及大連理工大學，獲博士、碩士及學士學位。
 

吳亮博士有近20年半導體、光伏及各種單晶生長工藝研究、開發與研發領導經驗。曾供職于英特爾技術發展有限公司、比利時FEMAGSoft SA（高級研發工程師、駐北京首席代表等）、蘇州協鑫工業應用研究院有限公司（副院長，現協鑫中央研究院）、協鑫太陽能材料有限公司（總工程師）等，現任奧趨光電技術（杭州）有限公司CEO。其領導奧趨光電團隊首次成功開發出全球最大直徑60mm的氮化鋁單晶晶圓樣片，于2021年9月發布了2英寸氮化鋁單晶襯底產品并實現小批量量產；同時研究開發出顛覆性的大批量2至8英寸氮化鋁/鋁鈧氮薄膜模板制備工藝專利技術。
 

吳亮博士曾承擔日本、德國、比利時等多家世界500強企業或政府組織在半導體材料領域的專業化合作研究，申請/授權國內國際專利50余項，在德國出版晶體生長專著一部，發表各種期刊/會議論文及各種國際/國內邀請報告100多篇/次）。吳亮博士是PV Japan大會全員特邀演講嘉賓(Invited plenary keynote speaker)，并作為邀請演講嘉賓出席ICCGE、IWMCG、Semi China、Semi Japan、Semi Taiwan、SNEC、ChinaLED、PV Summit、IWUMD、SSLChina等國際會議。他是Journal of Crystal Growth客座編輯（guest editor），Journal of Crystal Growth、Crystal Growth and Design和Chinese Physics B、“人工晶體學報”等期刊特邀審稿人。自2011年起擔任SEMI全球協會Semi China光伏材料學術委員會成員、硅材料分會主席；2019年起擔任“人工晶體學報”青年編委、編委；人工晶體標準化委員會委員。