2021年9月13-14日，由南京大學、第三代半導體產業技術創新戰略聯盟指導，半導體產業網、第三代半導體產業主辦的“2021中國（南京）功率與射頻半導體技術市場應用峰會（CASICON 2021）”將在南京城市名人酒店召開。會議圍繞碳化硅、氮化鎵、砷化鎵、氧化鎵、金剛石等材料在電力電子、5G射頻領域的技術進展與創新應用，助推相關領域市場產品國產化替代。
屆時，Crosslight創始人李湛明將受邀出席峰會，并分享“將GaN功率器件推向極限——材料和TCAD視角”主題報告。報告使用Crosslight-TCAD 作為分析工具，GaN 實驗對理論碰撞電離模型數據進行了審查和分析。發現已發表的碰撞電離系數的差異轉化為極大不同的擊穿電壓 (BV) 商業化 GaN/Silicon 橫向器件給出了典型的FET參數和常用的場板設計。縮放橫向 GaNFET 尺寸的方法將基于TCAD嘗試增加 BV。
欲知最新研究進展與成果，敬請關注峰會，也歡迎相關領域專家、學者、行業企事業單位參會交流，共商合作事宜。
【嘉賓簡介】
李湛明博士早年經華人諾獎得主李政道博士創立的中美聯合培養物理類研究生計劃（CUSPEA）前往北美留學。1995年創立加拿大CROSSLIGHT半導體軟件公司，現已成為全球光電器件及化合物半導體仿真領域知名度最高的商業軟件公司。
2015年創辦了GaNPower International 第三代半導體芯片公司并申請或取得了多項美國和中國與氮化鎵器件相關的發明專利。李博士發表了約150篇學術論文及國際專利，并撰寫了兩本有關半導體器件設計和仿真的技術專著。
贊助支持單位
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【組織機構】
指導單位
南京大學
第三代半導體產業技術創新戰略聯盟
主辦單位
半導體產業網
第三代半導體產業 公號
承辦單位
北京麥肯橋新材料生產力促進中心有限公司
贊助支持單位
藍雨軟件技術開發(上海)有限公司
愛發科商貿(上海)有限公司
寧波恒普真空技術有限公司
蘇州晶湛半導體有限公司
青島聚能創芯微電子有限公司
德儀國際貿易(上海)有限公司
大族激光顯示與半導體裝備事業部
上海翱晶半導體科技有限公司
上海智湖信息技術有限公司
蕪湖啟迪半導體有限公司
湖南國芯半導體科技有限公司
【時間地點】
時間：2021年9月13-14日
地點：南京·城市名人酒店（江蘇省南京市鼓樓區中山北路30號）
如果您想參會，可以直接掃碼預報名，我們會第一時間和您聯系！
【會議安排】
【報告嘉賓&主題報告】
報告嘉賓：陳堂勝--中國電科首席科學家/微波毫米波單片集成和模塊電路重點實驗室主任
主題報告：低溫鍵合金剛石GaN HEMT微波功率器件
報告嘉賓：陳敦軍--南京大學電子科學與工程學院副院長、教授
報告嘉賓：程新紅--中科院上海微系統研究所研究員
主題報告：SOI基GaN材料及功率器件集成技術
報告嘉賓：鄧小川--電子科技大學教授
主題報告：極端應力下碳化硅功率MOSFET的動態可靠性研究
報告嘉賓：惠 峰--云南鍺業公司首席科學家/中科院半導體所研究員
報告嘉賓：陳 鵬--南京大學教授
報告嘉賓：倪煒江--安徽芯塔電子科技有限公司 總經理
報告嘉賓：李 強--西安交通大學副教授
報告嘉賓：吳 彤--安森美首席SiC 專家
報告嘉賓：吳 亮--奧趨光電CEO
報告嘉賓：張保平--廈門大學電子科學與技術學院 副院長、教授
報告嘉賓：蔚 翠--中電科第十三研究所研究員
報告嘉賓：左 超--愛發科商貿（上海）有限公司電子營業部部長
報告嘉賓：王祁玉--益豐電子副總經理
報告嘉賓：袁 理--青島聚能創芯微電子有限公司
報告嘉賓：劉 雯--西交利物浦大學副教授
報告嘉賓：英諾賽科科技股份有限公司
報告嘉賓：彭 燕--南砂晶圓研發中心主任，山東大學副教授
報告嘉賓：葉念慈--三安集成技術市場總監
報告嘉賓：童吉楚--乾照激光副總經理
報告嘉賓：向鵬博士--蘇州晶湛半導體有限公司研發經理
報告嘉賓：楊學林--北京大學物理學院高級工程師
主題報告：Si襯底上GaN基電子材料外延生長技術研究進展
報告嘉賓：徐尉宗--南京大學研究員
主題報告：面向高可靠性、高能效應用的GaN HEMT增強型器件技術
報告嘉賓：郭宇鋒--南京郵電大學副校長、教授
主題報告：Off-state Characterization of AlGaN/GaN HEMT via Artificial Neural Network
更多報告嘉賓正在確認中！！！
1、9月13日報告（陸續更新中）
報告嘉賓：于坤山 第三代半導體產業技術創新戰略聯盟秘書長
主題報告：中國功率與射頻技術市場現狀及未來展望
報告嘉賓：陳堂勝--中國電科首席科學家/微波毫米波單片集成和模塊電路重點實驗室主任
主題報告：低溫鍵合金剛石GaN HEMT微波功率器件
報告嘉賓：陳敦軍--南京大學電子科學與工程學院副院長、教授
主題報告：GaN功率開關器件及其高頻電源應用
報告嘉賓：劉斯揚--東南大學教授
主題報告：SiC功率MOSFET器件可靠性研究進展
報告嘉賓：龍世兵--中國科學技術大學微電子學院執行院長
主題報告：SiC功率MOSFET器件可靠性研究進展
報告嘉賓：龍世兵--中國科學技術大學微電子學院執行院長
主題報告：低成本高性能氧化鎵功率器件
報告嘉賓：Dr Simon Li--Founding director, Crosslight Software Inc and GaNPower Intl. Inc
主題報告：Pushing GaN power devices to the limit - A material and TCAD perspective
報告嘉賓：Dr Simon Li--Founding director, Crosslight Software Inc and GaNPower Intl. Inc
主題報告：Pushing GaN power devices to the limit - A material and TCAD perspective
報告嘉賓：戴小平-湖南國芯科技總經理
主題報告：淺析SiC模塊封裝技術
報告嘉賓：Yuhao Zhang 美國弗吉尼亞理工大學電力電子系統中心助理研究員
主題報告：1.2-10 kV GaN Power Devices Exceeding SiC Limit
報告嘉賓：Yuhao Zhang 美國弗吉尼亞理工大學電力電子系統中心助理研究員
主題報告：1.2-10 kV GaN Power Devices Exceeding SiC Limit
報告嘉賓：龔平--西安唐晶量子科技有限公司董事長
主題報告：6 inch GaAs 基 VCSEL 和 射頻外延技術
報告嘉賓：紐應喜--啟迪半導體研發總監
主題報告：碳化硅外延裝備及技術進展
報告嘉賓：張 云--天津大學電氣自動化與信息工程學院教授
主題報告：新能源汽車電力電子系統及其運行控制
2、9月14日報告（陸續更新中）
報告嘉賓：程新紅--中科院上海微系統研究所研究員
主題報告：SOI基GaN材料及功率器件集成技術
報告嘉賓：鄧小川--電子科技大學教授
主題報告：極端應力下碳化硅功率MOSFET的動態可靠性研究
報告嘉賓：惠 峰--云南鍺業公司首席科學家/中科院半導體所研究員
主題報告：VCSEL用六英寸超低位錯密度砷化鎵單晶片研制及應用
報告嘉賓：陳 鵬--南京大學教授
主題報告：GaN肖特基功率器件新進展
報告嘉賓：Yuhao Zhang 美國弗吉尼亞理工大學電力電子系統中心助理教授
主題報告：Packaging Enabled Thermal Management of Ga2O3 Devices
報告嘉賓：倪煒江--安徽芯塔電子科技有限公司 總經理
主題報告：高性能高壓碳化硅功率器件設計與技術
報告嘉賓：李 強--西安交通大學副教授
主題報告：基于HBN 的射頻器件
報告嘉賓：吳 彤--安森美首席SiC 專家
主題報告：Adopt of SiC devices in EV applications
報告嘉賓：吳 亮--奧趨光電CEO
主題報告：AlN/AlScN材料制備技術及其在5GRFFE濾波及功率器件等領域應用前景展望
報告嘉賓：張保平--廈門大學電子科學與技術學院 副院長、教授
主題報告：氮化鎵基VCSEL技術進展
報告嘉賓：蔚 翠--中電科第十三研究所研究員
主題報告：金剛石微波功率器件研究
報告嘉賓：左 超--愛發科商貿（上海）有限公司電子營業部部長
主題報告：量產高性能功率與射頻器件的ULVAC裝備技術
報告嘉賓：裴軼/Amgad Alsman--蘇州能訊高能半導體有限公司技術副總裁/中國科學技術大學
主題報告：基于物理的5G射頻GaN 晶體管模型、趨勢和挑戰
報告嘉賓：王祁玉--益豐電子副總經理
主題報告：射頻器件（TBD）
報告嘉賓：袁 理--青島聚能創芯微電子有限公司
主題報告：面向快充應用的GaN材料和器件技術
報告嘉賓：劉 雯--西交利物浦大學副教授
主題報告：硅基GaN MIS-HEMT 單片集成技術
報告嘉賓：黃潤華--中電科五十五所副主任設計師
主題報告：碳化硅MOSFET技術問題及55所產品開發進展
報告嘉賓：黃潤華--中電科五十五所副主任設計師
主題報告：碳化硅MOSFET技術問題及55所產品開發進展
報告嘉賓：英諾賽科科技股份有限公司
主題報告：八英寸硅基氮化鎵技術進展（TBD）
報告嘉賓：葉建東--南京大學教授
主題報告：氧化鎵基雙極型異質結功率器件研究
主題報告：氧化鎵基雙極型異質結功率器件研究
報告嘉賓：彭 燕--南砂晶圓研發中心主任，山東大學副教授
主題報告：碳化硅與金剛石單晶襯底技術與產業化研究
報告嘉賓：葉念慈--三安集成技術市場總監
主題報告：（TBD）
報告嘉賓：童吉楚--乾照激光副總經理
主題報告：VCSEL 技術 (TBD)
報告嘉賓：向鵬博士--蘇州晶湛半導體有限公司研發經理
主題報告：用于新型GaN功率器件的外延技術進展
報告嘉賓：楊學林--北京大學物理學院高級工程師
主題報告：Si襯底上GaN基電子材料外延生長技術研究進展
報告嘉賓：Yuhao Zhang 美國弗吉尼亞理工大學電力電子系統中心助理教授
主題報告：Ruggedness of SiC MOSFETs and GaN HEMTs in Overvoltage Switching
報告嘉賓：徐尉宗--南京大學研究員
主題報告：面向高可靠性、高能效應用的GaN HEMT增強型器件技術
報告嘉賓：郭宇鋒--南京郵電大學副校長、教授
主題報告：Off-state Characterization of AlGaN/GaN HEMT via Artificial Neural Network
報告嘉賓：樊嘉杰--復旦大學青年研究員
主題報告：SiC功率器件先進封裝材料及可靠性優化設計
更多報告嘉賓正在確認中！！！
【擬參與單位】華為、中興、南京大學、三安光電、東南大學、英諾賽科、鍇威特、泰科天潤、基本半導體、捷捷微電、中微公司、蘇州納維、廈門大學、南砂晶圓、瀚天天成、蘇州晶湛、云南鍺業、Crosslight、英飛凌、GaNPower、安森美、許繼電氣、中車時代、國家電網、中芯集成、華潤微電子、南大光電、AIXTRON、中電科五十五所、中電科十三所 西安電子科技大學、江蘇能華、西安交通大學、北京大學，電子科技大學，河北同光、山東天岳、天津大學、聚能創芯，賽微電子，南京百識，唐晶量子，天科合達，漢驊半導體，南京百識，大族激光，德儀，江蘇三代半研究院等
【投稿】Oral或Poster ：500字左右擴展摘要提交到 1957340190@qq.com。
【參會注冊 】注冊費 2000 （會議資料，招待晚宴，自助餐）
開戶行：中國銀行北京科技會展中心支行
賬 號：336 356 029 261
名 稱：北京麥肯橋新材料生產力促進中心有限公司
【參會/贊助/商務合作】
聯系人：賈先生18310277858，jiaxl@casmita.com
聯系人：賈先生18310277858，jiaxl@casmita.com
張小姐13681329411，zhangww@casmita.com
如果您想參會，可以直接掃碼預報名，我們會第一時間和您聯系！
協議酒店：城市名人酒店（協議價400，含早）
聯系人：王瑋18652978537，648231476@qq.com
防疫提示：會務組最新咨詢南京市衛健委并得到答復，目前南京市全域均為低風險區，進出南京不需要核酸檢測證明，只要14天內沒去過中高風險區和出入境經歷，體溫無異常情況下，均可持綠碼進出南京參加會議。
聯系人：王瑋18652978537，648231476@qq.com
防疫提示：會務組最新咨詢南京市衛健委并得到答復，目前南京市全域均為低風險區，進出南京不需要核酸檢測證明，只要14天內沒去過中高風險區和出入境經歷，體溫無異常情況下，均可持綠碼進出南京參加會議。
