2021年9月13-14日，由南京大學、第三代半導體產業技術創新戰略聯盟指導，半導體產業網、第三代半導體產業主辦的“2021中國（南京）功率與射頻半導體技術市場應用峰會（CASICON 2021）”將在南京城市名人酒店召開。會議圍繞碳化硅、氮化鎵、砷化鎵、氧化鎵、金剛石等材料在電力電子、5G射頻領域的技術進展與創新應用，助推相關領域市場產品國產化替代。屆時，西安交通大學電子學院院長助理，副教授，博士生導師李強將出席峰會，并分享《基于hBN的電阻開關及射頻功率器件應用研究》主題報告。

據了解，射頻磁控濺射法可用于制備大面積連續的hBN厚膜，易于剝離及轉移，可實現在大尺寸器件上的應用。報告將介紹其課題組基于射頻磁控濺射方法探究了濺射溫度、氣體組分、工作壓強及功率等工藝參數對hBN薄膜生長過程的影響，用多種手段對得到的hBN薄膜進行表征，對表征結果進行比較，選擇最佳制備工藝參數，得到了晶體質量和致密性較好的hBN薄膜。

欲知詳細最新研究進展與數據成果，敬請關注峰會，也歡迎相關領域專家、學者、行業企事業單位參會交流，共商合作事宜。

 

【嘉賓簡介】

李強，西安交通大學電子學院院長助理，副教授，博士生導師，英國謝菲爾德大學電子工程系訪問學者。從事寬禁帶半導體材料與器件研究，主要研究方向：氧化物半導體材料（氧化銦錫ITO）和超寬禁帶半導體材料（氮化硼BN）的制備與器件應用。第一發明人擁有國家授權發明專利11項，在國內外重要期刊上發表學術論文50余篇。主持國家及省部級項目6項，主講國家一流本科生課程1門，陜西省精品課程1門，作為主編之一編寫專著1部。

會務組也誠摯歡迎相關領域的專家、學者、行業企事業單位能參會與李強副教授多多交流！