他指出，半導體材料的研發與應用方興未艾，正在掀起新一輪的熱潮。近年來，SiC電力電子器件和GaN 射頻器件顯現出了良好的市場前景，發達國家紛紛將其列入國家戰略，投入巨資支持。當前，中國發展寬禁帶半導體具有良好的機遇和合適的環境。從消費類電子設備、新型半導體照明、新能源汽車、風力發電、航空發動機、新一代移動通信、智能電網、高速軌道交通、大數據中心，均對高性能SiC 和GaN 器件有著極大的期待和需求。因此寬禁帶半導體材料的發展空間都很大，市場前景也很好。但發展寬禁帶半導體材料需要關注以下幾點。

 

第一，寬禁帶半導體材料及應用具有學科交叉性強、應用領域廣、產業關聯性大等特點，需要設計、工藝、材料、可靠性、成品率、性價比全面滿足各類應用系統的要求；同時要注重設備儀器、檢驗標準、稅收政策、金融環境等全產業鏈和產業環境的建設，強化多方配合與協同發展。因此做好頂層設計，進行統籌安排非常重要。

 

第二，寬禁帶半導體材料是機遇與挑戰并存的領域。當前，國內SiC和GaN的研究與應用仍存在諸多問題，其產業化的難度比外界想象的還要大。從國際專利構架布局上看，寬禁帶半導體已經進入市場競爭階段，我們不能過多時間只停留在研發階段，要研發和生產并重，加速第三代半導體進入市場的步伐。因此，在重視研發的基礎上，也需要將市場化作為關注重點。

 

第三，SiC、GaN材料適合制作高溫、高頻、抗輻射及大功率器件，能有效提高系統的效率，對發展“大智物移云”具有重要作用。SiC和GaN 器件不會取代硅集成電路，但它能做硅半導體做不到的事情。未來，SiC、GaN 和硅將在不同的應用領域發揮各自的作用、占據各自的市場份額。即便是電力電子器件，寬禁帶半導體材料也不可能完全替代硅，緣于應用和市場還會細分，同時也要權衡材料與器件的成本和性價比。

 

第四，當前第三代半導體全國布局眾多，參與的機構也很多，如果集中力量協同創新，有可能在相關領域獲得比較優勢進而占據領先地位。因此，要應避免熱炒概念、盲目投資、低水平重復建設。在這一點上，希望聯盟能發揮好作用與優勢，做好協調與指導。

 

展望未來，進一步加強寬禁帶半導體研發與產業化，戰略新興產業發展將具有舉足輕重的作用。相信我們有能力搶占寬禁帶半導體材料及應用的戰略制高點，為實現世界科技強國的宏偉目標奠定堅實的基礎。