CASICON 2021前瞻：氮化鎵功率開關器件及其高頻電源應用
GaN功率開關器件替換Si基MOSFET器件在高頻電源中的應用，并非簡單意義上的直接替換。GaN基電源最大的特點是將電源工作頻率提高數十倍，然而，工作頻率的提高會帶來嚴峻的噪聲處理問題。另一方面，GaN器件閾值電壓低、抗噪聲能力弱，且存在固有的物理缺陷，可靠性問題同樣備受關注。
2021年9月13-14日，由南京大學、第三代半導體產業技術創新戰略聯盟指導，半導體產業網、第三代半導體產業主辦的“2021中國（南京）功率與射頻半導體技術市場應用峰會（CASICON 2021）”將在南京城市名人酒店召開。會議圍繞碳化硅、氮化鎵、砷化鎵、氧化鎵、金剛石等材料在電力電子、5G射頻領域的技術進展與創新應用，助推相關領域市場產品國產化替代。
屆時，南京大學電子科學與工程學院陳敦軍教授/博士生導師將受邀出席峰會，并分享“氮化鎵功率開關器件及其高頻電源應用”主題報告。報告將從器件、驅動、控制、拓撲電路等方面全方位介紹針對性解決方案，重點討論新型器件工藝與結構、矩陣式高頻平面變壓器、智慧監管三大核心技術，旨在實現超輕薄高頻電源，并基于該目標基礎上，進一步提出可能的提升產品效率和工作可靠性方案。
欲知最新研究進展與成果，敬請關注峰會，也歡迎相關領域專家、學者、行業企事業單位參會交流，共商合作事宜。
欲知最新研究進展與成果，敬請關注峰會，也歡迎相關領域專家、學者、行業企事業單位參會交流，共商合作事宜。
【嘉賓簡介】
陳敦軍，南京大學電子科學與工程學院教授，博士生導師，2006-2007年受哈佛大學GSAS資助到其納米器件中心開展氮化物半導體器件方面研究工作，2012-2013年作為訪問學者到瑞典皇家工學院應用物理系進行學術交流。目前主要從事GaN基光電子器件、電力電子器件及驅動電路模塊等方面研究工作，曾先后主持了國家自然科學基金面上/重點、國家重點研發計劃課題、江蘇省重點研發計劃等科研項目，發表SCI論文200余篇。
會務組也誠摯歡迎相關領域的專家、學者、行業企事業單位能參會與陳敦軍教授多多交流！更多會議資料請往下查看：
贊助支持單位
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【組織機構】
指導單位
南京大學
第三代半導體產業技術創新戰略聯盟
主辦單位
半導體產業網
第三代半導體產業 公號
承辦單位
北京麥肯橋新材料生產力促進中心有限公司
贊助支持單位
藍雨軟件技術開發(上海)有限公司
愛發科商貿(上海)有限公司
寧波恒普真空技術有限公司
蘇州晶湛半導體有限公司
青島聚能創芯微電子有限公司
德儀國際貿易(上海)有限公司
大族激光顯示與半導體裝備事業部
上海翱晶半導體科技有限公司
上海智湖信息技術有限公司
蕪湖啟迪半導體有限公司
湖南國芯半導體科技有限公司
【時間地點】
時間：2021年9月13-14日
地點：南京·城市名人酒店（江蘇省南京市鼓樓區中山北路30號）
如果您想參會，可以直接掃碼預報名，我們會第一時間和您聯系！
【會議安排】
【報告嘉賓&主題報告】
報告嘉賓：陳堂勝--中國電科首席科學家/微波毫米波單片集成和模塊電路重點實驗室主任
主題報告：低溫鍵合金剛石GaN HEMT微波功率器件
報告嘉賓：陳敦軍--南京大學電子科學與工程學院副院長、教授
報告嘉賓：程新紅--中科院上海微系統研究所研究員
主題報告：SOI基GaN材料及功率器件集成技術
報告嘉賓：鄧小川--電子科技大學教授
主題報告：極端應力下碳化硅功率MOSFET的動態可靠性研究
報告嘉賓：惠 峰--云南鍺業公司首席科學家/中科院半導體所研究員
報告嘉賓：陳 鵬--南京大學教授
報告嘉賓：倪煒江--安徽芯塔電子科技有限公司 總經理
報告嘉賓：李 強--西安交通大學副教授
報告嘉賓：吳 彤--安森美首席SiC 專家
報告嘉賓：吳 亮--奧趨光電CEO
報告嘉賓：張保平--廈門大學電子科學與技術學院 副院長、教授
報告嘉賓：蔚 翠--中電科第十三研究所研究員
報告嘉賓：左 超--愛發科商貿（上海）有限公司電子營業部部長
報告嘉賓：王祁玉--益豐電子副總經理
報告嘉賓：袁 理--青島聚能創芯微電子有限公司
報告嘉賓：劉 雯--西交利物浦大學副教授
報告嘉賓：英諾賽科科技股份有限公司
報告嘉賓：彭 燕--南砂晶圓研發中心主任，山東大學副教授
報告嘉賓：葉念慈--三安集成技術市場總監
報告嘉賓：童吉楚--乾照激光副總經理
報告嘉賓：向鵬博士--蘇州晶湛半導體有限公司研發經理
報告嘉賓：楊學林--北京大學物理學院高級工程師
主題報告：Si襯底上GaN基電子材料外延生長技術研究進展
報告嘉賓：徐尉宗--南京大學研究員
主題報告：面向高可靠性、高能效應用的GaN HEMT增強型器件技術
報告嘉賓：郭宇鋒--南京郵電大學副校長、教授
主題報告：Off-state Characterization of AlGaN/GaN HEMT via Artificial Neural Network
更多報告嘉賓正在確認中！！！
1、9月13日報告（陸續更新中）
報告嘉賓：于坤山 第三代半導體產業技術創新戰略聯盟秘書長
主題報告：中國功率與射頻技術市場現狀及未來展望
報告嘉賓：陳堂勝--中國電科首席科學家/微波毫米波單片集成和模塊電路重點實驗室主任
主題報告：低溫鍵合金剛石GaN HEMT微波功率器件
報告嘉賓：陳敦軍--南京大學電子科學與工程學院副院長、教授
主題報告：GaN功率開關器件及其高頻電源應用
報告嘉賓：劉斯揚--東南大學教授
主題報告：SiC功率MOSFET器件可靠性研究進展
報告嘉賓：龍世兵--中國科學技術大學微電子學院執行院長
主題報告：SiC功率MOSFET器件可靠性研究進展
報告嘉賓：龍世兵--中國科學技術大學微電子學院執行院長
主題報告：低成本高性能氧化鎵功率器件
報告嘉賓：Dr Simon Li--Founding director, Crosslight Software Inc and GaNPower Intl. Inc
主題報告：Pushing GaN power devices to the limit - A material and TCAD perspective
報告嘉賓：Dr Simon Li--Founding director, Crosslight Software Inc and GaNPower Intl. Inc
主題報告：Pushing GaN power devices to the limit - A material and TCAD perspective
報告嘉賓：戴小平-湖南國芯科技總經理
主題報告：淺析SiC模塊封裝技術
報告嘉賓：Yuhao Zhang 美國弗吉尼亞理工大學電力電子系統中心助理研究員
主題報告：1.2-10 kV GaN Power Devices Exceeding SiC Limit
報告嘉賓：Yuhao Zhang 美國弗吉尼亞理工大學電力電子系統中心助理研究員
主題報告：1.2-10 kV GaN Power Devices Exceeding SiC Limit
報告嘉賓：龔平--西安唐晶量子科技有限公司董事長
主題報告：6 inch GaAs 基 VCSEL 和 射頻外延技術
報告嘉賓：紐應喜--啟迪半導體研發總監
主題報告：碳化硅外延裝備及技術進展
報告嘉賓：張 云--天津大學電氣自動化與信息工程學院教授
主題報告：新能源汽車電力電子系統及其運行控制
2、9月14日報告（陸續更新中）
報告嘉賓：程新紅--中科院上海微系統研究所研究員
主題報告：SOI基GaN材料及功率器件集成技術
報告嘉賓：鄧小川--電子科技大學教授
主題報告：極端應力下碳化硅功率MOSFET的動態可靠性研究
報告嘉賓：惠 峰--云南鍺業公司首席科學家/中科院半導體所研究員
主題報告：VCSEL用六英寸超低位錯密度砷化鎵單晶片研制及應用
報告嘉賓：陳 鵬--南京大學教授
主題報告：GaN肖特基功率器件新進展
報告嘉賓：Yuhao Zhang 美國弗吉尼亞理工大學電力電子系統中心助理教授
主題報告：Packaging Enabled Thermal Management of Ga2O3 Devices
報告嘉賓：倪煒江--安徽芯塔電子科技有限公司 總經理
主題報告：高性能高壓碳化硅功率器件設計與技術
報告嘉賓：李 強--西安交通大學副教授
主題報告：基于HBN 的射頻器件
報告嘉賓：吳 彤--安森美首席SiC 專家
主題報告：Adopt of SiC devices in EV applications
報告嘉賓：吳 亮--奧趨光電CEO
主題報告：AlN/AlScN材料制備技術及其在5GRFFE濾波及功率器件等領域應用前景展望
報告嘉賓：張保平--廈門大學電子科學與技術學院 副院長、教授
主題報告：氮化鎵基VCSEL技術進展
報告嘉賓：蔚 翠--中電科第十三研究所研究員
主題報告：金剛石微波功率器件研究
報告嘉賓：左 超--愛發科商貿（上海）有限公司電子營業部部長
主題報告：量產高性能功率與射頻器件的ULVAC裝備技術
報告嘉賓：裴軼/Amgad Alsman--蘇州能訊高能半導體有限公司技術副總裁/中國科學技術大學
主題報告：基于物理的5G射頻GaN 晶體管模型、趨勢和挑戰
報告嘉賓：王祁玉--益豐電子副總經理
主題報告：射頻器件（TBD）
報告嘉賓：袁 理--青島聚能創芯微電子有限公司
主題報告：面向快充應用的GaN材料和器件技術
報告嘉賓：劉 雯--西交利物浦大學副教授
主題報告：硅基GaN MIS-HEMT 單片集成技術
報告嘉賓：黃潤華--中電科五十五所副主任設計師
主題報告：碳化硅MOSFET技術問題及55所產品開發進展
報告嘉賓：黃潤華--中電科五十五所副主任設計師
主題報告：碳化硅MOSFET技術問題及55所產品開發進展
報告嘉賓：英諾賽科科技股份有限公司
主題報告：八英寸硅基氮化鎵技術進展（TBD）
報告嘉賓：葉建東--南京大學教授
主題報告：氧化鎵基雙極型異質結功率器件研究
主題報告：氧化鎵基雙極型異質結功率器件研究
報告嘉賓：彭 燕--南砂晶圓研發中心主任，山東大學副教授
主題報告：碳化硅與金剛石單晶襯底技術與產業化研究
報告嘉賓：葉念慈--三安集成技術市場總監
主題報告：（TBD）
報告嘉賓：童吉楚--乾照激光副總經理
主題報告：VCSEL 技術 (TBD)
報告嘉賓：向鵬博士--蘇州晶湛半導體有限公司研發經理
主題報告：用于新型GaN功率器件的外延技術進展
報告嘉賓：楊學林--北京大學物理學院高級工程師
主題報告：Si襯底上GaN基電子材料外延生長技術研究進展
報告嘉賓：Yuhao Zhang 美國弗吉尼亞理工大學電力電子系統中心助理教授
主題報告：Ruggedness of SiC MOSFETs and GaN HEMTs in Overvoltage Switching
報告嘉賓：徐尉宗--南京大學研究員
主題報告：面向高可靠性、高能效應用的GaN HEMT增強型器件技術
報告嘉賓：郭宇鋒--南京郵電大學副校長、教授
主題報告：Off-state Characterization of AlGaN/GaN HEMT via Artificial Neural Network
報告嘉賓：樊嘉杰--復旦大學青年研究員
主題報告：SiC功率器件先進封裝材料及可靠性優化設計
更多報告嘉賓正在確認中！！！
【擬參與單位】華為、中興、南京大學、三安光電、東南大學、英諾賽科、鍇威特、泰科天潤、基本半導體、捷捷微電、中微公司、蘇州納維、廈門大學、南砂晶圓、瀚天天成、蘇州晶湛、云南鍺業、Crosslight、英飛凌、GaNPower、安森美、許繼電氣、中車時代、國家電網、中芯集成、華潤微電子、南大光電、AIXTRON、中電科五十五所、中電科十三所 西安電子科技大學、江蘇能華、西安交通大學、北京大學，電子科技大學，河北同光、山東天岳、天津大學、聚能創芯，賽微電子，南京百識，唐晶量子，天科合達，漢驊半導體，南京百識，大族激光，德儀，江蘇三代半研究院等
【投稿】Oral或Poster ：500字左右擴展摘要提交到 1957340190@qq.com。
【參會注冊 】注冊費 2000 （會議資料，招待晚宴，自助餐）
開戶行：中國銀行北京科技會展中心支行
賬 號：336 356 029 261
名 稱：北京麥肯橋新材料生產力促進中心有限公司
【參會/贊助/商務合作】
聯系人：賈先生18310277858，jiaxl@casmita.com
聯系人：賈先生18310277858，jiaxl@casmita.com
張小姐13681329411，zhangww@casmita.com
如果您想參會，可以直接掃碼預報名，我們會第一時間和您聯系！
協議酒店：城市名人酒店（協議價400，含早）
聯系人：王瑋18652978537，648231476@qq.com
防疫提示：會務組最新咨詢南京市衛健委并得到答復，目前南京市全域均為低風險區，進出南京不需要核酸檢測證明，只要14天內沒去過中高風險區和出入境經歷，體溫無異常情況下，均可持綠碼進出南京參加會議。
聯系人：王瑋18652978537，648231476@qq.com
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