Ⅲ族氮化物是典型的寬禁帶半導體材料，GaN電力電子器件已廣泛用于電力電子領域。肖特基勢壘二極管（SBD）是功率轉換系統中的基本組件，當前發展GaN功率SBD的核心問題之一是研制出低開啟電壓、超高耐壓的功率器件。

 

2021年9月13-14日，由南京大學、第三代半導體產業技術創新戰略聯盟指導，半導體產業網、第三代半導體產業主辦的“2021中國（南京）功率與射頻半導體技術市場應用峰會（CASICON 2021）”將在南京城市名人酒店召開。會議圍繞碳化硅、氮化鎵、砷化鎵、氧化鎵、金剛石等材料在電力電子、5G射頻領域的技術進展與創新應用，助推相關領域市場產品國產化替代。

 

會上，南京大學電子科學與工程學院陳鵬教授受邀將出席本次峰會，并分享“GaN基肖特基功率器件研究新進展”主題報告。屆時，陳鵬教授將分享其課題組近年來通過研究GaN SBD的擊穿機制和器件工藝，研制超高壓/低開起的GaN SBD的有關成果及最新進展。

欲知最新研究進展與成果，敬請關注峰會，也歡迎相關領域專家、學者、行業企事業單位參會交流，共商合作事宜。

【嘉賓簡介】

陳鵬，南京大學電子科學與工程學院教授。2000年12月在南京大學物理系獲理學博士學位，2001年至2007年歷任新加坡科研局材料研究院研究員、首席科學家、新加坡國立大學電機工程系博士生導師。2008年度進入“江蘇省高層次創新創業人才引進計劃”和“333高層次人才培養工程”第二層次，并于2011年獲“333人才工程突出貢獻獎”， 2010年獲“江蘇省有突出貢獻的中青年專家”稱號，2011獲得“中國產學研創新獎個人獎”。自1995年以來長期從事于三族氮化物半導體材料與器件研究，共發表學術論文180余篇，其中以第一作者及通訊作者在氮化物光電子學、功率電子、強注入輻射機制等研究領域發表的高水平論文40余篇，包括Advanced Materials, Advanced Optical Materials, Small, IEEE Electron Device Letters, Applied Physics Letters, IEEE Photonics Journal。

 

會務組也誠摯歡迎相關領域的專家、學者、行業企事業單位能參會與陳鵬教授多多交流！更多會議資料請往下查看：