第三代半導體材料及其應用是全球半導體產業戰略競爭新高地，目前我國正迎來發展第三代半導體的重要窗口期。功率半導體從原材料到設計、晶圓制造加工裝備、封測，正加速實現全產業鏈國產化。雖然我國已發展成為全球第一大功率半導體市場，但國產自給率較低，行業仍存巨大供需缺口，國產替代將是未來重要的發展方向。

 

為了更好的把握時機推進產業的發展，打破功率半導體產業在材料與裝備、芯片制造、封裝模組、系統應用等環節產業化主要技術瓶頸，引領技術及市場風向，半導體產業網在南京大學電子科學與工程學院、第三代半導體產業技術創新戰略聯盟的指導下，定于2021年9月13-14日在南京召開“2021中國（南京）功率與射頻半導體技術市場應用峰會（CASICON 2021）”。會議圍繞碳化硅、氮化鎵、砷化鎵、氧化鎵、金剛石等材料在電力電子、5G 射頻領域的技術進展與創新應用，助推相關領域市場產品國產化替代，屆時晶湛半導體也與行業眾多技術及應用專家進行研究、分享、交流。

蘇州晶湛半導體有限公司總裁程凱曾對記者表示：“我們提供的電力電子氮化鎵外延材料可于藍寶石以及硅襯底上生長，并且擁有極高的擊穿電壓，業內領先的低缺陷控制；領先推出了8英寸高阻硅射頻氮化鎵外延片，將完美迎合5G市場的爆發以及引領射頻產業的未來走向；多尺寸藍寶石基以及硅基藍光LED、綠光LED與近紫外LED外延產品具有優秀的全片波長均勻性和高標準形貌控制。”