半導體產業網根據公開消息整理：三星、芯導科技、宏光照明、西部數據、富士電機、華燦光電、鎵未來、京創先進、安森美等公司近期最新動態，以及行業動態如下（僅供參考）：

 

 

當前，國際上第三代半導體材料、器件已實現了從研發到規模性量產的成功跨越，并進入產業化快速發展階段。“十四五”時期，將成為我國第三代半導體產業發展的關鍵窗口期，對我國能否建立長期戰略優勢至關重要。

 

8月24日，工信部在官網表示，下一步將以重大關鍵技術突破和創新應用需求為主攻方向，進一步強化產業政策引導，將碳基材料納入“十四五”原材料工業相關發展規劃，并將碳化硅復合材料、碳基復合材料等納入“十四五”產業科技創新相關發展規劃，以全面突破關鍵核心技術，攻克“卡脖子”品種，提高碳基新材料等產品質量，推進產業基礎高級化、產業鏈現代化。此消息一出，進而引發市場對于以碳基材料等第三代半導體產業發展的廣泛關注。

 

 

工信部8月25日表示，將組織有關標準研究機構適時開展鈉離子電池標準制定，引導產業健康有序發展。工信部表示，近幾年鈉離子電池逐步進入規模化試驗示范階段。鈉離子電池產業化目前尚存能量密度較低、循環壽命較短、配套供應鏈與產業鏈不完善等問題，仍處于商業化探索和持續改進中。隨著產業投入的加大，技術走向成熟，產業鏈逐步完善，高性價比的鈉離子電池有望成為鋰離子電池的重要補充，尤其是在固定式儲能領域將具有良好發展前景。

 

工信部表示，將做好頂層設計，健全產業政策，統籌引導鈉離子電池產業高質量發展。科技部將在“十四五”期間實施“儲能與智能電網技術”重點專項，并將鈉離子電池技術列為子任務，進一步推動鈉離子電池的規模化、低成本化，提升綜合性能。

 

 

8月24日，三星電子宣布未來三年將投資240萬億韓元（約合2056.4億美元，約相當于1.33萬億元人民幣）投入生物制藥、人工智能、半導體、電信和機器人等領域，這是該公司繼2018年180萬億韓元后的又一大手筆投資。據報道，公司目前賬上約有200萬億韓元的現金或現金等價物，“不差錢”的三星表示將“積極進行大型收購交易，以鞏固公司目標業務中的領導地位。”芯片供不應求的情況持續已久，即使全球巨頭制造商們開足馬力投資擴產的情況下，主要生產地受疫情影響導致芯片價格仍然居高不下。受益于此，今年上半年海內外相關公司經營情況大幅好轉，同時還帶動了公司股價和行業基金業績增幅可觀，更有堅守芯片半導體的明星基金經理再度“揚眉吐氣”。

 

但投資切忌盲目，正如業內人士所言，每一種不同芯片的供需約束條件截然不同。整體“芯片荒”下仍有部分產品有庫存過剩的隱憂，行業在全球投資熱潮下也暗藏未來供大于求的風險，更有外媒刊文警示：“一旦市場降溫，在繁榮時期積累的過剩產能將給制造商帶來負擔。”

 

 

8月25日晚，上交所發布科創板上市委會議審議結果，上海芯導電子科技股份有限公司（以下簡稱“芯導科技”）科創板首發獲通過，這意味著芯導科技距離成功登陸科創板再進一步。據悉，芯導科技由國元證券保薦，擬融資金額為4.44億元，本次募集資金在扣除相關發行費用后擬用于高性能分立功率器件開發和升級、高性能數模混合電源管理芯片開發及產業化、硅基氮化鎵高電子遷移率功率器件開發項目及研發中心建設項目。芯導科技表示，未來公司將專注于功率半導體的研發及銷售，落實品牌建設與資本運作相結合的戰略，通過全面提升業務規模、技術與產品創新能力、市場開拓力度以及完善法人治理結構等方式，進一步強化公司的核心競爭能力，致力成為國內外功率半導體領域的知名品牌。

 

 

宏光照明(06908.HK)公告，公司的全資附屬公司Fast Semi HoldingLtd.已投資VisIC Technologies Limited("目標公司"，為半導體領域第三代氮化鎵設備的龍頭企業之一)。根據購股協議，附屬公司同意認購目標公司1,749,961股股份，約占目標公司經擴大已發行股本之21.86%，代價約2500萬美元。根據購股協議之條款，投資已于2021年8月23日順利完成。目標公司為一家根據以色列國法律組建的公司，主要從事Ga N相關產品的開發，包括大功率晶體管及模組。據董事所深知，目標公司對GaN技術有深入的了解，并擁有數十年的GaN產品經驗，且已申請與GaN技術有關的若干關鍵專利。董事認為，目標公司的技術及產品可廣泛應用于電能轉換、快充產品及功率元件等應用領域。

 

200億美元！西部數據擬并購全球第二大閃存芯片廠商鎧俠

 

據一位知情人士稱，西部數據公司（WDC.O）正在與日本半導體公司鎧俠（Kioxia Holdings Corp）就可能的并購事宜進行早期洽談，交易規模可能超過 200 億美元。該人士稱，這兩家公司最早可能在9月中旬達成協議，西部數據首席執行官David Goeckeler將管理合并后的公司。鎧俠是一家總部位于日本東京都的電腦內存制造商，也是全球第二大 NAND 內存廠商，鎧俠的前身是東芝存儲器，2018年被東芝公司(6502.T)以180億美元的價格出售給由美國私募股權公司貝恩資本牽頭的財團。根據其2020年的年度報告，東芝仍然擁有Kioxia約40.6%的股份。該并購案對全球芯片行業將有深遠的影響。在新的智能手機型號發布和5G擴展的推動下，存儲芯片制造商看到了強勁的需求。NAND內存市場由五家公司主導，如果西部數據和Kioxia合作，將看到進一步的整合。通過聯手，兩家公司可以降低成本，更好地與三星電子有限公司競爭，不過這樣的交易預計會引起反壟斷審查，包括來自中國的批準。

 

據日經報道，日本富士電機將額外投資 400 億日元（3.65 億美元），以擴大功率半導體的生產，這些半導體用于管理空調、電動汽車等的電流。400 億日元是富士電機在 2022 財年之前的四年中指定的1200 億日元的基礎上，從 2023 財年的原始時間框架上調，以滿足意外的強勁需求。大約 250 億日元的額外資金將用于在該公司的馬來西亞工廠開始生產 8 英寸硅片，這將比之前在那里生產的 6 英寸硅片的制造效率更高。但富士電機沒有提供有關產能的詳細信息。該公司計劃在 2023 財年左右開始在馬來西亞生產功率半導體，使用上個月硬盤媒體生產停止后騰出的潔凈室和其他設施。剩余的 150 億日元將用于其他地方的擴張，包括公司在日本的松本工廠。該領域的銷售額預計將超過公司的中期目標。

 

富士電機預計，包括功率半導體在內的這一領域的銷售額將從 2018 財年增長 53%，到 2023 財年（其五年計劃的最后一年）將增長53%。現有計劃的目標是該部門的銷售額為 2000 億日元，其中 250 億日元來自公司退出的磁盤業務。

 

 

近日，專注于第三代半導體氮化鎵技術研發應用的珠海鎵未來科技（以下簡稱“鎵未來”）宣布獲得數千萬元A輪融資。本輪投資由珠海科創投領投，大橫琴創新發展有限公司、禮達基金跟投。境成資本作為天使輪領投方，本輪繼續追加投資。資料顯示，鎵未來成立于2020年10月，致力于提供從30W到10KW的氮化鎵器件及系統設計解決方案。公司致力于第三代半導體GaN-on-Si器件技術創新和領先，通過高起點、強隊伍等，實現GaN技術的國產化，推動GaN器件的技術的世界領先，并且通過電源系統的創新設計，實現能源的綠色、高效利用。

 

 

華燦光電在互動平臺表示，公司依托在LED芯片化合物半導體方面十幾年的技術積累，擁有高效的氮化鎵器件開發團隊、氮化鎵器件工藝技術及研發階段的設備基礎。目前，公司氮化鎵基電力電子器件團隊已攻克相關技術及工藝難點，在多項關鍵工藝的單項試驗已獲得突破性進展。市場方面，已與多個終端客戶公司開展氮化鎵電力電子器件等應用領域的合作。

 

 

半導體精密劃切設備研制企業江蘇京創先進電子科技有限公司（以下簡稱“京創先進”）宣布完成超億元B輪融資，由中芯聚源領投，盛宇投資、匯川技術、俱成投資、長江國弘跟投，老股東毅達資本、金浦新潮繼續加碼。本輪融資將主要用于新技術攻關、新產品研制、全自動產品產能擴充及市場推廣等方面。京創先進成立于2013年，是一家專業從事半導體精密劃切設備研發、生產、銷售及服務的高新技術企業。公司創始團隊的核心人員均已深耕行業20余年，有著過硬的相關技術和經驗，同時也深知精密切割設備被國外壟斷的局面，團隊秉承技術的傳承性和創新性，不斷突破創新，瞄準終端客戶對設備的產能和整機穩定性重視的這一方向，致力開拓助推晶圓劃片設備細分領域的國產化進程。

 

 

8月26日消息，智能電源和傳感技術的領先供應商安森美（Onsemi）和碳化硅生產商GT Advanced Technologies（“GTAT”）今天宣布，他們雙方已達成最終協議，根據該協議，Onsemi將以 4.15 億美元現金收購 GTAT。

 

預計該交易將更好地定位Onsemi，以確保和增加 SiC 的供應，并滿足客戶對可持續生態系統中基于 SiC 的解決方案快速增長的需求，包括電動汽車、電動汽車充電和能源基礎設施。隨著可持續生態系統在未來十年迅速發展，將onsemi的制造能力與 GTAT 的技術專長相結合，將加速 SiC 的開發并讓onsemi更好地為客戶服務。這種增強的 SiC 能力將使onsemi能夠向客戶保證關鍵組件的供應，并進一步將智能電源技術商業化。

 

 

近日，浙江大學杭州國際科創中心成功獲得首批氧化鎵單晶襯底，這是繼去年獲得體塊氧化鎵單晶之后取得的又一個重要進展，標志著科創中心在材料加工領域具備高水平研究的能力。這批氧化鎵單晶襯底由科創中心先進半導體研究院半導體材料研究室研制，導電類型為半絕緣型，尺寸達到25.4 mm，厚度約800 μm，表面粗糙度小于0.5 nm，高分辨X射線搖擺曲線測試測得半高峰寬為47.5 arcsec，衍射峰均勻對稱，單晶質量較好。以上關鍵技術指標已經達到了領域內的先進水平。