近日，專注于第三代半導體氮化鎵技術研發應用的珠海鎵未來科技（以下簡稱“鎵未來”）宣布獲得數千萬元A輪融資。本輪投資由珠海科創投領投，大橫琴創新發展有限公司、禮達基金跟投。境成資本作為天使輪領投方，本輪繼續追加投資。

 

資料顯示，鎵未來成立于2020年10月，致力于提供從30W到10KW的氮化鎵器件及系統設計解決方案。公司致力于第三代半導體GaN-on-Si器件技術創新和領先，通過高起點、強隊伍等，實現GaN技術的國產化，推動GaN器件的技術的世界領先，并且通過電源系統的創新設計，實現能源的綠色、高效利用。

 

目前，以氮化鎵（GaN）、碳化硅（SiC）第三代半導體也逐漸為人熟知，其可以與第一代、第二代半導體技術互補，對節能減排、產業轉型升級、催生新的經濟增長點將發揮重要作用。

 

在團隊方面，鎵未來的核心團隊由IEEE Fellow吳毅鋒博士領銜，深港微電子學院創始人及前華為海思化合物半導體創始成員組成，具有豐富的產業化研發和市場運營經驗。