8月16日晚間，士蘭微電子發(fā)布2021年半年度業(yè)績(jī)報(bào)告稱，2021年上半年，公司營(yíng)業(yè)總收入為330,849萬(wàn)元，較2020年上半年增長(zhǎng)94.05%；公司營(yíng)業(yè)利潤(rùn)為47,023萬(wàn)元，比2020年上半年增加50,099萬(wàn)元；公司利潤(rùn)總額為46,936萬(wàn)元，比2020年上半年增加49,981萬(wàn)元；公司歸屬于母公司股東的凈利潤(rùn)為43,082萬(wàn)元，比2020年上半年增加1306.52%。

 

公告指出，2021年上半年，公司營(yíng)業(yè)利潤(rùn)和利潤(rùn)總額均扭虧為盈，主要原因是：
 

（1）2021年上半年公司子公司士蘭集昕公司8英寸芯片生產(chǎn)線保持較高水平的產(chǎn)出，芯片產(chǎn)量較去年同期有較大幅度的增長(zhǎng)，產(chǎn)品綜合毛利率提高至18.35%，虧損大幅度減少。

 

（2）2021年上半年公司子公司士蘭明芯公司LED芯片生產(chǎn)線基本處于滿負(fù)荷生產(chǎn)狀態(tài)，LED芯片產(chǎn)量較去年同期有較大幅度的增長(zhǎng)，產(chǎn)品綜合毛利率提高至6.87%，虧損大幅度減少。

 

（3）士蘭微（母公司）集成電路和分立器件產(chǎn)品銷量較去年同期大幅度增長(zhǎng)，產(chǎn)品毛利率提高至23.94%，營(yíng)業(yè)利潤(rùn)大幅度增長(zhǎng)。

 

公告指出，2021年上半年，公司集成電路的營(yíng)業(yè)收入為11.20 億元，較上年同期增長(zhǎng)108.19%，公司集成電路營(yíng)業(yè)收入增加的主要原因是：公司各類電路新產(chǎn)品的出貨量明顯加快。

 

2021年上半年，公司IPM模塊的營(yíng)業(yè)收入突破4.1億元人民幣，較上年同期增長(zhǎng)150%以上。目前，公司IPM模塊已廣泛應(yīng)用到下游家電及工業(yè)客戶的變頻產(chǎn)品上，包括空調(diào)、冰箱、洗衣機(jī)，油煙機(jī)、吊扇、家用風(fēng)扇、工業(yè)風(fēng)扇、水泵、電梯門(mén)機(jī)、縫紉機(jī)、電動(dòng)工具，工業(yè)變頻器等。2021年上半年，國(guó)內(nèi)多家主流的白電整機(jī)廠商在變頻空調(diào)等白電整機(jī)上使用了超過(guò)1800萬(wàn)顆士蘭IPM 模塊，較上年同期增加200%。上半年，公司還推出了2代IPM，與1代IPM 相比，2代IPM具有更高的精度、更低的損耗和更高的可靠性，預(yù)期下半年公司IPM模塊的營(yíng)業(yè)收入將會(huì)繼續(xù)快速成長(zhǎng)。

 

2021年，公司分立器件產(chǎn)品的營(yíng)業(yè)收入為17.09億元，較上年同期增長(zhǎng)85.64%。分立器件產(chǎn)品中，MOSFET、IGBT、IGBT大功率模塊（PIM）、肖特基管、穩(wěn)壓管、TVS管、快恢復(fù)管等產(chǎn)品的增長(zhǎng)較快，其中IGBT產(chǎn)品（包括器件和 PIM 模塊）的營(yíng)業(yè)收入突破1.9億元，較上年同期增長(zhǎng)110%以上。公司的超結(jié)MOSFET、IGBT、FRD、高性能低壓分離柵 MOSFET等分立器件的技術(shù)平臺(tái)研發(fā)持續(xù)獲得較快進(jìn)展，產(chǎn)品性能達(dá)到業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的水平。士蘭的分立器件和大功率模塊除了加快在白電、工業(yè)控制等市場(chǎng)拓展外，已開(kāi)始加快進(jìn)入新能源汽車(chē)、光伏等市場(chǎng)，預(yù)期下半年公司的分立器件產(chǎn)品營(yíng)收將繼續(xù)快速成長(zhǎng)。

 

對(duì)于未來(lái)發(fā)展目標(biāo)和戰(zhàn)略，公告指出，公司將持續(xù)提升綜合能力，發(fā)揮 IDM 模式的優(yōu)勢(shì)，聚焦高端客戶和高門(mén)檻市場(chǎng)；繼續(xù)全力推動(dòng)特殊工藝研發(fā)、制造平臺(tái)的發(fā)展。加快杭州士蘭集昕8吋集成電路芯片生產(chǎn)線產(chǎn)品技術(shù)平臺(tái)的導(dǎo)入，積極拓展產(chǎn)能；加快推進(jìn)廈門(mén)士蘭集科12吋特色工藝半導(dǎo)體芯片制造生產(chǎn)線提量和擴(kuò)產(chǎn)項(xiàng)目和廈門(mén)士蘭明鎵化合物半導(dǎo)體芯片制造生產(chǎn)線項(xiàng)目建設(shè)，加快產(chǎn)能釋 放；積極推動(dòng)成都功率器件和功率模塊封裝廠的建設(shè)，在特色工藝領(lǐng)域堅(jiān)持走 IDM（設(shè)計(jì)與 制造一體）的模式。 ? 

 

繼續(xù)加快先進(jìn)的功率半導(dǎo)體（IGBT、快恢復(fù)二極管、超結(jié) MOSFET、高密度低壓溝槽柵 MOSFET 等）和功率模塊技術(shù)的研發(fā)，加大投入，追趕國(guó)際先進(jìn)水平；拓展這類產(chǎn)品在白電、工業(yè)控制、通訊、新能源汽車(chē)、光伏等領(lǐng)域的應(yīng)用。拓展電路工藝門(mén)類，包括先進(jìn)的高壓BCD工藝、BiCMOS工藝、集成功率器件的高壓?jiǎn)涡酒に嚕哟箅娫础⒐β黍?qū)動(dòng)集成電路芯片的研發(fā)投入。 ? 

 

以廈門(mén)明鎵的投產(chǎn)為契機(jī)，在LED RGB彩屏芯片、高端LED照明芯片和其他特色芯片上繼續(xù)深耕與布局，拓展市場(chǎng)；持續(xù)推進(jìn)士蘭“美卡樂(lè)”高端 LED 成品品牌的建設(shè)，積極拓展海內(nèi)外高端客戶，擴(kuò)充產(chǎn)能，拓展新的高端應(yīng)用市場(chǎng)。在化合物功率半導(dǎo)體器件的研發(fā)上繼續(xù)加大投入，盡快推出硅基GaN功率器件以及完整的應(yīng)用系統(tǒng)；同時(shí)加快SiC MOSFET功率器件的研發(fā)，推出自產(chǎn)芯片的車(chē)用SiC 功率模塊等。