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華微電子:公司正在積極布局以SiC和GaN為代表的第三代半導體器件技術

日期:2021-08-06 來源:半導體產業網閱讀:493
核心提示:8月5日,有投資者向華微電子(600360)提問, 請問: 1、公司SiC和GaN研發有何進展,此類產品有何規劃; 2、吉林日報報道公司8英
 8月5日,有投資者向華微電子(600360)提問, 請問: 1、公司SiC和GaN研發有何進展,此類產品有何規劃; 2、吉林日報報道公司8英寸半導體滿產滿銷,訂單排到明年;那么4-6英寸半導體產品是否滿產滿銷; 3、IGBT3300V研發有何進展,是否進一步研發更高級別IGBT計劃。
 
公司回答表示,尊敬的投資者您好 1、公司作為國內技術領先、產品種類最為齊全的功率半導體器件IDM公司,正在積極布局以SiC和GaN為代表的第三代半導體器件技術。公司重點推進SiC SBD 產品和 650V GaN 器件的開發。2、關于今年上半年的產銷量情況,公司將在2021年半年度報告中披露。3、公司IGBT有產能的最高電壓為1350V,在研的最高電壓為3300V。
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