中芯國(guó)際聯(lián)合首席執(zhí)行官趙海軍在二季度電話會(huì)議上表示，“我們的 FinFET 工藝已經(jīng)達(dá)產(chǎn)，每月 1.5 萬(wàn)片，客戶多樣化，不同的產(chǎn)品平臺(tái)都導(dǎo)入了。（這部分）產(chǎn)能處于緊俏狀態(tài)，客戶不斷進(jìn)來(lái)。”

據(jù)了解，前不久中芯國(guó)際吳金剛博士宣布離職。吳金剛博士擔(dān)任中芯國(guó)際研發(fā)副總裁，是公司五大核心人才之一，參與了 FinFET 工藝研發(fā)。此前吳金剛博士離職時(shí)，中芯國(guó)際發(fā)表公告，表示離職后，吳金剛博士不再擔(dān)任公司任何職務(wù)。目前公司的技術(shù)研發(fā)工作均正常進(jìn)行，吳金剛博士的離職未對(duì)公司整體研發(fā)實(shí)力產(chǎn)生重大不利影響。

 

目前，臺(tái)積電、三星在 5nm/7nm 工藝段都采用 FinFET 結(jié)構(gòu)，而在下一世代 3nm 工藝的晶體管結(jié)構(gòu)選擇上，兩者出現(xiàn)分歧。三星選擇采用 GAA 結(jié)構(gòu)，臺(tái)積電則出于穩(wěn)健考慮，選擇在第一代 3nm 工藝?yán)^續(xù)沿用 FinFET 技術(shù)。

 

近日，三星代工廠流片了基于環(huán)柵 (GAA) 晶體管架構(gòu)的 3nm 芯片，通過(guò)使用納米片（Nanosheet）制造出了 MBCFET（多橋通道場(chǎng)效應(yīng)管），可顯著增強(qiáng)晶體管性能，主要取代 FinFET 晶體管技術(shù)。三星執(zhí)行副總裁兼代工銷售和營(yíng)銷主管 Charlie Bae 表示：“基于 GAA 結(jié)構(gòu)的下一代工藝節(jié)點(diǎn)（3nm）將使三星能夠率先打開(kāi)一個(gè)新的智能互聯(lián)世界，同時(shí)加強(qiáng)我們的技術(shù)領(lǐng)先地位”。

 

分析稱，2nm 或?qū)⑹?FinFET 結(jié)構(gòu)全面過(guò)渡到 GAA 結(jié)構(gòu)的技術(shù)節(jié)點(diǎn)。在經(jīng)歷了 Planar FET、FinFET 后，晶體管結(jié)構(gòu)將整體過(guò)渡到 GAAFET 結(jié)構(gòu)上。根據(jù)國(guó)際器件和系統(tǒng)路線圖（IRDS）的規(guī)劃，在 2021-2022 年以后，F(xiàn)inFET 結(jié)構(gòu)將逐步被 GAA 結(jié)構(gòu)所取代。