
第三代半導(dǎo)體材料及其應(yīng)用是全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)戰(zhàn)略競爭新高地,目前我國正迎來發(fā)展第三代半導(dǎo)體的重要窗口期。功率半導(dǎo)體從原材料到設(shè)計、晶圓制造加工裝備、封測,正加速實現(xiàn)全產(chǎn)業(yè)鏈國產(chǎn)化。雖然我國已發(fā)展成為全球第一大功率半導(dǎo)體市場,但國產(chǎn)自給率較低,行業(yè)仍存巨大供需缺口,國產(chǎn)替代將是未來重要的發(fā)展方向。
為了更好的把握時機推進產(chǎn)業(yè)的發(fā)展,打破功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)在材料與裝備、芯片制造、封裝模組、系統(tǒng)應(yīng)用等環(huán)節(jié)產(chǎn)業(yè)化主要技術(shù)瓶頸,引領(lǐng)技術(shù)及市場風向,半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)在南京大學電子科學與工程學院、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟的指導(dǎo)下,擬定于2021年9月13-14日在南京召開“2021中國(南京)功率與射頻半導(dǎo)體技術(shù)市場應(yīng)用峰會(CASICON 2021)”。會議圍繞碳化硅、氮化鎵、砷化鎵、氧化鎵、金剛石等材料在電力電子、5G 射頻領(lǐng)域的技術(shù)進展與創(chuàng)新應(yīng)用,助推相關(guān)領(lǐng)域市場產(chǎn)品國產(chǎn)化替代,屆時邀請行業(yè)眾多技術(shù)及應(yīng)用專家進行研究、分享、交流。誠摯歡迎各研究院所、高校、產(chǎn)業(yè)鏈企事業(yè)單位參與討論。
會議時間:2021年9月13-14日
會議地點:南京·城市名人酒店(江蘇省南京市鼓樓區(qū)中山北路30號)
聯(lián)系人:賈先生18310277858,jiaxl@casmita.com
張小姐13681329411,zhangww@casmita.com
附件:會議資料
一、組織機構(gòu):
指導(dǎo)單位
南京大學
第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟
第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟
主辦單位
半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)
第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè) 公號
承辦單位
北京麥肯橋新材料生產(chǎn)力促進中心有限公司
贊助支持單位
Crosslight Software Inc
聚能創(chuàng)芯微電子有限公司
ULVAC株式會社
寧波恒普真空
GaNPower Intl. Inc
德儀國際貿(mào)易
蘇州漢驊半導(dǎo)體
上海智湖信息技術(shù)有限公司
大族激光
蘇州晶湛半導(dǎo)體
上海翱晶半導(dǎo)體
云南鍺業(yè)
二、會議背景:
以氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)為代表的第三代半導(dǎo)體材料,具備耐高溫、耐高壓、高頻率、大功率、抗輻射等優(yōu)異特性,因其在國防安全、智能制造、產(chǎn)業(yè)升級、節(jié)能減排等國家重大戰(zhàn)略需求方面的重要作用,正成為世界各國競爭的技術(shù)制高點。但受工藝、成本等因素限制,多年來僅限于小范圍應(yīng)用。
近年來,隨著材料生長、器件制備等技術(shù)的不斷突破,第三代半導(dǎo)體的性價比優(yōu)勢逐漸顯現(xiàn)并正在打開應(yīng)用市場: SiC肖特基二極管器件開始應(yīng)用于新能源汽車及高端電源市場,包括PFC、光伏逆變器和高端家電變頻器等,GaN快速充電器也大量上市。未來5-10年是全球第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的加速發(fā)展期,基于第三代半導(dǎo)體材料的功率半導(dǎo)體器件將廣泛應(yīng)用于5G基站、新能源汽車、特高壓、數(shù)據(jù)中心等場景,也是我國能否實現(xiàn)產(chǎn)業(yè)自主可控的關(guān)鍵期。
由于功率半導(dǎo)體器件在實現(xiàn)電能高效利用、節(jié)能減排、建設(shè)資源節(jié)約型社會方面發(fā)揮著不可替代的作用。國家各級政府紛紛出臺政策護航產(chǎn)業(yè)發(fā)展,一批針對性扶持措施開始顯效,將會不斷推動功率半導(dǎo)體器件行業(yè)的技術(shù)進步,形成先進技術(shù)的自有知識產(chǎn)權(quán),優(yōu)化國產(chǎn)功率半導(dǎo)體器件的產(chǎn)品結(jié)構(gòu)。
功率半導(dǎo)體的應(yīng)用領(lǐng)域已從工業(yè)控制和消費電子拓展至新能源、軌道交通、智能電網(wǎng)、變頻家電等諸多市場,市場規(guī)模呈現(xiàn)穩(wěn)健增長態(tài)勢。隨著5G帶來的萬物互聯(lián)及基地臺、數(shù)據(jù)中心數(shù)量的迅速增長,以及汽車電子化程度的持續(xù)提升,帶動功率半導(dǎo)體市場實現(xiàn)較快增長。
在新能源汽車應(yīng)用以及PD快充市場爆發(fā)的強力帶動下,2020年國內(nèi)SiC、GaN電力電子器件市場規(guī)模較上年同比增長90%,未來5年將以45%的復(fù)合增長率增長至300億。根據(jù)CASA Research第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展報告(2020)表明:2020年我國第三代半導(dǎo)體電力電子與射頻總產(chǎn)值已經(jīng)超過100億元 。SiC、GaN電力電子產(chǎn)值規(guī)模達44.7億元,同比增長54%;GaN微波射頻產(chǎn)值達到60.8億元,同比增長80.3%。“十四五”科技計劃中將建設(shè)“面向大數(shù)據(jù)中心應(yīng)用的GaN基高效功率電子,應(yīng)用于數(shù)據(jù)中心電源的GaN電力電子器件”提上日程,未來這個市場將迎來高速增長。
隨著國內(nèi)企業(yè)逐步突破行業(yè)內(nèi)高端產(chǎn)品的核心技術(shù),我國功率半導(dǎo)體器件對進口的依賴將會減弱,進口替代的市場機遇逐漸顯現(xiàn)。功率半導(dǎo)體器件是國民經(jīng)濟中各行業(yè)發(fā)展的基礎(chǔ)元器件,其技術(shù)進步和應(yīng)用領(lǐng)域的拓寬既能夠促進工業(yè)的產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)升級,也為居民生活帶來更多便利和舒適。
目前,第三代半導(dǎo)體材料及其應(yīng)用是全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)戰(zhàn)略競爭新高地,目前我國正迎來發(fā)展第三代半導(dǎo)體的重要窗口期。功率半導(dǎo)體從原材料到設(shè)計、晶圓制造加工裝備、封測,幾乎可以實現(xiàn)全產(chǎn)業(yè)鏈國產(chǎn)化。雖然我國已發(fā)展成為全球第一大功率半導(dǎo)體市場,但國產(chǎn)自給率較低,行業(yè)仍存巨大供需缺口,國產(chǎn)替代將是未來重要的發(fā)展方向。
為了更好的把握時機推進產(chǎn)業(yè)的發(fā)展,打破功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)在材料與裝備、芯片制造、封裝模組、系統(tǒng)應(yīng)用等環(huán)節(jié)產(chǎn)業(yè)化主要技術(shù)瓶頸,引領(lǐng)技術(shù)及市場風向。半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)在南京大學電子科學與工程學院、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟等單位的指導(dǎo)下,擬定于2021年在南京組織召開“2021功率與射頻半導(dǎo)體技術(shù)市場應(yīng)用峰會(CASICON 2021)” 邀請行業(yè)眾多技術(shù)及應(yīng)用專家進行研究、分享、交流。歡迎各研究院所、高校、產(chǎn)業(yè)鏈企事業(yè)單位參與討論。
三、會議安排:

四、報告嘉賓&主題報告:
1、8月8日報告(陸續(xù)更新中)
報告嘉賓:陳堂勝--中國電科首席科學家/微波毫米波單片集成和模塊電路重點實驗室主任
主題報告:低溫鍵合金剛石GaN HEMT微波功率器件
主題報告:低溫鍵合金剛石GaN HEMT微波功率器件
報告嘉賓:陳敦軍--南京大學電子科學與工程學院副院長、教授
主題報告:GaN功率開關(guān)器件及其高頻電源應(yīng)用
報告嘉賓:孫偉鋒--東南大學教務(wù)處處長 教授
主題報告:功率電子電路設(shè)計(TBD)
報告嘉賓:龍世兵--中國科學技術(shù)大學微電子學院執(zhí)行院長
主題報告:功率電子電路設(shè)計(TBD)
報告嘉賓:龍世兵--中國科學技術(shù)大學微電子學院執(zhí)行院長
主題報告:低成本高性能氧化鎵功率器件
報告嘉賓:Dr Simon Li--Founding director, Crosslight Software Inc and GaNPower Intl. Inc
主題報告:Pushing GaN power devices to the limit - A material and TCAD perspective
報告嘉賓:Dr Simon Li--Founding director, Crosslight Software Inc and GaNPower Intl. Inc
主題報告:Pushing GaN power devices to the limit - A material and TCAD perspective
報告嘉賓:張 云--天津大學電氣自動化與信息工程學院教授
主題報告:新能源汽車電力電子系統(tǒng)及其運行控制
報告嘉賓:黃潤華--中電科五十五所副主任設(shè)計師
主題報告:碳化硅MOSFET技術(shù)問題及55所產(chǎn)品開發(fā)進展
報告嘉賓:戴小平-株洲中車電氣時代/湖南國芯總經(jīng)理
主題報告:SiC模塊封裝技術(shù)探討
2、8月9日報告(陸續(xù)更新中)
報告嘉賓:程新紅--中科院上海微系統(tǒng)研究所研究員
主題報告:SOI基GaN材料及功率器件集成技術(shù)
報告嘉賓:鄧小川--電子科技大學教授
主題報告:極端應(yīng)力下碳化硅功率MOSFET的動態(tài)可靠性研究
報告嘉賓:惠 峰--云南鍺業(yè)公司首席科學家/中科院半導(dǎo)體所研究員
主題報告:VCSEL用六英寸超低位錯密度砷化鎵單晶片研制及應(yīng)用
報告嘉賓:陳 鵬--南京大學教授
主題報告:GaN肖特基功率器件新進展
報告嘉賓:倪煒江--安徽芯塔電子科技有限公司 總經(jīng)理
主題報告:高性能高壓碳化硅功率器件設(shè)計與技術(shù)
報告嘉賓:李 強--西安交通大學
主題報告:基于HBN 的射頻器件
報告嘉賓:吳 彤--安森美首席SiC 專家
主題報告:Adopt of SiC devices in EV applications
報告嘉賓:吳 亮--奧趨光電CEO
主題報告:高質(zhì)量AlN/AlScN單晶襯底與薄膜制備技術(shù)及其在射頻濾波領(lǐng)域應(yīng)用前景展望
報告嘉賓:張保平--廈門大學電子科學與技術(shù)學院 副院長、教授
主題報告:氮化鎵基VCSEL技術(shù)進展
報告嘉賓:蔚 翠--中電科第十三研究所研究員
主題報告:金剛石微波功率器件研究
報告嘉賓:左 超--愛發(fā)科商貿(mào)(上海)有限公司電子營業(yè)部部長
主題報告:量產(chǎn)高性能功率與射頻器件的ULVAC裝備技術(shù)
報告嘉賓:裴 軼--蘇州能訊高能半導(dǎo)體有限公司技術(shù)副總裁
主題報告:面向5G移動通訊的氮化鎵射頻功率器件
報告嘉賓:王祁玉--益豐電子副總經(jīng)理
主題報告:射頻器件(TBD)
報告嘉賓:袁 理--青島聚能創(chuàng)芯微電子有限公司
主題報告:面向快充應(yīng)用的GaN材料和器件技術(shù)
報告嘉賓:劉 雯--西交利物浦大學
主題報告:硅基GaN MIS-HEMT 單片集成技術(shù)
報告嘉賓:陳鈺林--英諾賽科科技股份有限公司副總裁
主題報告:八英寸硅基氮化鎵技術(shù)進展(TBD)
報告嘉賓:顧 星--蘇州漢驊半導(dǎo)體有限公司
主題報告:GaN 射頻器件(TBD)
主題報告:氧化鎵基雙極型異質(zhì)結(jié)功率器件研究
報告嘉賓:葉建東--南京大學教授
報告嘉賓:劉新科--深圳大學副教授
報告嘉賓:劉新科--深圳大學副教授
主題報告:基于氮化鎵單晶襯底的半導(dǎo)體功率器件
報告嘉賓:彭 燕--南砂晶圓研發(fā)中心主任,山東大學副教授
主題報告:碳化硅與金剛石單晶襯底技術(shù)與產(chǎn)業(yè)化研究
報告嘉賓:葉念慈--三安集成技術(shù)市場總監(jiān)
主題報告:(TBD)
報告嘉賓:樊嘉杰--復(fù)旦大學青年研究員
主題報告:SiC功率器件先進封裝材料及可靠性優(yōu)化設(shè)計
報告嘉賓:紐應(yīng)喜--啟迪半導(dǎo)體研發(fā)總監(jiān)
主題報告:碳化硅外延裝備及技術(shù)進展
報告嘉賓:童吉楚--乾照激光副總經(jīng)理
主題報告:VCSEL 技術(shù) (TBD)
報告嘉賓:程 凱--蘇州晶湛半導(dǎo)體
主題報告:用于新型GaN功率器件的外延技術(shù)進展
報告嘉賓:楊學林--北京大學物理學院高級工程師
主題報告:Si襯底上GaN基電子材料外延生長技術(shù)研究進展
報告嘉賓:徐尉宗--南京大學研究員
主題報告:面向高可靠性、高能效應(yīng)用的GaN HEMT增強型器件技術(shù)
更多報告嘉賓正在確認中!!!
擬參與單位:華為、中興、南京大學、三安光電、東南大學、英諾賽科、鍇威特、泰科天潤、基本半導(dǎo)體、捷捷微電、中微公司、蘇州納維、廈門大學、南砂晶圓、瀚天天成、蘇州晶湛、云南鍺業(yè)、Crosslight、英飛凌、GaNPower、安森美、許繼電氣、中車時代、國家電網(wǎng)、中芯集成、華潤微電子、南大光電、AIXTRON、中電科五十五所、中電科十三所 西安電子科技大學、江蘇能華、西安交通大學、北京大學,電子科技大學,河北同光、山東天岳、天津大學、聚能創(chuàng)芯,賽微電子,南京百識,唐晶量子,天科合達,漢驊半導(dǎo)體,南京百識,大族激光,德儀,江蘇三代半研究院等
投稿 :Oral或Poster :500字左右擴展摘要提交到 1957340190@qq.com。
參會注冊 :注冊費 2000 (會議資料,招待晚宴,自助餐)
開戶行:中國銀行北京科技會展中心支行
賬 號:336 356 029 261
名 稱:北京麥肯橋新材料生產(chǎn)力促進中心有限公司
參會/贊助/商務(wù)合作:
聯(lián)系人:賈先生18310277858,jiaxl@casmita.com
聯(lián)系人:賈先生18310277858,jiaxl@casmita.com
張小姐13681329411,zhangww@casmita.com
協(xié)議酒店:城市名人酒店(協(xié)議價400,含早)
聯(lián)系人:王瑋18652978537,648231476@qq.com
防疫須知:會務(wù)組最新咨詢南京市衛(wèi)健委并得到最新回復(fù),目前進出南京市不需要核酸檢測證明,只要14天內(nèi)沒去過中高風險區(qū)和出入境經(jīng)歷,體溫無異常情況下,均可持綠碼進出南京城參加會議
聯(lián)系人:王瑋18652978537,648231476@qq.com
防疫須知:會務(wù)組最新咨詢南京市衛(wèi)健委并得到最新回復(fù),目前進出南京市不需要核酸檢測證明,只要14天內(nèi)沒去過中高風險區(qū)和出入境經(jīng)歷,體溫無異常情況下,均可持綠碼進出南京城參加會議