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利普思第三代功率半導體、中微億芯FPGA兩大項目開工

日期:2021-07-20 來源:半導體產業網閱讀:311
核心提示:日前,2021年三季度重大項目現場推進會暨工裝自控高端閥門智造中心項目奠基儀式于無錫濱湖區舉行。
日前,2021年三季度重大項目現場推進會暨工裝自控高端閥門智造中心項目奠基儀式于無錫濱湖區舉行。
 
會上,無錫利普思半導體有限公司投資的第三代功率半導體SiC模塊封裝線項目、中國電科集團下屬無錫中微億芯公司投資的億門級高性能FPGA系列產品研發及產業化項目等19個重大項目集中開工。此次開工的項目總投資達113.9億元,今年計劃投資25億元。
 
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下面是部分項目介紹:
 
第三代功率半導體SiC模塊封裝線項目
 
該項目由無錫利普思半導體有限公司投資建設,計劃引進2條自動化程度較高的先進第三代功率半導體SiC模塊封裝生產線,包含全自動銀燒結機、真空焊接機、全自動端子機、測試機等進口設備。據披露,項目達產后,可形成年產模塊產能50萬臺的生產能力。
 
項目總投資2億元,建設地點于蠡園開發區創意園一期,建設起止年限為2021年至2024年。
 
據了解,無錫利普思半導體有限公司是一家專業從事功率半導體模塊(包括IGBT模塊和SiC模塊)研發、生產和銷售服務的科技企業,主要產品包括新能源汽車和工業用的高可靠性SiC和IGBT模塊。
 
億門級高性能FPGA研發及產業化項目
 
該項目由中國電科集團下屬無錫中微億芯公司投資建設,專業主打自主可控FPGA芯片產品,為系統整機廠商提供高集成度、高靈活性、高性價比的超大規模FPGA、SoC等產品。據悉,項目將完成產品全流程設計和配套軟件的生態建設,完成應用IP開發和系統集成。預計竣工投產后,未來3年可實現銷售收入9.5億元。
 
項目總投資1.6億元,建設地點于蠡園開發區集成電路設計中心A6樓,建設起止年限為2021年至2023年。
 
官微資料顯示,無錫中微億芯有限公司成立于2013年,專業從事高性能可編程SoC和AI芯片研發,致力于為客戶提供安全可靠的高性能可編程系統及方案,重點打造AI、SoC等高性能處理器芯片和基于3D技術的微系統和Chiplet產品。 
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