近年來，寬禁帶半導體已成為全球高技術競爭戰略制高點之一，國際半導體及材料領域研究和發展的熱點，基于寬禁帶半導體材料，半導體照明已經形成巨大規模的產業，并在電子功率器件領域繼續深入發展。為推動我國寬禁帶半導體領域的發展，加強各界交流與協同創新，2015年10月，中國電子學會電子材料學分會發起并主辦了首屆全國寬禁帶半導體學術會議，會議由中國科學院蘇州納米技術與納米仿生研究所承辦。自第二屆開始，會議更新為由中國有色金屬學會寬禁帶半導體專業委員會、中國電子學會電子材料學分會兩家單位共同主辦。廣東省半導體產業技術研究院、第三代半導體產業技術創新戰略聯盟共同承辦了第二屆大會。

 

隨著大會規模和影響力的不斷增強，今年，“全國寬禁帶半導體學術會議”迎來了第四屆，定于2021年11月7-10日在美麗的鷺島廈門舉辦，由中國有色金屬學會寬禁帶半導體專業委員會、中國電子學會電子材料學分會、第三代半導體產業技術創新戰略聯盟共同主辦，廈門大學和南京大學聯合承辦。

 

以氮化物半導體等為代表的寬禁帶半導體材料具有高擊穿電場、高飽和電子速度、高熱導率、高電子密度、高遷移率等特點，在新能源汽車、通信以及家用電器等領域發揮重要作用，有著巨大的應用前景。目前，市場火熱的5G基站、新能源汽車和快充等都是第三代半導體的重要應用領域。“一代材料、一代產業”，材料生長與提升關系著諸多產業的發展，本屆大會將關注氮化物半導體、氧化物半導體、碳化硅、金剛石等材料的最新進展與成果。

 

材料的物理性能隨材料成分、組織結構及外界使用環境變化而變化。不同的成分的材料，制備加工工藝不同，得到的組織結構不同，可具有不同的性能。了解這些規律有助于發掘材料的最佳性能。本屆會議將關注材料物性和表征技術，涉及光、電、磁、熱性質、缺陷物理等的最新研究。

 

第三代半導體材料可以實現更好的電子濃度和運動控制，更適合于制作高溫、高頻、抗輻射及大功率電子器件，在光電子和微電子領域具有重要的應用價值。其中LED作為第三代半導體材料的第一個成功應用突破口，已經形成了巨大的產業規模，還有LD、光電探測器等諸多應用方向，

 

光電子器件、射頻電子器件是第三代半導體材料的重要應用方向，射頻電子器件方面，5G通信基站、雷達等推動GaN射頻市場需求不斷增大。新能源汽車和充電樁市場是碳化硅功率器件市場增長的重要動力。隨著新能源汽車的發展，對功率半導體器件的需求量將會日益增加。電子器件及其應用也將是本屆會議的重要關注方向。

 

當前，寬禁帶材料與器件的研究開發呈現出日新月異的發展勢態，并不斷有新的成果出現，本屆大會將引入更多超寬禁帶半導體、二維寬禁帶半導體、有機寬禁帶半導體等新型寬禁帶材料與器件的最新進展

 

作為國內為數不多的全國寬禁帶半導體學術會議，屆時國家來自國內寬禁帶半導體領域學術界、產業界的專家學者、科研技術人員、院校師生、企業家代表等，將圍繞寬禁帶半導體材料生長技術、材料結構與物性、光電子和電子器件研發以及相關設備研發等領域開展廣泛交流，促進產學研用的交流合作。深信這次會議必將對我國寬禁帶半導體材料與器件的學術研究、技術進步、產業發展起到有力的推動作用。