半導體產業發展至今經歷了三個階段，第一代半導體材料以硅為代表，第二代半導體材料砷化鎵也已經廣泛應用，而以氮化鎵和碳化硅、氧化鋅、氧化鋁、金剛石等為代表的第三代半導體材料。相較前兩代產品性能優勢顯著，憑借其高效率、高密度、高可靠性等優勢，在新能源汽車、通信以及家用電器等領域發揮重要作用，成為業內關注的新焦點。

常見的第三代半導體材料包括：碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）、金剛石、氧化鋅、氮化鋁等。其中，從SiC和GaN技術發展相對成熟，已經開始產業化應用，而金剛石、氧化鋅、氮化鋁等材料尚處于研發起步階段。

在全球科技的博弈下，大眾對于半導體的認知更深入，今年普及的熱門領域是材料學的第三代半導體。作為半導體產業鏈中的新機遇，第三代半導體受到熱捧，國內各省市也紛紛加速布局，推動產業發展，長三角和珠三角仍是實力雄厚的兩大區域。各地爭先規劃的背后，是對半導體產業的重視和新突破點的籌謀。一方面，第三代半導體產業市場正在加速潛行，第三代半導體產業技術創新戰略聯盟（CASA）發布的《第三代半導體產業發展報告（2020）》指出，未來5年將是第三代半導體產業發展的關鍵期，全球資本加速進入第三代半導體材料、器件領域，產能大幅度提升，企業并購頻發，正處于產業爆發前的“搶跑”階段。

 

另一方面，第三代半導體的需求在持續爆發，應用場景包括5G基站中的功率放大器、5G通信電源；新能源汽車逆變器、以及充電樁電源模塊；數據中心和工業互聯網中的服務器電源；特高壓、軌道交通的電源；手機快充等等。根據Yole和Omdia數據，到2020年底，碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）功率半導體的全球市場將增長到8.54億美元，SiC電力電子市場規模約為7.03億美元，GaN電力電子市場規模約為1.51億美元。到2025年SiC電力電子市場規模將超過30億美元，GaN電力電子器件市場規模將超過6.8億美元。

全球 SiC產業格局呈現美國、歐洲、日本三足鼎立態勢。其中美國全球獨大，全球SiC產量的70%~80%來自美國公司，典型公司是Cree、Ⅱ-Ⅵ；歐洲擁有完整的SiC襯底、外延、器件以及應用產業鏈，典型公司是英飛凌、意法半導體等；日本是設備和模塊開發方面的領先者，典型公司是羅姆半導體、三菱電機、富士電機等。

盡管目前國內第三代半導體在規模和技術方面發展迅速，但和國際上的主要公司相比仍然有不小差距。與國際企業相比，我國第三代半導體產業規模仍然較小，企業優勢不明顯。根據CASA Research的不完全統計，截至2020年底，國內有超過170家從事第三代半導體電力電子和微波射頻的企業（2018年這個數字尚不足100家），覆蓋了從上游材料的制備(襯底、外延)、中游器件設計、制造、封測到下游的應用，基本形成完整的產業鏈結構。

因此，地方政府和企業們也在新賽道上提速卡位，不過需要指出的是，目前半導體市場90%仍然是以硅材料為代表的第一代半導體，第三代半導體的市場份額不到10%，和一代二代形成互補，還需要繼續攻堅和培育。