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SiC器件年產能200萬只!青銅劍第三代半導體產業基地項目主體開建

日期:2021-07-07 來源:半導體產業網閱讀:369
核心提示:7月5日,基本半導體青銅劍第三代半導體產業基地項目有了新進展目前,該項目已完成基坑建設,施工方開始建設主體。據介紹,2021年
近日,基本半導體&“青銅劍第三代半導體產業基地項目已完成基坑建設,施工方開始建設主體。
 
據介紹,2021年1月18日,該項目完成奠基儀式,項目總投資3.5億元,占地8073.79平方米,總建筑面積近5萬平方米,預計2022年底完工。
 
據《深圳特區報》報道,該項目被列入深圳市2021年重大項目清單,是深圳加快第三代半導體產業發展的布局。該基地將作為青銅劍科技集團總部,同時建設第三代半導體研發中心、車規級碳化硅功率器件封裝線和中歐創新中心孵化器等,最終形成國內領先的具備全產業鏈研發和生產制造能力的第三代半導體產業基地。項目預計2023年4月建成投產,屆時碳化硅器件年產能將達200萬只。
 
據基本半導體介紹,其車規級碳化硅模塊在2019年第四季度開始上車測試。2019年,其650V二極管通過車規認證,1200V碳化硅MOSFET進入小批量的量產階段。據基本半導體總經理和巍巍透露,他們和眾多行業標桿企業進行合作。
 
2021年3月,基本半導體還獲得博世集團旗下羅伯特·博世創業投資公司的戰略投資。此前還完成多輪融資,投資方包括聞泰科技、中車時代高新投資等。
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