半導體產業網根據公開消息整理：德州儀器、比亞迪半導體、深南電路、華虹半導體、順絡電子、賽微電子、士蘭微等公司近期最新動態，以及行業動態如下（僅供參考）：
 

6月30日，德州儀器官網宣布將以9億美元收購美光科技公司的猶他州Lehi 300mm晶圓廠，以提高產能。Lehi晶圓廠將是德州儀器的第四個300mm晶圓廠，加入DMOS6、RFAB1和即將完工的RFAB2，成為德州儀器晶圓廠制造業務的一部分。除了作為300mm晶圓廠的價值外，此次收購也是一項戰略舉措，因為Lehi晶圓廠將從65nm和45nm生產開始德州儀器的模擬和嵌入式處理產品，并能夠根據需要超越這些節點。
 

6月30日，比亞迪半導體股份有限公司創業板上市申請獲受理。根據招股書，比亞迪半導體本次擬公開發行股數不超過5000萬股，不低于發行后總股本的10%，擬募集資金金額26.86億元，扣除發行費用后將用于新型功率半導體芯片產業化及升級項目、功率半導體和智能控制器件研發及產業化項目、補充流動資金。根據招股書披露，2020年，比亞迪半導體各業務收入占比分別為：功率半導體32.41%，智能控制IC13.17%，智能傳感器22.69%，光電半導體22.46%，制造及服務9.27%。招股書顯示，比亞迪半導體本次擬募資26.86億元，募投項目包括新型功率半導體芯片產業化及升級項目、功率半導體和智能控制器件研發及產業化項目、補充流動資金，分別擬使用募集資金金額3.12億元、20.74億元、3.00億元。比亞迪稱，公司本次募集資金運用緊密圍繞主營業務進行，在全球車規級半導體晶圓產能持 續供給緊張的情況下，通過自建產線、產能擴張的方式保障晶圓的穩定供應，實現功率半導體和智能控制IC關鍵生產步驟的自主可控，鞏固并提升公司的市場地位和綜合競爭力。其中，新型功率半導體芯片產業化及升級項目投資總額7.36億元。項目建成后，公司將擁有月產2萬片SiC功率半導體晶圓制造產能。功率半導體和智能控制器件研發及產業化項目是這次募投的重頭戲。該項目投資總額20.74億元，將在長沙半導體現有廠房內引進晶圓生產配套設施和專業的工藝開發及生產人員，開展月產能合計2萬片8英寸功率半導體和智能控制IC晶圓生產建設項目。
 

6月30日，順絡電子發布業績預告,預計2021年上半年歸屬于上市公司股東的凈利潤3.87億元-4.36億元,同比增長60%-80%;基本每股收益盈利0.49元-0.55元。順絡電子指出，今年上半年保持了自去年二季度開始的持續快速發展趨勢，各項業務持續增長，有望連續五個季度的單季銷售收入和凈利潤創歷史新高。此外，新工業園預計在8月份部分可投入生產，將緩解公司發展場地瓶頸問題。

 

6月30日，賽微電子發布調研活動信息，日前接待東北證券、平安基金的調研人員，并對機構關心的MEMS代工產線、氮化鎵（GaN）業務方面的產能情況等問題進行答復。對于北京MEMS代工產線目前的產能情況，以及未來的產能計劃，賽微電子進行了詳細介紹：公司北京MEMS產線的建設總產能為3萬片/月，目前一期產能1萬片/月已建成，2020年Q4內部調試，今年Q1開始晶圓驗證，今年6月10日實現正式生產，今年下半年預計實現50%的產能，即月產5000片晶圓，2022年實現一期100%的產能，即月產10,000片晶圓；2023年實現月產1.5萬片晶圓，2024年實現月產2萬片晶圓，2025年實現月產2.5萬片晶圓，2026年實現月產3萬片晶圓。隨著北京產線工藝制造水平的逐漸成熟，若訂單及客戶需求的增長超出預期，則上述自2022年起的產能爬坡進度有可能加快。

 

對于在氮化鎵（GaN）業務方面的產能情況以及整體布局情況。賽微電子表示，在GaN外延片方面，公司已建成的6-8英寸GaN外延材料制造項目（一期）的產能為1萬片/年，目前已簽訂千萬級銷售合同并根據商業條款安排生產及交付。在GaN器件設計方面，產能主要受到供應方制造商產能的限制，目前在技術、應用及需求方面是沒問題的，關鍵在產能供應端受限，在這方面公司也已對外簽訂了批量流片合同，努力緩解產能瓶頸問題。截至目前，賽微電子GaN外延晶圓和功率器件的訂單金額合計已超過3,000萬元人民幣，將陸續體現在后續的業務收入中。另一方面，賽微電子GaN業務子公司聚能創芯參股投資設立青州聚能國際半導體制造有限公司，目標是在2021年內建成GaN產線并做好投產準備，以盡快推動產能建設，完善IDM布局，進一步形成自主可控、全本土化、可持續拓展的GaN材料、設計及制造能力。
 

日前，深南電路公告，公司擬以自有資金及自籌資金60億元用于廣州封裝基板生產基地項目建設。項目總投資約人民幣60億元，其中固定資產投資總額累計不低于58億元，項目一期固定資產投資不低于38億元，項目二期固定資產投資不低于20億元。公告稱，公司擬以2億元人民幣在廣州市開發區投資設立全資子公司，并以廣州子公司作為項目實施主體，以公司自有資金及自籌資金建設FC-BGA封裝基板項目。項目整體達產后預計產能約為2億顆FC-BGA、300萬panelRF/FC-CSP等有機封裝基板。
 

6月30日，由國家智能傳感器創新中心（簡稱“創新中心”）建設的國內首條12英寸先進傳感器中試線成功通線。該中試線以國產設備為主，具備晶圓鍵合、晶圓減薄、干濕法刻蝕、物理和化學氣相沉積、原子層沉積、化學機械研磨、濕法清洗、自動化量測等先進傳感器和晶圓級3D集成技術的核心工藝能力，同時為國產裝備提供驗證平臺，加速先進傳感器產業鏈國產化，實現自主可控。創新中心將在12英寸中試線持續開發新材料、新工藝、新器件和新集成等關鍵共性技術，重點突破光學、聲學、力學、生物等先進傳感器的核心工藝，并推動相關產品及應用的產業化。12英寸中試線位于上海智能傳感器產業園內，產業園以智能傳感器為核心，以創新平臺和龍頭企業為支撐，力爭將上海嘉定打造成國內傳感器領域產業高地。
 

日前，山東省棗莊市嶧城區峨山鎮重點項目芯恒光電子信息產業園竣工試產。據消息稱，芯恒光電子信息產業園為市重點外商投資項目，是山東省存儲類芯片封測企業。該項目總投資5800萬美元，總建筑面積16000平方，主要建設全自動高速SMT貼片生產線、嵌入式存儲芯片封裝測試線、固態硬盤SSD生產線、超薄U盤生產線。項目建成后可實現年封測存儲芯片4000萬顆以上。據介紹，該項目擁有專家蘇輝博士領銜團隊和日本工程院院士王序進專家團隊作為技術支撐，掌握芯片自主研發設計核心技術，并已獲得多項專利技術。封裝工藝可封薄至0.04的wafer，可做4疊以上封裝，具備工業級封裝能力。項目主要合作企業為三星、金士頓、海力士、臺灣日月光、長江存儲等知名品牌。
 

華虹半導體有限公司宣布，公司將全面發力與IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)產品客戶的合作，積極打造IGBT生態鏈。目前公司代工的IGBT芯片極具市場競爭力，已加速導入新能源汽車、風力發電、白色智能家電等市場，進一步豐富IGBT產品線，為公司增添新業務增長點。華虹半導體量產的IGBT產品系列眾多，電壓涵蓋600V至1700V，電流從10A到400A，產品線逐漸從民生消費類跨入工業商用、新能源汽車等領域。除了追求高壓功率器件所需的更高功率密度和更低損耗，公司正在開發片上集成傳感器的智能化IGBT工藝技術與更高可靠性的新型散熱IGBT技術，以更好地服務全球市場對IGBT產品的增長性需求。
 

6月30日，蘇州高新區與華锝先進半導體（蘇州）有限公司簽約，華锝先進半導體項目落戶蘇州高新區。蘇州高新區發布介紹稱，華锝先進半導體（蘇州）有限公司由國內半導體業MEMS傳感技術企業華景傳感科技有限公司和國內半導體封測企業蘇州固锝電子股份有限公司合資創立，注冊資本1億元，五年累計投資不少于2億元，從事MEMS傳感器產業后端技術研發及MEMS傳感器先進封測業務。項目一期產線將建立符合華為體系標準的MEMS聲學傳感器的封測基地，主要客戶有小米、科大訊飛等知名品牌； 二期將引入國內首創MEMS硅麥克風及射頻濾波器的WLP晶圓級封裝產線，該晶圓級封裝為芯片流片工藝最后一道關鍵工藝，華锝先進半導體（蘇州）有限公司將擁有自主晶圓級封裝相關自主技術知識產權。
 

近日，無錫市同步電子科技有限公司完成2億元股權融資。豐年資本、毅達資本、國投創合、無錫新投以投前10億元估值完成對同步電子投資。據悉，同步電子是全面具備設計、生產、電子裝聯等航天航空及國防電子制造企業，主要提供PCB設計、PCB生產、電子裝聯、結構熱控和元器件齊套一體化的國防電子制造服務解決方案。
 

6月30日，證監會發布公告稱，杭州士蘭微電子股份有限公司發行股份購買資產獲有條件通過。近期，士蘭微擬通過發行股份方式，購買大基金持有的集華投資19.51%股權和士蘭集昕20.38%股權。其中，集華投資19.51%股權最終交易定價為3.53億元；士蘭集昕20.38%股權最終交易定價為7.69億元。本次重組標的資產的整體作價合計為11.22億元。