近年來，隨著第三代半導體產業的發展，全國各地政策的支持，國內越來越多的企業投身其中，各地項目不斷涌現。
近日，兩大碳化硅項目官宣進展。露笑科技總投資100億的第三代功率半導體（碳化硅）產業園項目宣布，研發的碳化硅襯底片已送樣檢測通過，近期投產。山東國宏中能年產11萬片碳化硅襯底片項目宣布投產生產。
增資1.1億！近期投產
6月26日，露笑科技連發兩則公告，官宣其第三代功率半導體（碳化硅）產業園項目最新動態。
合肥露笑半導體材料有限公司”（以下簡稱“合肥露笑半導體”），注冊資本 2 億元人民幣，為露笑科技“第三代功率半導體（碳化硅）產業園項目”的項目公司。
據公告顯示，露笑科技等企業簽署了《合肥露笑半導體材料有限公司增資協議》，協議約定對合肥露笑半導體增加 1.1 億元注冊資本，投促基金擬認繳目標公司新增注冊資本 9,500 萬元，露笑科技擬認繳目標公司新增注冊資本 1,500 萬元。
據悉，合肥露笑半導體研發的碳化硅襯底片已送樣檢測通過，目前正在積極向下游客戶進行送樣；合肥露笑半導體一期生產用設備的安裝調試工作已經完成，并準備近期投產。
項目總投資100億元，占地面積88畝，主要建設第三代功率半導體（碳化硅）的設備制造、長晶生產、襯底加工、外延制作等產業鏈的研發和生產基地。
項目分三期建設。
· 一期預計投資21億元，建成達產后，可形成年產24萬片導電型碳化硅襯底片和5萬片外延片的生產能力；
· 二期預計投資39億元，建成達產后，將形成年產10萬片6英寸外延片和年產10萬片8英寸襯底片生產能力；
· 三期預計投資40億元，達產后將形成年產10萬片8英寸外延片和年產15萬片8英寸襯底片生產能力。
山東國宏中能
年產11萬片SiC襯底項目投產
6月25日，由國宏中宇科技發展有限公司控股，山東國宏中能科技發展有限公司投資建設的年產11萬片碳化硅襯底片項目在山東河口經濟開發區宣布投產生產。
項目總投資6.5億元，總建筑面積3萬平方米。
2018年9月項目立項；2019年9月開工建設；2020年5月完成一期廠房主體結構施工；2020年12月完成第一批工藝設備安裝、調試；2021年1月啟動試生產。
據此前消息披露，項目建成投產后，主要生產4英寸、6英寸4-HN型碳化硅襯底片和4英寸4-H半絕緣型碳化硅襯底片。產品為新型半導體材料，主要應用高壓電力電子器件、航天、軍工、核能等領域，可實現年銷售收入7億元，新增就業人員150余人。
