半導體產業網根據公開消息整理：三安光電、納微科技、格羅方德、國星光電、飛恩微電子、臺積電、北京申國科技等公司近期最新動態，以及行業動態如下（僅供參考）：
 

據媒體報道，比亞迪半導體于6月15日向客戶發出漲價通知函，決定從2021年7月1日起對IPM、IGBT單管產品進行價格調整，提漲幅度不低于5%。比亞迪半導體稱，由于市場變化，上游產能緊張及供應商價格上調，導致我司產品成本不斷上升，原有價格難以滿足供應需求。為保證產品的持續供應，經公司酌情考慮后，決定對上述產品進行調漲，即日起在途和未交訂單按照新價格執行。
 

6月22日，SEMI（國際半導體產業協會）在最新發布的報告中預測，全球半導體廠商將在今年年底前開始建設19座新的高產能晶圓廠，并在2022年再開工建設10座。從地域分布看，中國處于領先地位。報告預測，中國大陸和臺灣地區將各新建8個晶圓廠；其次是美洲地區，將新建6個，歐洲和中東共有3個，日本和韓國各有2個。在這29座晶圓廠中，有15座是晶圓代工廠，月產能為3萬至22萬片（8英寸等效）。到2022年，半導體行業將實現三年連續增長，迎來超級周期。
 

中銀證券研報指出，全球功率半導體廠商6月陸續漲價。多家功率半導體廠商在近期發布了漲價通知，ST宣布全系列產品于6月1日開始漲價；安森美宣布部分產品價格上調，生效日期定于7月10日。功率半導體龍頭英飛凌公告稱，因受馬來西亞持續封鎖影響，馬六甲封測廠損失2-3周產能，6月中旬新一輪產品漲價，MOSFET的漲幅將有12%。
 

6月23日，總投資160億元、總占地面積1000畝的湖南三安半導體項目，迎來首批廠房投產點亮儀式。作為湖南省的重點項目之一，湖南三安半導體項目將在長沙高新區建設形成集長晶、襯底、外延、芯片、封裝測試于一體的全產業鏈項目，是全球第三條、中國首條碳化硅全產業鏈生產線，其產品可廣泛用于新能源汽車、高鐵機車、航空航天和無線(5G)通訊等領域，這必將成為推動湖南新一代半導體及集成電路產業鏈發展的重大動力。

 

湖南三安半導體項目將建設包括但不限于碳化硅等化合物第三代半導體的研發及產業化項目，包括長晶—襯底制作—外延生長—芯片制備—封裝產業鏈，研發、生產及銷售6寸SIC導電襯底、4寸半絕緣襯底、SIC二極管外延、SiC MOSFET外延、SIC二極管外延芯片、SiC MOSFET芯片、碳化硅器件封裝二極管、碳化硅器件封裝MOSFET。湖南三安半導體基地全部建成達產后，預計將實現年銷售額120億元，年貢獻稅收17億元，將促進第三代半導體行業加快發展，帶動周邊配套產業近萬個就業機會。
 

6月23日，高瓴創投被投企業蘇州納微科技股份有限公司（股票簡稱“納微科技”，股票代碼“688690”）正式在上海證券交易所科創板成功掛牌上市，公司本次發行股份數量為4400.00萬股，發行價格為8.07元，募集資金3.55億元。
 

晶圓代工廠格羅方德 (GLOBALFOUNDRIES) 6月22日宣布，將與新加坡經濟發展局合作，在已承諾客戶的共同投資下，斥資 40 億 美元 ，在新加坡設立 12 吋新廠，預計 2023 年完工，屆時年產能將增加 45 萬片，以因應高漲的市場需求。格羅方德預計，12 吋新廠興建完畢后，將提供 1000 名高價值就業機會，包括技師、工程師等，預計 2023 年啟用，屆時年產能將增加 45 萬片，整體新加坡廠區的年產能上升至 150 萬片。
 

近日，國星光電受第三代半導體產業技術創新戰略聯盟標委會（CASAS）邀請參與了《碳化硅金屬氧化物半導體場效應晶體管（SiC MOSFET）熱阻電學法測試方法》、《碳化硅金屬氧化物半導體場效應晶體管（SiC MOSFET）功率循環試驗方法》兩項團體標準的起草與草案討論（線上），助力加速第三代半導體國產化替代進程。

 

近期，國星光電的TO系列產品已送至第三方有資質的機構，完成了相關工業級可靠性測試，SiC產品線進一步擴展，目前SiC-TO產品已開發完成5種封裝大類的開發（TO-247/TO-220/TO-252/TO-263/DFN5*6），建設6個系列化產品線：SiC-SBD 650V 2-50A系列、SiC-SBD 1200V 2-60A系列、 SiC-MOS 1200V 18-160mΩ系列、SiC-SBD 1700V 5-30A系列、SiC-SBD 3300V 1-5A系列、內絕緣型SiC-SBD/MOS 系列。
 

近日，武漢飛恩微電子有限公司（以下簡稱“飛恩微電子”）完成過億元戰略融資，本輪融資由宏泰海聯領投，三花弘道及長石資本跟投。本輪戰略融資為飛恩在智能家居及新能源汽車領域的布局打下了堅實的基礎。此前，飛恩微電子已獲多輪融資，投資方包括朗盛投資 、方廣資本 、和利資本、軟銀中國資本、長江證券等。飛恩微電子成立于2011年，是致力于為汽車、物聯網、智能家居及工業控制行業提供MEMS傳感器及系統產品的高新技術企業?；诠に噾δＰ头庋b技術和高效批量標定測試算法，該公司建立了數條全球領先的單件流全自動化生產線，產品已覆蓋整車所有壓力傳感器應用，已實現數千萬只汽車前裝配套。
 

業內消息人士稱，臺積電預計最早將于2022年年中在美國亞利桑那州的5nm先進制程工廠啟動設備安裝。富士邁半導體（Foxsemicon Integrated Technology）、帆宣系統科技（Marketech International）、漢唐集成（United Integrated Services，UIS）均為該工廠的設備供應商。其中，潔凈室建造商漢唐集成將很快派數百名工程人員到亞利桑那州參與晶圓廠的建設；帆宣系統科技作為ASML的EUV模組生產伙伴，也將向工廠派遣一組工程師，預計將在2022年第三季度開始確認新工廠的訂單收入。除了亞利桑那州工廠破土動工外，臺積電近期也開始在中國臺灣南部的工廠建造5nm和3nm先進制程新設施。同時還計劃在新竹科技園（HSP）建新廠，用于2nm制程制造，目前正在收購土地。此外，臺積電正在中國臺灣北部的楚南建設一個先進封裝工廠，并預計在2022年下半年在該工廠實現SoIC技術的商業化。

 

6月16日，北京申國科技集團有限公司（以下簡稱“北京申國科技”）與五豐半導體技術（長春）有限公司（以下簡稱“五豐半導體”）在長春興隆綜合保稅區舉辦合作簽約儀式。五豐半導體消息顯示，會議上，北京申國科技收購了五豐半導體60%的股份。目前五豐半導體項目已與長春興隆綜保區簽訂投資協議書，分兩期開展：一期租賃創新孵化園區廠房，開展化合物半導體芯片技術研發并引進合作伙伴聯合辦公；二期利用綜保區圍網內部分土地建設半導體芯片研發和生產線，開展芯片保稅加工業務。項目生產設備已在綜保區保稅倉庫內存放，設備價值1.29億美元。項目一期廠房已具備入駐使用條件，二期選址完成正在進行廠房深度設計工作，項目專家已經陸續到位，預計8月開工。