湖南三安半導體項目是省市重點工程，總投資160億元，總占地面積約1000畝，主要建設具有自主知識產權的以碳化硅、氮化鎵等寬禁帶材料為主的第三代半導體全產業鏈生產與研發基地，項目建成達產后有望形成超百億元的產業規模，并帶動上下游配套產業產值預計逾千億元。

 

該項目建設包括但不限于碳化硅等化合物第三代半導體的研發及產業化項目，包括長晶—襯底制作—外延生長—芯片制備—封裝產業鏈，研發、生產及銷售6寸SIC導電襯底、4寸半絕緣襯底、SIC二極管外延、SiC MOSFET外延、SIC二極管外延芯片、SiC MOSFET芯片、碳化硅器件封裝二極管、碳化硅器件封裝MOSFET。該項目投產后可廣泛用于新能源汽車、高鐵機車、航空航天和無線(5G)通訊等。

 

湖南湘江新區黨工委書記鄭建新此前表示，長沙三安第三代半導體項目作為長沙17個制造業標志性重點項目之一，必將成為推動長沙新一代半導體及集成電路產業鏈發展的重大動力。