近日，《松山湖科學城發展總體規劃（2021—2035年）》（以下簡稱《規劃》）的基本情況及所涉及的內容對外公示并征詢公眾意見。

 

根據這一規劃，東莞松山湖科學城將以打造全球具有重要影響力的科學城為總目標，并試水首席科學家等制度從而全面探索機制體制創新。
 

《規劃》提出，要牢牢把握“三區疊加”重大機遇，以打造全球具有重要影響力的科學城為總目標，構建基礎科研體系、推動核心技術研發，加強區域開放合作、深化體制機制創新、完善城市綜合服務，努力建成重大原始創新策源地、中試（中間性試驗）驗證和成果轉化基地、粵港澳合作創新共同體、體制機制創新綜合試驗區。
 

根據《規劃》，松山湖科學城將建設中試驗證和成果轉化應用平臺，新型半導體前沿技術創新平臺、智能無線射頻技術研究平臺、材料性能測試評價中心、石墨烯規模化制備中心、新材料產品聯合創新中心等。
 

其中，新型半導體前沿技術創新平臺將組建半導體實驗平臺、薄膜生成技術平臺等，重點開展以氮化鎵(GaN)、碳化硅(SiC)、氧化鋅(ZnO)、金剛石為代表的第三代半導體材料與器件的基礎研究與應用研究。建立新型半導體材料結構分析與器件應用中試平臺、先進封裝測試中試平臺、材料及器件檢測/可靠性與認證平臺、重點應用場景驗證平臺，提升新型半導體材料與器件的研發速度，加速推動相關成果轉化應用。
 

松山湖科學城還將加快布局集成電路產業，發揮東莞龍頭企業創新引領作用，重點發展集成電路設計、封測、關鍵設備和材料。支持企業開發CPU、GPU、存儲器等集成電路高端通用器件，加快第三代半導體器件研制，鼓勵第三代半導體材料、靶材、光刻膠、感光膠等核心材料技術攻關，強化堆疊式封裝等先進工藝開發。積極爭取國家、省、市集成電路產業基金以及政策性銀行的資金支持，加快打造高性能集成電路全鏈條產業基地。
 

此外，《規劃》還提出，探索建設半導體重點實驗室。聚焦國際半導體材料科學前沿，開展半導體材料與器件的基礎研究與應用研究，為國家解決“卡脖子”技術問題提供重要支撐。
 

支持科學城內高校與國際知名高校開展高水平合作辦學，支持高等院校成立微電子相關學院、增設半導體相關專業，推動高校聯合發展。
 

突破材料科學關鍵技術，重點圍繞半導體材料、超導材料、磁性材料、納米材料和醫療增材等產業，在材料性能及成份控制、高性能碳纖維、高性能永磁、寬禁帶半導體、石墨烯、金屬及高分子增材制造材料、智能仿生與超材料、新型低溫超導材料等領域突破一批關鍵核心技術。開展半導體材料與器件的基礎研究與應用研究，加快摻雜技術、薄膜生成技術、圖形轉換技術、新型電子材料等關鍵核心技術的研究突破。
 

《規劃》還明確，加強晶圓制造、摻雜技術、薄膜生成技術以及圖形轉換等技術研發，提高芯片集成程度，促進高端芯片研發。加強對電子材料和部件的缺陷及應力進行深度檢測，實現對電子器件材料的結構分析與性能測試。