半導體產業網根據公開消息整理：Cree、英飛凌、意法半導體、安森美、X-fab、新微化合物半導體、東微電子等公司近期最新動態，以及行業動態如下（僅供參考）：
2026 年市場將達 11 億美元！GaN功率芯片市場年增 70%
根據外媒 The Elec 消息，研究機構 Yole Development 近日公布了 2020-2026 年氮化鎵功率芯片市場報告。報告顯示全球功率氮化鎵芯片市場將在未來 5 年持續增長，每年增長率達到 70%。統計數據顯示，2020 年該市場為 4600 萬美元，如果按照這個速度，在 2026 年將達到 11 億美元。
美商務部計劃下周舉行半導體峰會，臺積電、三星電子等企業受邀
知情人士說，美國商務部部長吉娜·雷蒙多（Gina Raimondo）計劃于5月20日與美國汽車行業高級領導人及其他人士舉行會議，其目的是建立和維持“圍繞半導體和供應鏈問題的公開對話”，并希望將芯片的供應商和消費者聚集在一起。
知情人士透露，受邀參加這場在線峰會的重量級企業包括：臺積電、英特爾（Intel）、三星電子、Google、亞馬遜（Amazon）、通用汽車（General Motors）、福特汽車（Ford Motor）等。對此，白宮和商務部發言人沒有立即回應置評請求。
AMD收購Xilinx生變數？英國監管機構介入調查
據華爾街日報報道，英國競爭和市場管理局(U.K. Competition and Markets Authority)周一表示，在對Advanced Micro Devices Inc.（簡稱AMD）預期中的收購賽靈思的交易進行正式調查之前，該機構正向有關各方征求意見。
該監管機構表示，正在考慮上述交易是否會導致“競爭大幅減弱”，并將各方提交意見的截止日期定為5月21日。“競爭和市場管理局（CMA）正在考慮，根據《2002年企業法》的合并規定，這項交易一旦生效，是否會導致相關合并情況的發生，以及因此，是否會導致這種情況的產生，從而大大削弱英國任何一個或多個市場內商品或服務的競爭，”CMA聲明說。
去年10月，AMD同意以350億美元收購競爭對手芯片制造商賽靈思，該交易于4月7日得到雙方股東的批準。而受此消息影響，AMD股價跌2.2%，賽靈思股價跌2.5%。
Cree、英飛凌、意法半導體、安森美、X-fab等發布一季度“成績單”
最近，Cree、英飛凌、意法半導體、安森美、X-fab等國外企業紛紛發布了2021年1-3月的“成績單”，這些企業幾乎都取得了“開門紅”。
Cree公司2021財年第三季度（1-3月）收入為1.373億美元(約8.83億人民幣)，與去年同期的1.139億美元（約7.32億人民幣）相比，增長了21％。GAAP凈虧損目標為6800-7300萬美元（約4.37-4.69億人民幣）。
英飛凌本財年二季度（1-3月）營收為27億歐元（約211.2億人民幣），同比增長36%。利潤4.7億歐元（約36.8億人民幣），同比增長72%，利潤率為17.4％。
意法半導體實現凈營收30.2億美元（約194.2億人民幣），同比增長35.2％，所有產品部門都實現營收增長。其中，毛利率為39.0%，營業利潤率為14.6%，凈利潤達到3.64億美元（約23.4億人民幣）。
安森美半導體收入為14.817億美元（約95.29億人民幣），同比增長16％；歸母凈利潤為8990萬美元（約5.78億人民幣），同比虧損1400萬美元（約9003萬人民幣）。
X-FAB第一季度收入為1.554億美元（約9.99億人民幣），同比增長22％。息稅前利潤為1700萬美元（約1.1億人民幣），同比增長1850萬美元（約1.9億人民幣）。EBITDA為3560萬美元，比去年同期增長105％，EBITDA利潤率為22.9％。同時，一季度預訂金額也創紀錄，達到2.109億美元（約13.563億人民幣），比去年同期增長42％。
愛思強2021年前三個月的訂單接收量同比增長81％，達到1.244億歐元（約9.73億人民幣），而去年同期為6880萬歐元（約5.38億人民幣），也超過了去年第四季度的最高訂單量（9220萬歐元，約7.2億人民幣）。毛利潤為1730萬歐元（約1.35億人民幣），比上年同期增長18％，毛利率為35％。
Transphorm第一季度收入約為240萬美元（約1543萬人民幣），比上一季度增長約20％。
新微化合物半導體量產線潔凈廠房結構封頂 三期投資擬80.5億
5月8日上午，新微半導體化合物半導體量產線潔凈廠房結構封頂儀式在閔行開發區臨港園區正式開始。項目一期計劃投資15億人民幣，建設一條4英寸光電芯片和一條6英寸射頻芯片產線，預計將于2021年四季度建成并投入使用；第二期計劃投資15.5億人民幣，建設一條8英寸硅基芯片產線以及封裝中試線；第三期擴大再投資50億人民幣，進一步提高產品產能并擴大產品范圍。三期總計擬定投入80.5億人民幣，大力發展化合物半導體。
東微電子上海創新研發中心項目落戶金山 總投資2.5億元
日前，金山工業區與河南東微電子材料有限公司舉行簽約儀式。東微電子計劃在上海金山工業區投資設立東微電子上海創新研發中心，以年產20套反應腔體制造項目和年產0.2噸高純度靶材（釕靶）項目為引領，逐步放大產品產能和研發新的半導體關鍵材料。研發中心和產品試驗項目計劃總投資2.5億元，租賃廠房面積約 11925.66平方米，該中心研發的新項目將逐步在金山工業區落地投產，最終形成半導體產業上游材料產業集群。
