在山東省政府日前公布的關于印發《落實“六穩”“六保”促進高質量發展政策清單（第二批）的通知》中，明確提出，自2021年起山東省自然科學基金設立集成電路專項基金，面向全球支持優秀科技人才聯合我省團隊開展基礎理論和應用基礎研究，在重大科技創新工程中設立集成電路專項，支持關鍵核心技術攻關。濟南市2021年政府工作報告中，也提出“將大力發展集成電路等產業，優化升級國家集成電路設計產業化基地，推動富能半導體項目投產達效。”
此前本報曾報道，1月27日，富能功率半導體項目已經實現產品下線，有媒體稱“標志著山東首條芯片加工制造線進入實際生產階段”。項目第一期一階段投產后，將有望達到年產36萬片8英寸硅基功率器件（MOSFET Super Junction IGBT）和1萬片6寸碳化硅功率器件（SIC MOSFET）的生產能力。據此前公布數據，僅第一期的投入金額就高達60億元。
據悉，富能功率半導體項目規劃總占地面積630畝，共分三期建設。富能功率半導體項目生產的各類晶體管產品，可廣泛應用于消費電子、新能源裝備和汽車電子等領域。據承建方中鐵十四局披露的信息，要生產芯片這種高精密產品，對工廠標準要求極高，該項目技術標準高出國家驗收標準的4倍，潔凈度最高達到普通手術室的10-100倍，“芯片生產廠房對地基的要求非常高，微米級震動控制甚至需要把飛機起落震動的影響都考慮進去。”
在該項目上，濟南國資方面“著墨”頗多，濟南高新控股集團有限公司2019年預付濟南富能半導體方面的款項達到12.75億元。其2020年報表明，濟南高新控股集團有限公司在富能半導體方面已經注資22.95億元。
