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中國科學院院士彭練矛:碳基技術(shù)有望全方位影響現(xiàn)有半導體產(chǎn)業(yè)格局

日期:2021-04-30 來源:第三代半導體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)閱讀:460
核心提示:中國科學院院士彭練矛:碳基技術(shù)有望全方位影響現(xiàn)有半導體產(chǎn)業(yè)格局
4月28日下午,中國科學院院士、北京大學教授彭練矛講授在湖南省科技廳舉行的黨史學習教育“學史增信”專題輔導——科技前沿知識與科學精神講座上分享了《國際半導體芯片發(fā)展趨勢與中國的碳基機遇》。
 
彭練矛深入淺出地分析了世界半導體行業(yè)發(fā)展情況與潛在危機,詳細介紹了硅基微電子技術(shù)的極限與后摩爾時代的創(chuàng)新趨勢,圍繞碳納米管技術(shù)挑戰(zhàn)和無摻雜制備、碳納米管晶體管的極限性能以及與硅器件的比較、從晶體管到集成電路、超越摩爾等四個方面,深刻闡述了碳納米電子學面臨的挑戰(zhàn)和發(fā)展前景,并講解了電子技術(shù)發(fā)展的第四次浪潮與碳基技術(shù)的商業(yè)化進展。
 
他表示,碳基技術(shù)有望全方位影響現(xiàn)有半導體產(chǎn)業(yè)格局,為我國半導體產(chǎn)業(yè)自主可控、實現(xiàn)科技自立自強提供強力支撐。
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