當前，功率半導體行業正在經歷一場由碳化硅和氮化鎵等寬禁帶半導體引領的技術革命，以實現更高的功率密度和開關速率。新能源汽車、可再生能源、智能電網等新應用領域對電力電子器件提出了巨大的挑戰。新一代封裝材料與相匹配的解決方案已經成為寬禁帶半導體革命成功的關鍵。

 

近日，2021功率半導體與車用LED技術創新應用論壇在上海舉行。本屆論壇由半導體產業網和勵展博覽集團共同主辦，并得到第三代半導體產業技術創新戰略聯盟、國家半導體照明工程研發及產業聯盟的指導。

會上，德國賀利氏電子中國區研發總監張靖帶來了“針對碳化硅功率模塊的先進封裝解決方案”的主題報告，詳細分享了一套針對碳化硅功率器件的完整封裝解決方案。

 

當前封裝面臨著諸多挑戰，比如每個芯片面積的功率密度增加需要散熱更好的材料，功率越大，包裝材料的載流能力就越強，工作溫度升高會帶來可靠性挑戰等。

 

報告結合具體實踐分享了針對碳化硅功率器件的完整封裝解決方案，涉及燒結技術、焊接與燒結機制、銀燒結技術、專用于碳化硅芯片貼附的專用漿料、不同陶瓷材料的性能、不同襯底工藝的熱循環性能等。