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工程院院士吳漢明:中國芯片投資遠沒有過熱,本土可控55nm芯片制造比純進口7nm更有意義

日期:2021-04-26 來源:第三代半導體產業網閱讀:280
核心提示:日前,在中國工程院主辦的“中國工程院信息與電子工程前沿論壇”上,中國工程院院士吳漢明對光刻機、產業鏈國產化等關鍵問題進行了分析。
“產業技術不是科研機構轉化后的應用開發,而是引導科研的原始動力之一。”在4月24日舉辦的“中國工程院信息與電子工程前沿論壇”上,中國工程院院士、浙江大學微納電子學院院長吳漢明表示,在集成電路等關鍵核心技術領域,要補充搭建以產業技術為導向的科技文化,讓技術研發與市場應用“相互借力”。
 吳漢明院士
吳漢明認為,中國的集成電路產業當下主要面臨兩類壁壘:政策壁壘和產業性壁壘。前者包括巴統和瓦森納協議,后者則是世界半導體龍頭長期以來積累的專利,形成的專利護城河。
 
而在整個產業鏈環節,重點的三大“卡脖子”制造環節包括了工藝、裝備/材料、設計IP核/EDA。他表示,在半導體材料方面,我國光刻膠、掩膜版、大硅片產品幾乎都要依賴進口;在裝備領域,世界舞臺上看不到中國裝備的身影。
 
吳漢明強調,自主可控固然重要,但也要認識到集成電路產業是全球性的產業。以EUV光刻機為例,涉及到十多萬零部件,需要5000多供應商支撐,其中32%在荷蘭和英國,27%供應商在美國,14%在德國,27%在日本,這就體現了全球化技術協作的結果。在其中,“我們有哪些環節拿得住的?是我國研發和產業發展的核心點。”
 
除了設備方面,晶圓制造、芯片研發設計也是產業所面臨的難點。
 
“雖然芯片的難度和成本一直增加,但趨緩的摩爾定律給追趕者帶來機會。”吳漢明分析稱,在這些挑戰下,先進系統結構、特色工藝和先進封裝在芯片制造方面結合運用,芯片制造領域大有可為。
 
他援引數據稱,10納米節點以下先進產能占17%,83%市場在10納米以上節點,創新空間巨大。在先進制程研發不占優勢的情況下,我國可以運用成熟的工藝,把芯片的性能提升。也正是因此他提出一個觀點:本土可控的55nm芯片制造,比完全進口的7nm更有意義。 

吳漢明還提到,“忽悠式”的芯片投資或許過熱,但真正做芯片的還是非常緊缺,中國的芯片投資遠沒有過熱,尤其要重視產業鏈的本土化,要讓制造產能實現增長,至少增長率要高于全球。

此外,目前全球產能排名前五的晶圓廠包括三星、臺積電、美光、SK海力士和鎧俠Kioxia,而國內芯片市場需求和制造能力的差距依然很大。吳漢明此前曾表示:“如果不加速發展,未來中國芯片產能與需求的差距,將拉大到至少相當于8個中芯國際的產能。”
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