日前，聞泰科技副總裁吳友文透露，目前控股股東層面布局的SiC碳化硅項目晶越半導體今年將良率達產，安世半導體的SiC二極管產品已經推出，SiC碳化硅的Mosfet預計年底左右推出。

 

吳友文稱，聞泰科技正打造碳化硅材料+IDM一體化產業鏈布局，抓住汽車電動化智能化帶來的產業機遇。

 

2021年以來，聞泰科技在汽車領域動作連連。

 

1月初，聞泰科技全資子公司安世半導體面對激增的半導體材料需求，宣布擴建位于上海臨港的12寸晶圓廠，將于2022年7月投產，產能預計將達到每年40萬片。

 

同月，基本半導體宣布，公司已經完成數億元人民幣B輪融資，由聞泰科技領投，深圳市投控資本、民和資本、屹唐長厚等機構跟投，原股東力合資本追加投資。

 

基本半導體是中國領先的碳化硅功率器件提供商之一，通過這次投資，聞泰科技可以說是get了碳化硅功率器件的“參賽資格”。

 

3月，安世半導體宣布與聯合汽車電子（UAES)在功率半導體氮化鎵(GaN)領域展開深度合作。據悉，安世半導體此舉旨在滿足未來對新能源汽車電源系統不斷提升的技術需求，并共同致力于推動GaN工藝技術在中國汽車市場的研發和應用。

 

過去的一年，受疫情影響，汽車行業需求強勁，供不應求，據Trendforce集邦咨詢研究表示，2020年全球新能源汽車共銷售290萬輛，年成長率43%，預期2021年銷售量可望達390萬輛。其中，2020年Tesla銷售主力以Model 3為主，以24.5%市占率居冠。

 

值得注意的是，隨著特斯拉 Model 3 電動車逆變器逐漸采用 SiC 碳化硅器件，第三代半導體于車用市場逐漸備受重視。

 

根據福特汽車公開信息，相比于傳統硅芯片（如IGBT）驅動的新能源汽車，由第三代半導體材料制成芯片驅動的新能源汽車，可以將能量損耗降低5倍左右，新能源汽車是第三代半導體發展的關鍵領域。

 

吳友文認為，第三代化合物半導體具備耐高溫、高開關頻率、低導通電阻、高效率、化學性質穩定等優異特性。在軌道交通領域，碳化硅、氮化鎵器件被認為有望逐步取代硅基IGBT。