韓國政府宣布將正式培育下一代功率半導體技術，并計劃到2025年為止，開發5種以上新一代功率半導體商用產品，在國內建設6~8英寸代工廠基礎設施。

 

據韓國媒體報道，4月1日，韓國政府召開會議，發表了包含上述內容的"下一代功率半導體技術開發及產能擴充方案"。

 

新一代功率半導體由比硅（Si）更節能、更耐用的新型半導體材料構成，包括碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）和氧化鎵（Ga2O3 ），可適用于人工智能 、5G 或需要面對高溫、高壓環境，且對耐久性要求較高的新能源汽車中。

 

為搶占這一市場，韓國政府作出了一系列計劃，包括鼓勵民間資本對國內相關基礎設施進行投資，建設6~8英寸代工廠。

 

韓國產業部長官成允模表示："在AI、5G、自動駕駛、新能源等領域，下一代功率半導體是關鍵零部件"，"政府計劃積極支援研發、基礎設施等，以搶占初期的下一代功率半導體市場，確保未來競爭力。"