目前，天達晶陽碳化硅單晶體項目正在進行無塵車間改造，一期54臺碳化硅單晶生長爐已全部到場，30臺已安裝到位，預計4月底可投入生產。

 

天達晶陽公司投資建設碳化硅單晶體項目，總投資約7.3億元，項目建設分為兩期。其中，第一期為年產4英寸碳化硅晶片1.2萬片，使用單晶生長爐54臺，采取“騰籠換業”的方式盤活原項目地塊，利用原項目廠房進行改造。第二期年產分別為4-8英寸碳化硅晶片10.8萬片，增設相應生產能力的單晶生長爐及其配套的切、磨、拋和檢測設備。

 

河北天達晶陽半導體技術股份有限公司成立于2020年6月，注冊資本10010萬元，是專業從事第三代半導體材料研發、生產和銷售的高精尖科技企業。公司以中國科學院物理研究所、北京天科合達半導體股份有限公司為技術依托，采用的技術綜合實力在碳化硅單晶襯底行業排名國內第一、世界第四，達到了國內領先和國際先進水平。

 

 

3月31日消息，江蘇卓勝微電子股份有限公司（以下簡稱江蘇卓勝微）發布公告稱，將進一步追加其對芯卓半導體產業化建設項目的投資，擬追加投資額27億元。

 

卓勝微在公告中表示，此次追加投資是為進一步擴充 SAW 濾波器晶圓制造、射頻模組封裝測試產能并用于廠房及配套設施建設。追加投資后，芯卓半導體產業化建設項目總投資金額將達到35 億元人民幣。

 

據了解，芯卓半導體產業化項目為卓勝微與江蘇省無錫蠡園經濟開發區管理委員會簽署的《戰略合作協議書》的建設項目。2020年11月，卓勝微即與無錫蠡園經濟開發區管委會簽署協議，在無錫濱湖區胡埭東區投資建設半導體產業化生產基地，以建設SAW濾波器晶圓生產和射頻模組封裝測試生產線，及廠房的配套設施建設及軟硬件設備購置，開展關鍵技術和工藝的研發及產品的產業化生產。

 

卓勝微稱，此次項目建成后，將提升自身在射頻 SAW 濾波器領域的整體工藝技術能力和模組量產能力，實現射頻 SAW 濾波器芯片和射頻模組的全產業鏈布局，提升自主研發創新能力和市場競爭力，最終實現射頻 SAW 濾波器芯片和射頻模組的國產替代。

 

 

近日，浙江余杭舉行2021年一季度項目集中開工暨“云簽約”活動。漢天下八英寸MEMS射頻芯片產業化項目落地余杭，該項目總投資20億元。項目方是國內率先全面掌握BAW濾波器量產技術的公司。該項目擬在錢江經濟開發區從事分立器件和射頻模組生產，預計產值超67億元。

 

 

3月31日消息，江蘇省南通市南通鑫佳元半導體光電項目已于29日開工。該項目投資約50億元，預計全部達產后可年產各類半導體激光芯片20億只。

 

該項目總投資50億元，由南通鑫佳元實業發展有限公司投資建設，占地約215畝，規劃新建生產及配套用房約26萬平方米。項目預計2022年下半年廠房全部竣工，2023年上半年進行設備安裝調試，當年9月份開始試生產。預計項目全部達產后可年產各類半導體激光芯片20億只，各類半導體激光器組件400萬套，實現年應稅銷售60億元。

 

鑫匯集團表示，該項目為集團實體化運營的重點項目，立足半導體光電產業鏈，采用“基金+基地+服務”的模式，以激光芯片設計、流片為基礎，整合了光電芯片封裝、器件制造、光學鏡頭、光電裝備生產等產業鏈關鍵環節。目前已與度亙激光芯片項目、源卓數字曝光機項目簽訂合作協議，昀光科技、聯卓半導體、芯矽半導體、宏強激光醫美、卡門哈斯光學等項目正在積極推動中，下一步將與這些項目逐步簽訂協議，加快推動產業集聚。

 

3月30日消息，總投資新臺幣2780億元的力積電銅鑼12英寸晶圓廠于3月25日正式動土興建。總產能每月10萬片將自2023年起分期投產，滿載年產值超過600億元，以成熟制程、創新技術為主力的新廠營運模式，將開創反摩爾定律（Reverse-Moore's Law）的半導體產業新賽局。

 

力積電是全球唯一同時擁有內存和邏輯制程技術的專業晶圓代工廠商，雖然制程不是最尖端，但該公司善用獨特專長已成功推出內存與邏輯晶圓堆疊的Interchip技術，透過異質晶圓堆疊突破了芯片之間數據傳輸的瓶頸，讓運算性能、省電效率都大幅躍進2、3個制程世代。

 

力積電銅鑼新廠的設計采高規格環保標準，廠區的廢水回收率超過85%，并在廠內安裝太陽能發電及儲能設施、綠電規劃容量7500kW，總產能每月10萬片12英寸晶圓，制程技術涵蓋1x到50nm，堪稱是成熟制程半導體芯片最大最新的制造基地。

 

日前，第三代半導體碳化硅單晶襯底企業同光晶體表示，其落地保定淶源的碳化硅單晶襯底項目基礎建設超計劃實施，廠房建設完成封頂。

 

2020年3月，同光晶體與河北保定淶源縣政府簽定了合作碳化硅單晶襯底項目。據悉，項目總投資10億元，搭建碳化硅單晶生長爐600臺。計劃2021年8月項目一期投產，到2022年4月，實現滿產運行。淶源碳化硅單晶襯底項目的實施，標志著同光晶體進入產業發展的“快車道”。

 

 

近日，位于北京經開區的北方集成電路技術創新中心項目舉行奠基儀式，正式啟動建設。

 

北方集成電路技術創新中心（北京）有限公司成立于2017年9月，根據主要業務方向設立產業鏈驗證、技術開發與合作、技術服務、聯盟及產業鏈建設四個主要業務部門及相應的組織。本次其建設的北方集成電路技術創新中心項目將搭建集成電路配套服務平臺，就近為集成電路企業提供產業鏈驗證、新工藝研發等服務。

 

項目總用地面積22695.8平方米，將建設生產廠房、動力廠房、生產調度及研發樓等建筑。預計今年底項目建筑主體結構封頂，明年初具備機臺搬入條件。項目建成后可為提供廠房及動力配套設施，為多個工藝驗證及技術創新研發平臺提供場地及設施。

 

據介紹，北京經開區已成為全國集成電路產業聚集度最高、技術水平最先進的區域之一，產業規模占北京市集成電路產業規模的1/2。當前，北京經開區已有月產能12萬片至14萬片12英寸晶圓生產廠，隨著多個新項目的推進建設，未來北京經開區將具備月產50萬片12英寸晶圓的生產能力，成為全國12英寸晶圓生產能力最大的區域。

 

 

近日，廣州市黃埔區、廣州開發區2021年重點建設項目計劃公布。根據計劃表示，2021年該區將新開工粵芯半導體二期項目。

 

根據規劃，粵芯半導體二期項目業主單位為廣州粵芯半導體技術有限公司，項目總投資65億元，將新建90-55nm高端模擬工藝生產線，新增月產能2萬片12英寸晶圓芯片，計劃2021年投資14億元，完成無塵車間裝修、設備安裝以及生產輔助設施建設。

 

南方日報此前報道，粵芯半導體市場及營銷副總裁李海明曾透露，2020年底前，粵芯半導體二期項目將進入設備調試，爭取2021年上半年實現量產。

 

如今，該項目被列入廣州市黃埔區、廣州開發區2021年重點建設項目“新開工”項目名單，這意味著項目進展或許已經推遲。