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半導(dǎo)體新材料數(shù)個(gè)千億級(jí)產(chǎn)業(yè)體系呼之欲出

日期:2021-03-23 來(lái)源:科技日?qǐng)?bào)閱讀:259
核心提示:剛剛閉幕的全國(guó)兩會(huì),第三代半導(dǎo)體成為兩會(huì)的熱詞之一。值得一提的是,業(yè)內(nèi)專家對(duì)我國(guó)第三代半導(dǎo)體的發(fā)展持積極態(tài)度,他們提出,第三代半導(dǎo)體材料或許可以成為我們擺脫集成電路被動(dòng)局面,實(shí)現(xiàn)芯片技術(shù)追趕和超車的良機(jī)。
這個(gè)春天里,我國(guó)三代半導(dǎo)體新材料產(chǎn)業(yè)萌動(dòng)生發(fā),蓄勢(shì)待發(fā)。
 
今年,第三代半導(dǎo)體成為兩會(huì)的熱詞之一。日前發(fā)布的“十四五”規(guī)劃和2035年遠(yuǎn)景目標(biāo)綱要中提出,我國(guó)將加速推動(dòng)以碳化硅、氮化鎵為代表的第三代半導(dǎo)體新材料新技術(shù)產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程,催生一批高速成長(zhǎng)的新材料企業(yè)。
 
 
業(yè)內(nèi)專家對(duì)我國(guó)第三代半導(dǎo)體的發(fā)展持積極態(tài)度,他們提出,第三代半導(dǎo)體材料或許可以成為我們擺脫集成電路被動(dòng)局面,實(shí)現(xiàn)芯片技術(shù)追趕和超車的良機(jī)。
 
半導(dǎo)體新材料數(shù)個(gè)千億級(jí)產(chǎn)業(yè)體系呼之欲出
 
碳化硅是全球最先進(jìn)的第三代半導(dǎo)體材料。和第一代的硅、第二代的砷化鎵材料相比,它具有耐高壓、高頻、大功率等優(yōu)良的物理特性,是衛(wèi)星通訊、高壓輸變電、軌道交通、電動(dòng)汽車、通訊基站等重要領(lǐng)域的核心材料,尤其是在航天、國(guó)防等領(lǐng)域有著不可替代的優(yōu)勢(shì)。
 
3月17日,山西爍科總經(jīng)理李斌接受媒體采訪時(shí)說(shuō):“碳化硅產(chǎn)業(yè)正處于高速發(fā)展時(shí)期,大力發(fā)展碳化硅產(chǎn)業(yè),可引領(lǐng)帶動(dòng)原材料與設(shè)備兩個(gè)千億級(jí)產(chǎn)業(yè),助力我國(guó)加快向高端材料、高端設(shè)備制造業(yè)轉(zhuǎn)型發(fā)展的步伐。”
 
李斌說(shuō),2020年,山西爍科晶體碳化硅襯底年產(chǎn)能已達(dá)10萬(wàn)片,銷售3萬(wàn)片以上。預(yù)計(jì)2021年銷售4萬(wàn)片,2025年預(yù)計(jì)銷售30萬(wàn)片,年復(fù)合增長(zhǎng)率37%。
 
李斌分析認(rèn)為,目前,碳化硅產(chǎn)業(yè)原材料占企業(yè)成本的65%,到2025年,僅山西爍科一家企業(yè)的原材料需求可達(dá)6.5億元左右。在當(dāng)今全球大力發(fā)展半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的情況下,十四五末,預(yù)計(jì)國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體材料企業(yè)原材料需求量將達(dá)千億級(jí)別。
 
相應(yīng)設(shè)備方面,每生產(chǎn)1萬(wàn)片碳化硅襯底即需要相應(yīng)檢測(cè)設(shè)備總價(jià)值預(yù)計(jì)5000萬(wàn)左右,到2025年僅山西省內(nèi)碳化硅材料方面設(shè)備需求總計(jì)高達(dá)15億元,國(guó)內(nèi)整個(gè)半導(dǎo)體材料行業(yè)設(shè)備需求量總計(jì)也將達(dá)到千億級(jí)別。
 
N型碳化硅晶片的作用是用于制造電力電子器件,可用于電動(dòng)汽車。據(jù)介紹,目前的電動(dòng)汽車?yán)m(xù)航還是個(gè)問(wèn)題。如果用上碳化硅晶片的話,就能在電池不變的情況下,使汽車的續(xù)航力增加10%左右。雖然碳化硅在電動(dòng)汽車上的應(yīng)用才剛剛起步,但每生產(chǎn)一輛電動(dòng)汽車,至少要消耗一片碳化硅,按照我國(guó)電動(dòng)汽車保有量每年增長(zhǎng)70%的速度來(lái)看,碳化硅僅在電動(dòng)汽車領(lǐng)域就將帶動(dòng)一個(gè)千億級(jí)的產(chǎn)業(yè)集群。
 
10年磨一劍,奮力追趕世界先進(jìn)技術(shù)
 
碳化硅單晶的制備一直是全球性難題,而高穩(wěn)定性的晶體生長(zhǎng)工藝則是其中最核心的技術(shù)。之前,這項(xiàng)技術(shù)只掌握在美國(guó)人手里,且長(zhǎng)期對(duì)我國(guó)技術(shù)封鎖。過(guò)去,我國(guó)的半導(dǎo)體材料長(zhǎng)期依賴國(guó)外進(jìn)口,由此帶來(lái)的問(wèn)題就是半導(dǎo)體材料價(jià)格昂貴、渠道不穩(wěn),隨時(shí)都可能面對(duì)禁運(yùn)的風(fēng)險(xiǎn),而且產(chǎn)品的質(zhì)量也難以得到有效保證,國(guó)人備受半導(dǎo)體材料和核心技術(shù) “卡脖子”之痛。
 
山西爍科經(jīng)過(guò)反復(fù)鉆研攻關(guān),最終完全掌握了這項(xiàng)技術(shù),實(shí)現(xiàn)了高純度碳化硅單晶的商業(yè)化量產(chǎn)。記者在山西爍科生產(chǎn)車間看到,數(shù)百臺(tái)碳化硅單晶生長(zhǎng)爐整齊地列成一排,生長(zhǎng)部經(jīng)理、高級(jí)工程師毛開禮說(shuō):“碳化硅晶片就在里面安靜地生長(zhǎng)。”
 
粉料部經(jīng)理馬康夫介紹,碳化硅晶片之所以如此珍貴,除了它應(yīng)用范圍廣泛外,還因?yàn)樘蓟璧纳a(chǎn)技術(shù)非常不易。一個(gè)直徑4英寸的晶片一次可以做出1000個(gè)芯片,而直徑6英寸的晶片一次則可以做成3000個(gè)芯片。從4英寸到6英寸,最關(guān)鍵的是晶體的生長(zhǎng)。
 
碳化硅晶體的生長(zhǎng)條件十分嚴(yán)苛,不僅需要經(jīng)歷高溫還需要壓力精確控制的生長(zhǎng)環(huán)境,同時(shí)這些晶體的生長(zhǎng)速度很緩慢,生長(zhǎng)質(zhì)量也不易控制。在生長(zhǎng)的過(guò)程中即便只出現(xiàn)一絲肉眼無(wú)法察覺的管洞,也可能影響這個(gè)晶體的生長(zhǎng)質(zhì)量。碳化硅晶體的生長(zhǎng)過(guò)程就如同“蒙眼繡花”一樣,因?yàn)闇囟忍撸y以進(jìn)行人工干預(yù),所以晶體的生長(zhǎng)過(guò)程十分容易遭到擾動(dòng),而如何在苛刻的生長(zhǎng)條件下穩(wěn)定生長(zhǎng)環(huán)境恰恰又是晶體生長(zhǎng)最核心的技術(shù)。要想生產(chǎn)出高質(zhì)量的碳化硅晶片,就必須攻克這些技術(shù)難關(guān)。解決這個(gè)技術(shù)難題,他們用了七八年的時(shí)間。這個(gè)七八年,他們分秒必爭(zhēng)、加班加點(diǎn)、連續(xù)爬坡;這個(gè)七八年,他們跌倒了起來(lái)重新開始。最終,他們成功了。
 
“目前我們是國(guó)內(nèi)最大的碳化硅產(chǎn)業(yè)生產(chǎn)基地。”毛開禮自豪地介紹:“多年的科研積累、攻關(guān)探索以及不計(jì)其數(shù)的失敗教訓(xùn),不斷激發(fā)了我們的創(chuàng)新活力,也不斷提升了我們創(chuàng)新的能力。山西爍科現(xiàn)在擁有四大優(yōu)勢(shì)。”一是裝備優(yōu)勢(shì)。我們的核心裝備全部自主研發(fā)生產(chǎn),實(shí)現(xiàn)了一代裝備、一代研發(fā)、一代材料的技術(shù)積累和遞進(jìn)。二是關(guān)鍵原材料優(yōu)勢(shì)。我們的高純度碳化硅粉料實(shí)現(xiàn)了自主研發(fā)生產(chǎn),成本比進(jìn)口大幅度降低90%。三是工藝技術(shù)優(yōu)勢(shì)。從科研成果到生產(chǎn)關(guān)鍵技術(shù)自主產(chǎn)業(yè)化。四是生產(chǎn)管理優(yōu)勢(shì)。
 
毛開禮說(shuō):“現(xiàn)在,我們的碳化硅晶體材料的核心技術(shù)已經(jīng)站到國(guó)際前沿,產(chǎn)品的關(guān)鍵技術(shù)指標(biāo)已經(jīng)差距不大,產(chǎn)品應(yīng)用完全可以滿足我國(guó)國(guó)民經(jīng)濟(jì)建設(shè)需求。但是,我們的碳化硅整個(gè)產(chǎn)業(yè)生態(tài)鏈還有待進(jìn)一步積累優(yōu)化。”
 
碳化硅、氮化鎵的市場(chǎng)潛力還遠(yuǎn)未被全部挖掘
 
5G、智慧交通、新能源已經(jīng)成為全球發(fā)展的方向,但作為上游材料的氮化鎵、碳化硅的市場(chǎng)潛力其實(shí)還遠(yuǎn)未被全部挖掘。因?yàn)槿绻麖漠a(chǎn)業(yè)鏈中游來(lái)看,我國(guó)第三代半導(dǎo)體器件市場(chǎng)有著巨大的增長(zhǎng)空間,或能成為倒逼上游材料發(fā)展的一大動(dòng)力。
 
半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展至今經(jīng)歷了三個(gè)階段,第一代半導(dǎo)體材料以硅為代表;第二代半導(dǎo)體材料砷化鎵也已經(jīng)廣泛應(yīng)用;而以氮化鎵和碳化硅、氧化鋅、氧化鋁、金剛石等寬禁帶為代表的第三代半導(dǎo)體材料,相較前兩代產(chǎn)品性能優(yōu)勢(shì)顯著。
 
毛開禮介紹,第三代半導(dǎo)體材料有非常獨(dú)特優(yōu)異的性能優(yōu)勢(shì)。寬禁帶,單個(gè)器件可以承載上萬(wàn)伏電壓;熱導(dǎo)率高,工作可靠性強(qiáng);載流子遷移率高、工作頻率大,省電節(jié)能;把這些優(yōu)異性能全部整合在碳化硅材料之上,其性能就會(huì)指數(shù)級(jí)地提升,用途也會(huì)更為廣泛。
 
毛開禮還介紹,碳化硅晶片是5G芯片最理想的襯底。而5G通訊即將帶來(lái)的生活的便捷高效,帶來(lái)物聯(lián)方式的變革,將推動(dòng)整個(gè)經(jīng)濟(jì)社會(huì)的大變革。碳化硅材料應(yīng)用還可以推動(dòng)碳達(dá)峰、碳中和。比如未來(lái)新能源汽車對(duì)燃油汽車的替代等,都會(huì)帶來(lái)極大的市場(chǎng)變革。
 
有“拳頭”產(chǎn)品和“龍頭”企業(yè)的引領(lǐng)帶動(dòng),山西省搶抓機(jī)遇進(jìn)行優(yōu)先布局。在技術(shù)研發(fā)平臺(tái)方面,山西省已建成兩戶省級(jí)行業(yè)技術(shù)中心,以及4戶省級(jí)企業(yè)技術(shù)中心,已建和在建數(shù)個(gè)高端創(chuàng)新平臺(tái)。其中在“芯”方面將以太原、忻州為核心,以碳化硅、氮化鎵第三代半導(dǎo)體等為重點(diǎn),形成碳化硅、芯片設(shè)計(jì)、芯片制造等全產(chǎn)業(yè)鏈產(chǎn)品體系,正在全力打造太原、忻州半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)集群。 
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