美光這一決定，意味著存儲芯片領域發生大變局。

3D Xpoint技術是美光與英特爾共同開發的一種非易失性存儲技術，比NAND閃存擁有更高的性能和耐用性，旨在填補DRAM和NAND閃存之間的存儲空白。歷經超過10年的研發周期，于2016年正式推出。

 

2016年時，使用20nm工藝制程的3D Xpoint存儲芯片在猶他州Lehi工廠生產，這一工廠也是英特爾與美光于2006年開始合作后建設的第一個工廠。

 

根據3D Xpoint誕生時的官方介紹，3D Xpoint的延遲水平以納秒計算，遠超NAND閃存的微秒級延遲， 速度提升高到1000倍，存儲密度比DRAM提高10倍。使得在靠近處理器的位置存儲更多的數據成為可能。

 

但這一曾經轟動業界的存儲技術，后期發展似乎并不順利。

 

在兩家的合作中，英特爾主要負責基于3D Xpoint技術Optane品牌產品的所有商業銷售，具體產品包括NVMe SSD和IMM尺寸的永久性內存模塊。美光則用QuanX品牌包裝3D Xpoint技術，但從未以該品牌發售過任何產品，其第一個也是唯一一個基于3D Xpoint的實際產品是X100高端企業級SSD。

 

美光公司首席商務管蘇米特·薩達納在接受路透社采訪時表示，很多客戶對X100并不滿意，因為他們必須重寫大部分軟件才能利用新型內存，因此該款產品發售數量非常有限。

 

2018年，英特爾與美光達成協議，計劃在3D NAND 閃存領域分道揚鑣，然后在完成第二代3D Xpoint的開發后結束在3D Xpoint上的合作，各自開發基于3D Xpoint技術的第三代產品。

 

2019年，美光購買了英特爾在Lehi工廠的股份，并成為該晶圓廠的唯一所有者，由于英特爾無法將其產線快速轉移到中國大連的Fab工廠，因此不得不與美光簽署晶圓代工協議在Lehi工廠生產，但英特爾的Optane產品并不足以充分利用該工廠的產能，美光每年的非GAAP運營利潤要因此遭受超過4億美元的損失。

 

如今，美光認識到，將3D Xpoint存儲器進一步商業化是不值得，因此決定出售其3D Xpoint晶圓廠，計劃在2021年內達成銷售協議。美光官方稱，美光現在已確定沒有足夠的市場證明將3D Xpoint大規模商業化以解決其客戶不斷發展的內存和存儲需求所需的大量投資是合理的，另外，美光將保留與3D Xpoint相關的所有知識產權，并于該工廠的多個潛在買家保持聯系。

 

去年，英特爾宣布將其3D NAND閃存部門出售給SK海力士，并保留其基于3D Xpoint的存儲產品。今年年初又推出新的Optane產品，英特爾作為目前唯一能夠研發且專注基于3D Xpoint產品的公司，很可能會接手該晶圓廠。

 

值得注意的是，美光出售其Lehi晶圓代工廠正值芯片缺貨嚴重的時期，因此即使需要買家花費大量精力進行改組，該晶圓廠也可能會快速售出。