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當(dāng)前感應(yīng)加熱設(shè)備的半導(dǎo)體器件的發(fā)展現(xiàn)狀

日期:2021-03-09 來(lái)源:半導(dǎo)體器件應(yīng)用網(wǎng)閱讀:219
核心提示:談?wù)勅缃耠姶鸥袘?yīng)加熱設(shè)備的核心部件電力半導(dǎo)體功率器件的發(fā)展現(xiàn)狀與優(yōu)勢(shì)。需要說(shuō)明的是,隨著場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)模塊、除了絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)模塊高電壓、大電流產(chǎn)品的等級(jí)升級(jí),工作頻率的提高
之前說(shuō)到感應(yīng)加熱設(shè)備的發(fā)展已經(jīng)逐漸普及化,除了能夠大大提高工廠(chǎng)的生產(chǎn)效率外,對(duì)之前的加熱方式導(dǎo)致的環(huán)境污染問(wèn)題也有了很大的改進(jìn),而今天我們就來(lái)說(shuō)一下電磁感應(yīng)加熱設(shè)備的核心部件電力半導(dǎo)體功率器件的發(fā)展現(xiàn)狀與優(yōu)勢(shì)。
 
 
我國(guó)自從進(jìn)入20世紀(jì),科學(xué)技術(shù)再次加速發(fā)展與進(jìn)步,同時(shí)電力半導(dǎo)體功率器件的制造技術(shù)水平也不斷提升,比 20世紀(jì)90年代有了非常大的進(jìn)步。隨著場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)模塊、除了絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)模塊高電壓、大電流產(chǎn)品的等級(jí)升級(jí),工作頻率的提高,還有就是感應(yīng)加熱設(shè)備應(yīng)用MOSFET、IGBT模塊越來(lái)越普遍,尤其在大功率逆變感應(yīng)加熱電源中,采用IGBT 作為功率開(kāi)關(guān)器件具有較大的優(yōu)勢(shì),現(xiàn)在已經(jīng)成為現(xiàn)代感應(yīng)加熱電源的主功率器件,1200A/4.5kV的IGBT已成為高頻加熱設(shè)備的主流配件,單模塊功率容量可以達(dá)到幾兆伏安,工作頻率已達(dá)100kHz以上,且具有較高的可靠性,失效率僅為 1300Fit(Fit是工作條件下工作十億小時(shí)的故障次數(shù))。
 
 
WTR感應(yīng)加熱設(shè)備本著為客戶(hù)負(fù)責(zé)的態(tài)度,從客戶(hù)的產(chǎn)品工件,到客戶(hù)的現(xiàn)場(chǎng)工況綜合出發(fā)為客戶(hù)選擇合適的配置,將感應(yīng)加熱設(shè)備的性?xún)r(jià)比發(fā)揮的更大。而且WTR的中高頻產(chǎn)品技術(shù)實(shí)力雄厚,服務(wù)過(guò)石油化工,海洋工程,車(chē)輛制造,新能源,核電等眾多領(lǐng)域客戶(hù),并總結(jié)出了針對(duì)不同行業(yè)的技術(shù)方案。
 
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