目前第三代半導體行業的觸角延伸到了5G基站、特高壓、城際高鐵交通、新能源充電樁等關鍵領域，處于爆發前夜，前景美好，未來可期，但王文銀在調研過程中發現，這一領域的三大現象仍值得注意：

 

第一，錯位。目前第三代半導體性價比優勢逐漸顯現，但產品開發和市場終端應用存在需求錯位的現象。相關機構預測，未來十年全球SiC和GaN功率半導體的銷售收入將達年均兩位數增長率，到2029年銷售收入將超過50億美元。與投入相比，第三代半導體收入較少，卻匯聚了大量資源，且先進入市場的全球巨頭已經建立了自身的朋友圈與護城河，我國行業內高端產品也多為進口；第二，擠兌。當一種新興產業起來后，很容易導致大家在短時間內一擁而上，第三代半導體行業也不例外，產業鏈上下游企業的爆發式增長，容易引發人才及資金的擠兌性風險。尤其是人才方面，我國半導體從業人才，尤其是10年以上經驗從業者奇缺，而第三代半導體產業人才培養至少需要3-5年，想要彎道超車，則需要意識到時間的緊迫性，讓有限的人才發揮更大的作用；第三、散亂。在國家政策的加持下，全國各地項目紛紛上馬。據不完全統計，整個2020年有超14個第三代半導體項目及相關產業園簽約落地，總投資額超800億元，涉及7個省份9個地區。部分低水平重復建設現象的存在，意味著行政命令對產業鏈的影響大于市場調節，投資轉換效率低，難以滿足產業團戰需求。同時第三代半導體盈利釋放緩慢，需避免產業發展從一擁而上變為一地狼藉，通過規劃引導將地方付出變為真正的產能。

 

對此，王文銀建議：

 

首先，重點扶持，協同攻關。第三代半導體產業涵蓋范圍較廣，可以在國內重點扶植3-5家世界級龍頭企業，加大整個產業鏈條的合作力度。從現狀來看，美國的科銳、德國的英飛凌、日本的羅姆三家公司占據了全球SiC市場約70%的份額。就國內而言，四川海威華芯是第三代半導體最成功的典范。我們必須發揮集中力量辦大事的制度優勢，協同龍頭企業攻關，才能形成第三代半導體產業的良性發展格局。

 

其次，聚焦市場，搶占高地。第三代半導體歐美日廠商起步早，呈現三足鼎立的態勢，美國的SiC產量甚至占據了全球70%-80%的市場。中國需在產業規劃上做出更大努力，通過研究不斷論證產業的實際發展路徑。目前第三代半導體在工業、消費、汽車等領域都有了實際應用，未來可以通過產學研用一體化來探索更多應用場景，不斷創新，探索殺手級應用，同時做大蛋糕，占領市場，徹底將行業的發展由政策驅動轉變為市場驅動。

 

最后，腳踏實地，合理規劃。全球半導體年產值近5000億美金，90%以上來自第一代半導體。第三代半導體部分屬于為了搶占市場的超前投資，我們堅信我國第三代半導體能夠崛起，也不能忽略第一代、第二代半導體所發揮的重要作用。從頂層設計入手，合理配置半導體領域資源，聚焦成熟產品，攻關關鍵產品，才能迎來半導體發展的春天。